106914

Номер патента: 1707513

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Реутов, Шутько

МПК: G01N 22/00

Метки: вод, грунтовых, дистанционного, залегания, уровня

...не самого поверхностного слояпочвы, а Ъ на глубине 1-5 см от поверхности, под переходным поверхФностнын слоем толщиной Ь, причем 0,5 см б Ь 5 см (фиг.2). Указанный поверхностный слой толщиной Ь оказывает существенное экранирующее влияние на СВЧ-излучения тем больше, цеи больше величина Ь. Поэтому при проведении измерений на одной длине волнывозникают большие погрешности в определении ЕЬ и соответственно Нгв, цто и привело к тому, что способ, изложенный в прототипе, не обеспечивает достаточной точности оценки Иге из-эа вариаций параметра Ь. Рля того, чтобы исключить влияние толщины поверхностного переходного слоя Ь и существенно уменьшить погрешности оценки Н предлагается одновременное определение параметров Ь и сЬ (а соответственно, и...

Номер патента: 435201

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Байгожин, Кочетов, Ордена, Родионова, Смирнов, Степанова

МПК: C03C 17/42

Метки: ампул, уровней

...ампул с помощью кисточки. Излишек эмали смывают спиртом. 15 Способ изготовления ампул уровней, вклюЗО чающий операции нанесения на ампулу штриИзобретение относится к технологии нанесения на поверхности оптических деталей защитных покрытий, предохраняющих эти поверхности от биологических повреждений.Известен способ изготовления ампул уровБей в тропическом исполнении, заключающийся в нанесении защитной пленки из растворов винилтрихлорсилана в толуоле и уксуснокислой ртути в метиловом спирте на поверхность готовой ампулы.Этот способ не обеспечивает защиту от биологических повреждений эмалей, предназначенных для нанесения штрихов, цифр и окраски боковых стенок ампул уровней. Кроме того, при обработке ампул в растворе винил- трихлорсилана...

Номер патента: 843642

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Орлов, Принц

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, полупроводниках, уровней

...10 4 с;1245 10 -с;127 10 -с; 40 что соответствует фильтрации релаксацийс постоянными времени т = - - - , -- рав 10 1 2ными соответственно 9,8 10 - , 2 10 - ,3,05 10 "с. По температурному положе 45 нию максимумов на записи найдены температуры, при которых постоянная времени теплового выброса с уровней составляет величину 9,8 10- 2 10- 3,05.10 - с,50Знание температуры и постоянной времени теплового выброса определяет место/ 03положение точек на зависимости)д-).т)55 На фиг. 2 показаны полученные в результате этих операций точки в коордиоа(031тах 1 р. По наклону прямых, вводяпоправку на Т 2, определяют энергию акти 60 вации уровней 0,44 и 0,60 эВ, Затем проводят измерения по предлагаемому способу. Измерения выполняют на макете...

Номер патента: 1420433

Опубликовано: 30.08.1988

Автор: Коптев

МПК: G01N 1/00, G01N 1/04

Метки: разрушения, условий, цементованных

...случае м икрошлифы 15 рекомендуется подвергать глубокому травлению (40 - 50 с) в том же реактиве. Использование РЭМ-метода позволяет подвергать более тщательному анализу состояние карбидной фазы по границам исходного аустенитного зерна. Формула изобретения Способ определения условий разрушения 25 цементованных деталей, включающий измерение размера температуро-чувствительного параметра и определение соответствующей ему температуры разрушения, отличающийся тем, что, с целью упрощения, в качестве тем пературо-чувствительного параметра используют частицы карбидной фазы, расположенной по границам аустенитного зерна,ОООО 800 л 3 бОО 100ель Я. Шелаг ровВерее Корректор7 ПодписноеСССР по делам изобретенийРаушская наб. д. 4/5дприятие, г....

Номер патента: 1530929

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Федоров

МПК: G01F 25/00

Метки: величины, воспроизведения, жидкости, уровня

...пояерхностпого натяжения жидкости. Затем производтся определе" ние величины критического превышения уровня жидкости над кромкой 4 перелива патрубка 3.Для нахождения этой величины рассмотрим некоторый фиксированный объем 7 однородной несжимаемой жидкости, поднятый выше горизонтальной плоскости, проходящей через кромку 4 перелива и ограниченный свободной поверхностью раздела двух сред (жидкость - газ) Я (фиг. 2). Поскольку жидкость стремится к минимизации внутренней энергии, то при постоянстве внешних сил Р, температуры 9 и давления Р 0 под действием сил поверхностного натяжения в течение некоторого времени С поверхность Я, будет деформироватьсяБ,О, 60, Сдо состояния устойчивого равновесияГ(1,) =сопзС,=-(1,ш); Я(Ч,ь) мин Бд(Ч) Р...