Устройство для детектирования импульсного нейтронного излучения

Номер патента: 1115625

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Веретенников, Крохин, Семенов

МПК: H01J 35/08

Метки: излучения, импульсный, источник, микропинчевый, мягкого, рентгеновского

...анод, Экспериментально установлено, что положительный эффект (вданном случае увеличение ресурса) до,стигается, когда диаметр стержня Фотверстия в аноде составляет 0,1-0,5от внешнего диаметра анода, оптималь1115 ный диаметр стержня равен 1-1,5 ммпри диаметре анода 4 мм. Данная конструкция анода дает возможность использовать комбинацию различных металлов, либо сплавов металлов, либоиных материалов, подобранных с такимрасчетом, чтобы Х, И, Ь либо К-ионысоответствующих элементов имели интенсивные (резонансные) линии излучения в диапазоне спектра, выбранномдля 0:практического использования. Приэтом за счет увеличения числаинтенсивных линий в. данном участке спектра происходит увеличениеКПД преобразования электрической 15энергии в...

Номер патента: 1241301

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Климов, Кошелев, Сухушин

МПК: H01J 25/00

Метки: излучения, импульсный, источник, мощный, свч

...состоящий из трубчатого катода 1 и анода 2; диафрагму 3 для коллимации электронного пучка, расширяющегося из-эа разлета катодной плазмы, эмиттирующей электроны, поперек магнит-ного поля, генератор 4 СВЧ-излуче ния, систему магнитных катушек 5 коррекции, создающую магнитное поле для формирования, транспортировки и посадки пучка на коллектор, рупорную антенну б с выходным окном 7 из диэлектрика. Рупорная антенна, ис-, пользованная для вывода СВЧ-излу чения, выполнена в форме усеченного конуса с диаметром большего основания 1,2 м, диаметром меньшего 0,17 м; длина рупора равна 0,9 м, Угол конуса составляет 60 , Седло- образные катушки 8, создающие поперечное магнитное поле, имеют форму овалов, вытянутых перпендикулярно образующим конической...

Номер патента: 763825

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бобашев, Шмаенок

МПК: G01T 1/16

Метки: излучения, импульсного, интенсивности, источника, мягкого, рентгеновского

...д- ц ОЮ 1ЭКфф ЪЫ) 6) Оэлгде Ьз(6) - сечение образования ионовлук 5, с зарядом и электронамис энергией Е, равной энергии электронов, прошедшихчерез газовую мишень,Ьф(И) - среднее в интервале Мд-Иьсечение образования тех30же ионов фотонами;М - число прошедших через гаЭзовую мишень электроновв каждом из двух пучков,Т(М) - средняя в интервале Сдд-Иб35разность коэффициентовпропускания фильтров,- отношение площади поперечного сечения исследуемогопучка фотонов к площади40 поперечного сечения одногоиз выделенных пучков.На чертеже показано устройство,реализующее предлагаемый способ.Устройство содержит времяпролетный масс-спектрометр с ионизацион 45ной камерой, ограниченной электродами 1 и 2; электронную пушку, снабженную диафрагмой 3 с двумя...

Номер патента: 1141476

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Королев, Тарасенко

МПК: H01J 35/22, H05G 1/22

Метки: излучения, импульсный, источник, рентгеновского

...минимуму на кривой Пашена, а произведение рН - левой ветви кривой Пашена при условии 5 НМ.Для устойчивой работы рентгеновского источника как при высоких, так и при пониженных напряжениях необходимо, чтобы катод был эффективным эмиттером электронов. В известном устройстве это достигается за счет взрывной электронной эмиссии острийного катода. Однако в результате испарения кончика катода и увеличения его радиуса кривизны на катоде не достигается критическая напряженность поля для взрывной эмиссии электронов и источник рентгеновского излучения прекращает работать. Так как для взрывной эмиссии электронов критическая напряженность электрического поля на катоде должна быть )10 В/см, то для ее достижения при напряжениях десятки киловольт...

Номер патента: 217541

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Меркулов, Разин

МПК: G21H 5/00

Метки: бета-излучений, источник

...бета-излучений выполнен многослойным в виде комбинации расположенных послойно в определенной последовательности различных бета-излучателей.На чертеже изображен источник бета-излучений в разрезе.Он состоит из корпуса 1, выполненного в виде чашечки, слоев 2 - 4 радиоактивного объема и герметизирующего покрытия 5.Многослойный радиоактивный объем образован бета-излучателями, взаимное расположение и толщина слоя которых определяется цз условия возрастания энергии цзлучения от поверхности в глубь объема с учетом явления самопоглощения.В качестве примера трехслойного радиоактивного объема можно взять следующее расположение бета-излучателей: нижний слой 2 - Ягс 0+Юф, средний слой 3 - Т 1-с, верхний слой 4 - Яф. Предмет изобретения10 Источник...