Способ изготовления оправок

Номер патента: 1716316

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Галушко, Ильин

МПК: G01B 11/08

Метки: волокон, диаметра, оптических

...полос между двумя соседними совпадениями при гэм гд.Из формул (1) и (2) следует, что Йн Лф 20 как Тд = ЙэТэП Тд 2) 30 Подставим полученные выражения дляИн, чэ и Кд в (3) и получим и О/2 е в выражении (4 , не изменяющ троля. Ее значен память электро этого выражен зи О/ О/2 ) - гд зи ( а/х преобразованмость гд= 1( 2) 50й поли После несложньим искомую завис приЛ С зи ( Измеряемой величиной является Ь 2 == С - Ь, т.е. число пощими совпадениями ос между двумя теку- поэтому окончательно гз зп ( О/2 ) - гд зи ( а/2 ) Первое слагаемостоянная величина Спроцессе режима конжет быть занесено вустройства, С учетомзапишется в видези (О/2) (Л 2+1)гд=гэ . ( )приСУглы 0 и а заданы конструктивно, а Ь 2 находится при синхронном сканировании...

Номер патента: 540132

Опубликовано: 25.12.1976

Автор: Федотов

МПК: G01B 7/12

Метки: волокон, диаметра, электропроводящих

...плоскопа 20 раллельный измерительный конденсатор с дополнительными электродами и измерительнуюсхему 3.Дополнительные электроды служат дляуменьшения паразиткой емкости Сп,25 Однако при работе этого устройства снизится точность измерения при перемещении кон.тролируемого волокна от центра конденсатора вдоль электродов.Цель изобретения - повысить точность из 30 мерения диаметра волокна,рректор Е. Хмелева едактор Л, Народная Подписи Тираж зд. Юа 359Типография, пр. Сапун каз 2937/1 Это достигается тем, что устройство снабжено блоком коррекции, выход которого подключен ко второму входу измерительной схемы, а дополнительные электроды расположены симметрично в плоскости низкопотенциального электрода измерительного конденсатора и подключены...

Номер патента: 1002832

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Веселовский, Митрофанов

МПК: G01B 11/08

Метки: волокон, диаметра, прозрачных

...оси волокна 3в четыре раза меньше отрезкаот измеряемого волокна 3 до фокальной плоскостиволокна 3 до фокальной плоскости объ. ектива 3, а главная плоскость всейоптической системы, т.е. цилиндрической оптической системы 4 и объектива 2, находится посредине указанногоотрезка. При этом в параксиальномприближении отклонение плоскости рассеяния от оптической оси в пространстве предметов не приводит к смещениюрегистрируемой .картины в фокальнойплоскости объектива, что позволяетповысить надежность контроля.Способ осуществляется следующим образом.Пучок света от лазера 1 падаетна волокно 3 пенпендикулярно его оптической оси. Полученная в результате рассеяния лазерного излучения на волокне 2 интерференционная картина формируется объективом 2. В...

Номер патента: 1322087

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Волгин, Таточенко

МПК: G01B 11/10

Метки: волокон, диаметров, субмикронных

...4 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано, в частности для измерения диаметров субмикронных волокон в процессе производства. 5Цель изобретения - повышение точности измерения за счет увеличения крутизны зависимости между выходным сигналом и диаметром волокна.На фиг.1 изображена принципиальная 1 О схема устройства для измерения диаметров субмикронных волокон, на Фиг.2 - вид А на Фиг,1.Устройство содержит источник 1 коллимированного излучения и располо женные по коду излучения сканирующее зеркало 2, линзу 3 и фотоприемник, состоящий из двух фотоэлементов 4 и 5 с прямоугольной щелью. в центре каждого, установленных так, что их све О точувствительные слои обращены навстречу и,параллельно друг другу.Вращение...

Номер патента: 1597532

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Евсеенко, Коровченко, Попов

МПК: G01B 11/08

Метки: волокон, диаметра, прозрачных

...фотоприемника 6. При таком соотношении параметров цилиндрическая оптическая система 4 переносит изображение освещенного лазерным пучком участка волокна 2 на регистрирующий фотоприемник 6 с размерами чувствительного элемента Ь х Ь . Приэтом в параксиальном приближении отклонение плоскости рассеяния от оптической оси, происходящее при накло" 55 не волокна, не приводит к смещениюрегистрируемой картины с чувствительного элемента регистрирующего фото приемника. Размер П изображения вплоскости регистрирующего фотоприемника 6 связан с размером П освещенного участка волокна 2 формулой(2) Ъгде Ч = -- коэффициент увеличенияацилиндрической оптической системы.Освещенность Е в пределах площадки чувствительного элемента регистрирующего...