Способ формирования радиационных полей

Номер патента: 607114

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Иванов, Лебедев, Мазурик

МПК: G01J 5/18

Метки: объектов, полей, тепловых

...из выходов блока 7 задания режима, другой выход которого соединен с формирователем 8 строб-импульсов. Выход формирователя 8 строб-импульсов связан с одним из входов коммутатора 4. Устройство работает следующим образом.Контролируемый объект 1, импульсное тепловое поле которого формируется блоком 7 задания режима, перемещается блоком 2 в поле зрения преобразователя 3 ИК-излучения. Одновременно с выхода преобразователя 3 ИК-излучения электрический сигнал, пропорциональный импульсному потоку ИК-излучения от соответствующей точки поверхности, поступает на коммутатор 4, который в исходном состоянии разомкнут. В момент окончания импульса питания контролируемого объекта 1 блок 7 задания режима запускает формиро607114 Составитель...

Номер патента: 773531

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Ставицкий

МПК: G01R 29/12

Метки: векторных, объекта, поля, регистрации, свойств, электрического

...нальных пластин, Напряжения на функциональных пластинах 12 устанавливаются с помощью блоков 13 настройки, которые в данном случае представлены группой спаренных потенциометров, подключенных к блоку 14 автономных источников питания. Существенно важным является то, что источники питания блока 14 гальванически связаны со вторым анодом б только в одной точке. При достаточно сильном поле, создаваемом объектом, гальваническая связь между блоком 14 и вторым анодом б может полностью отсутствовать. Индикатором 15 сигнала в данном случае является обычный катодный осциллограф, с помощью которого фиксируется сигнал в одном из сопротивлений нагрузки (16 или 17), включенных в цепь коллекторных пластин 9 и 10. Можно также воспользоваться...

Номер патента: 1408214

Опубликовано: 07.07.1988

Автор: Сахаров

МПК: G01B 15/02

Метки: материальных, объектов, полых, распределения, толщин

...импульсов детекторами определяют максимальнтю амплитуду им пульсов, соответствуюгпиг интенсивцс. - ти излучения зарегистрцрованкого детекторсм, и опрецеляемых комптсговскими электронами, а. 11 ри регистрации импульсов производят амплитуднуо дис-. криминацию по двум уровням напряжения в области амплитуд, болгших макси" мальнс возможных амплитуд ссздавае 45 мых комптоновскими элек"роками, а толщину объекта в каждо сечении определяют по формулеГ 1К 1Х = - 1 п- 8 (-"-; -- .,)р Мгде Х - толщина ма тер.ала: полный кс змфиц 1 ект Осласлсния мсцоэцергетическсгогамма-изл уения;скорости счета импульс.оь при наличии объекта зарегистрированные при двух урознях дискриминации; М,ф - 11 е, в стаута г 1 и 1 сб 1 ек1р - грацуцрогсчцый ксэффициецт,и 1...

Номер патента: 1702208

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Верещак, Дубровский, Макаренко, Петров, Рогозянский, Устименко

МПК: G01M 3/40

Метки: герметичности, объектов, полых

...ИЗ-Г 1 вд :0снега и льда. За счет высокой чувствитель,ности радиометра регистрируетсч изменение уровня электромагнитного излученияпри изменении температуры подземной арматуры на величину Ат 0,05 С. 45Так как температура поверхности крананеоднородная, то для получения интегральной температурной хаоактеристики подземной запорной аоматуры определяютсреднее значение температуры поверхности в блоке 2, 50В блоке 3 определяется связь междуПРИРаЩЕНИЕМ тЕМПЕРатУРЫ ОКРУсжа 1 ОВ 8 Йсреды и приращением средних значений,найденных в процессе эксплуатации,Связь мекду приращением температуры окружающей среды и прира;цениемсредней температуры поверхности подземной арматуры определяют с помощью корреляционной функции этих приращений, найденной в...

Номер патента: 1003005

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Домород, Кожаринов

МПК: G03B 41/00

Метки: визуализации, неоднородностей, объектов, плоских, полем, электрическим, электрических

...перемещают по исследуемой поверхностиобъекта б, а на обкладку конденсатора 2 и объект б подают напряжение с30 генератора токов высокой частоты00 101 сз формула изобретения 545(28 Тираж 471 .Одгп 1 сцо ВН 11 ПГ .л а к аз с 311 сиЛ Г 1 Г Г 1:1ецт" с гжГОГ)О 31, Ул . П 1" ек 1 1е показа).,Цля герметизации микроканалов 4 непрозрачная диэпс ктри - ческая 11 ластина 3 с обеих сторон покрыта токои оптически про.зра 1 ой диэлектрической пленкой 5.При попадании микроканала 4 ца участок с гсо 11 ерхностными цеодцороц- НОСтяМИ 7 ца 1 ИНаЕТСя СВЕЧЕНИЕ Исртного газа 3 м 1 лк 13 оканале 4 из-за пГ;.в вышения напряженности электрического поля на этом участке по сравнеию 10 со средней напряженностью электриеского поля по всей поверхности, Причем...