Устройство для определения угловых зависимостей параметров ионного распыления

Номер патента: 1258301

Авторы: Горелик, Трофимов, Чутко

Формула

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УГЛОВЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ПАРАМЕТРОВ ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ, содержащее источник потока ионов и мишень, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и скорости измерений, мишень выполнена в виде многогранника, одна грань которого расположена перпендикулярно потоку ионов, а другие грани, имеющие по крайней мере одну общую точку с упомянутой гранью, расположены по отношению к ней так, что внешние нормали к ним образуют с внешней нормалью к упомянутой грани углы в диапазоне 0 - 90o.

Описание

Изобретение относится к ионноплазменной технологии и может быть использовано для определения зависимостей различных параметров, характеризующих процесс распыления, от угла падения ионов на поверхность распыляемой мишени, например, для определения угловой зависимости скорости распыления материала мишени.
Целью изобретения является повышение точности и скорости измерений.
На чертеже изображено предлагаемое устройство.
Устройство содержит источник (не показан) ионного потока 1 и мишень 2, выполненную в виде многогранника. Одна из граней многогранника So установлена по нормали к потоку 1 ионов. Эта грань может быть выбрана в качестве базовой. Остальные грани P1, P2, P3, P4 и т.д. имеют по крайней мере одну общую точку с гранью So. Например, грани P1 и P2 имеют такую точку O12, а грани P3 и P4 - точку O34. Внешние нормали к граням P1, P2, P3 Р4 соответственно , , , образуют с внешней нормалью к поверхности So углы 1, 2, 3, 4 заключенные между 0 и 90о.
Устройство работает следующим образом.
Включают источник потока 1 ионов и мишень 2 вводят в поток. После определенного времени экспозиции мишень выводят из потока, извлекают и проводят измерения унесенного материала с граней P1...P4 в окрестностях точек O12 и O34, общих с базовой гранью So, а также с самой этой грани, получая таким образом, величину параметра потока распыления в зависимости от угла падения ионов.
Данное устройство позволяет путем одновременного экспонирования граней с различными углами по отношению к потоку исключить погрешности, связанные с нестабильностью параметров потока ионов во времени и повысить скорость измерения, а проведение измерений вблизи общих точек с базовой поверхностью позволяет снизить погрешность измерений из-за пространственной неоднородности потока. (56) C.M.Melliar-Smith "Linetching for pattenn delineation". Journal of vacuum Scienek technology, vol 13, N 5, 1976, p. 1008-1022.
T. C. Tisone, P. D.Cruzan. Low-voltage triode sputtering with confined plasma: pavt V-Application to backsputtev definition. Journal of vacuum Science Technology, vol 12, N 3, 1975, p. 677-688.

Рисунки

Заявка

3827627/25, 18.12.1984

Горелик В. В, Чутко В. М, Трофимов А. В

МПК / Метки

МПК: H05H 1/00

Метки: зависимостей, ионного, параметров, распыления, угловых

Опубликовано: 30.06.1994

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1258301-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-uglovykh-zavisimostejj-parametrov-ionnogo-raspyleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения угловых зависимостей параметров ионного распыления</a>

Похожие патенты