Способ определения глубины залегания скрытого апатитового оруденения

Номер патента: 1838778

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Гильмутдинов, Горбачев

МПК: G01N 21/74

Метки: анализе, атомно-абсорбционном, концентрации, химического, элемента

...следующим образом,Производится атомизация анализируемой пробы, образуемый при этом атомный пар просвечивается посредством источника света излучающего на характеристической длине волны, при этом измеряется величина абсорбционного сигнала, Производится измерение температуры излучающего слоя в просвечивающем источнике и температура поглощающего слоя атомов Т регистрируются (определяются) контур линии испускания(ж) и контур линии поглощения К(щ) . С использоваяием этих данных производится преобразование измеренной величины абсорбционности А (инструментальный параметр) в число поглощающих атомов й (физический параметр), создающих эту абсорбционность и затем построение градуировочного графика в новых переменных М = Р(С) причем...

Номер патента: 311176

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Афонин, Пульцин

МПК: G01N 3/42

Метки: глубины, легирующих, перераспределения, слоя, элементов

...может иметь различную форму (пирамида, шарик и т. д.). Исследуемую поверхность подвергают термообработке, а затем внедряют в нее тот же индектор при постепенно возврастающей нагрузке. Определяют параметры отпечатков, соответствующие заданной нагрузке, Точность определения глубины слоя перераспределения легирующих элементов повышается с уменьшением разницы между последующими и предыдущими величинами приложенной нагрузки, Строят зависимость параметров отпечатков от величины нагрузки. По отклонениям полученной зависимости от прямолинейной находят уча,гЙ Пос тмст изобретенияСпособ определения глубины слоя пере 10 О аспределения легирующих элементов, заключагощиР 1 ся в том, по гредварительно подгогазливают исследуемую поверхность образца,...

Номер патента: 434834

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Брем, Егоров, Крапивский, Соколов

МПК: G01V 5/00

Метки: каротаже, концентрации, скважин, элементов

...элемента с увеличением. концентрации элемента уменьшается плотность потока тейловых. нейтронов.Таким образом отношение интенсивности гам ма - излучения радиационного захвата:тепловых нейтронов 1 ри времени задержки после импульса 0,1 - 0,5 времени жизни тепловых нейтронов к плотности потока тепловых нейтронов при времени задержки после импульса, большем времени жизни тепловых нейтронов, резко возрастает с увеличением концентрации определяемого элемента в гор.ной породе. оПоследовательность операции по предложенному способу следующая.По результатам исследований на моделяхопределяют оптимальное время задержки после нейтронного импульса при измерении интенсивности гамма-излуче. ния радиационного захвата, ширину временного окна, дИапазон...

Номер патента: 1726443

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Киселев, Неуймин, Розенталь, Середа

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00

Метки: манганатов, редкоземельных, щелочноземельных, элементов

...23 4Состав гомоганныа, но не однофазный, присутствуют местехиоиетрнческие добавки а аиде Ьароь,ИПО, ИП 03 Ип,ОьЬайпо, выход 85 О 10 Р-р насыщенныд по Зг(ОН)ь пН 0 кон центрациед 160 г/л 1200 С, 5,0 ч 1000 С, 14 2 ч 800 С 24,0 ч Р-р масыщенмыд по Зг(ОН).пН 0 кон- центрвциед Состав гомогенный,но не однофззный,присутствуют настехионетричсские добраки в вице Ьа 03,Ип 0 Ип 0 , Ип 0ЬзМп 0, выход76,0 В 1104 До соосащдения рН34,0Ьклв соосащдениярй14,0 Состав гомоганный,мо ме опнофззнын соединение1200 С, 5,0 ч1000 С, 20,0 ч800 С, 27,2 ч Р-рнасьмьенныд поЗг(он)3 пй 0 кен- центрацмеЯ 160 г/л Характериотика исходных растворов Расчетное соотношениеисходных компонентов,г.ион Ип(МО) - насзаемныйр"р концентрациед4300 г/л Ьа (Иоа) -нвсыщенныдр-р...

Номер патента: 342114

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Головков, Кохов, Лаврентьев, Мамикон, Марков, Стук

МПК: G01N 23/12

Метки: веществе, исследуемом, концентрации, химических, элементов

...меньше, толщина просвечиваемого слоя больше. Благодаря этому оба потока излучения ослабляются наполнителем пробы одинаково. Пройдя через пробу, потоки излучения регистрируются детекторами.Если Ую и Ую - плотности потоков излучения при отсутствии пробы, то после прохождения через нее плотности потоков излучения будут равны: где р, и р, - массовые коэффициенты поглощения определяемого элемента для энергий Ею и Еа соответственно (см/г); ри рд - массовые коэффициенты поглощения (-го элемента наполнителя для этих же энергий (смог); т и т, - поверхностные плотности пробы для энергий Ею и Ею (см/г); С и С; - концентрации определяемого и (-го элемента наполнителя (г/г). Взяв их соотношение, получим; Регулируя положение источников излучениянто...