Источник бета-излучений

Номер патента: 519958

Опубликовано: 07.09.1980

Автор: Балонов

МПК: G01T 1/00

Метки: бета-излучения, газовый, источников, пропорциональный, счетчик, твердых

...величин напряженности поля счетчика.Кроме того, вокруг окна установлена прокладка с электропроводной наружной поверхностью, электрически соединенная с корпусом и прижатая к поверхности источника, причем расстояние от окна до про519958 Формула изобретения Составитель А. БалашовТехред А, Камышникова Редактор Е. Месроиова Корректор 3, Тарасова Заказ 1976/2 Иэд.446 Тираж 649 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113 О 35, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 типография, пр. Сапунова, 2 кладки установлено равным максимальному пробегу бета-частиц контролируемого источника в рабочем газе.Поле между сеткой-катодом и экранной сеткой эффективно осаждает на экранную 5 сетку поток ионов, проникших через...

Номер патента: 442735

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Власов, Тертышник

МПК: G01T 1/203

Метки: бета-излучения, газов, головка, регистрации, сцинтилляционная

...диафрагма 2, выполненная из сцицтиллирующей пластмас сы, например на основе полистирола. Материалом световопа служит высокопрозрачная пластмасса, С помощью специального клея создается хороший оптический контакт по попсрхцости соприкосновения ди фрагмы и световол, Вкуумным напылением ца вогнутую чсть пиафрагмы наносится тонкий слой 3 ал 1 оминця, который отражет сваг ц сторону катода фотоэлектроццо о умсжцтоля. Чтобы исклю чить погори спетчерез бокооь)е поверхности свегсцсл, оцц покрываются слоем 4 вещества с большим коэффициентом отражения свет(ипример, окисью магния). Входное окно фотоэлектронного умцожите ля сопрягается со сцинтилляционной головкой по илос;кости 5. При соепинеции верхней и цижцеи чстс.й сцицтилляционцой головки обр...

Номер патента: 397073

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Бубнов, Варгин, Радыванюк

МПК: G01T 1/20

Метки: альфа-и, бета-излучений, блок, детектирования, сцинтилляционный

...она прижимается к детектору с помощью завальцовки. Вместо шайбы обычно используют защитную сетку, предохраняюцуюпленку от механических поврежденийи радиоактивных загрязнений,Однако и такая конструкция светозащиты имеет существенные недостатки. 60Из-за малой жесткости кольца светозащитный экран (пленка ) часторвется.Увеличение же толщины кольца значительно ухудшает эффективность регистрации вследствие удаления источника 65 излучения от сцинтиллирующего слоя детектора.Кроме того, требуется высокая точность изготовления деталей, осуществляюцих светозациту, детектора, и их Фиксация при сборке блока детектирования, в результате усложняется конструкция детектора и узла его присоединения из-за установки штифтов, выполнения пазов и отверстий в...

Номер патента: 281666

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Андреева, Орлов, Пататйо, Трофимов

МПК: G01T 1/06

Метки: бета-излучения, гаммаи, дозиметр

...в 2 молекулярных процентах, следующее: пяти- окись фосфора (55,0+ 20), окись алюминия (5,0+ 20), окись цинка (35,0+.20), окись натрия (5,0-20), а двуокись марганца составляет (0,8 +20) мол. % от основы, 3 На фиг. 1 показана зависимость отношения оптической плотности облученного стекла 5 к оптической плотности необлученного стекла 5, характеризующего сохранность информации для облученных стекол во времени при хранении их в темноте при температуре 25 С.Для марганцевых стекол (кривая 1) самопроизвольное обесцвечивание достигает всего 5% за 32 суток, в то время как стекла состава основы (кривая 2) обесцвечиваются на 70% . Это свидетельствует о том, что измерение дозы по марганцевым стеклам может проводиться в любой послеоблучательный период...

Номер патента: 243668

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Буров, Коломейцева, Кораблев

МПК: C25D 3/50, H05K 3/18

Метки: контактных, печатных, поверхности, покрытия, родия, слоем, электролит, элементов

...ПОВЕРХНОСТИ ПЕЧАТНЫХ КОНТАКТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СЛОЕМ РОДИЯолучение однородной структуры покрытия, игает 800 кг/мм 2, ивеличины переходно ктных элементов. Известны электролиты для покрытия печатных контактных элементов слоем родия гальваническим способом, содержащие соль родия.Цель изобретения - получить однородную 5 мел кокристаллическую структуру покрытия,Достигается это тем, что в качестве соли родия использован аминохлоридный родий.Концентрация аминохлоридного родия в пересчете на металлический родий б - 7 г/л, кис лотность электролита 8 - 9, рабочая температура электролита 70+ 2 ОС, плотность тока 2 а/дм-.Родирование печатных контактных элементов в аминохлоридном электролите, не имею щем примесей посторонних металлов, обеспечнвает п...