Способ получения водорода

Номер патента: 6894

Опубликовано: 31.10.1928

Автор: Андреев

МПК: G01N 15/06, G01N 21/00

Метки: коллоидных, концентрации, размеров, растворах, частиц

...что лишает метод точности и ограничивает область его применения. Этих ограничений можно избежать и достигнуть большой точности, если для измерения величины светорассеяния применить фотоэлемент.Профессор Калитин пользуется фотоэлементом для определения концентраций взвесей по величине затемнения, производимым частицами при прохождении через среду светового луча.Предлагаемый сп бния концентрации истиц в коллоидных стоит в том, что исследуемая жидкость, помещаемая в сосуд, освещается концентрированным лучом, который, рассеиваясь по известному закону Тиндаля в перпендикулярном направлении ходу луча, воспринимается фотоэлементом, фиксирующим степень концентрации жидкости посредством показаний гальванометр а.Способ можно осуществить...

Номер патента: 35426

Опубликовано: 31.03.1934

Автор: Андреев

МПК: G01N 15/06, G01N 21/00

Метки: взвесях, газообразной, жидкой, коллоидных, концентрации, размеров, растворах, средой, твердой, частиц

...совершенно исключая действие частиц меньшей величины. Произведя затем измерение без призмы Николя. можно получить суммарное действие всех частиц, а пользуясь светофильтрами - действие частиц с размерами порядка определенной световой волны,Таким образом, предлагаемый способ позволяет определить по интенсивности рассеянного взвешенными частицами света как общую концентрацию их в среде, так и концентрацию частиц различной величины отдельно друг от друга, исключая из общего количества остальные,На фиг. 1 чертежа изображена схема прибора для выполнения предлагаемого способа, Полуватная лампа Х, включена во вторичную обмогку трансформатора, питаемого от осветптельной сети и обеспечивающего постоянство напряжения питающего лампу тока...

Номер патента: 134869

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Альтер, Ерофеева, Косова, Котина

МПК: B29C 71/02, D01F 9/22

Метки: полимерных, полупроводниковых

...значительно расширяется. Полупроводниковая ткань на основе полиакрилнитрила может быть использована в качестве каталитической поверхности при осуществлении химических реакций в системах регулирования температур и других областях, Особенность способа состоит в том, что полиакрилнитрильное волокно или ткань на его основе нагревают во 2-й ступени до температуры 1000,Для сохранения физико-механических свойств волокна или ткани применяют волокна элементарного номера 6000 - 7000 и нагрев их в интервале 600 в 10 проводят в среде угля с добавкой углеводорода, например парафина, Термической обработке подвергают ткань саржевого переплетения, что овает свободную усадку ткани.П р и м е р. Ткань нитронсаржевого плетения, изготовленная из...

Номер патента: 1359727

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Альмухаметов, Розенберг, Сагдаткиреева, Якшибаев

МПК: G01N 27/00

Метки: давления, керамических, максимальной, полупроводниковых, скорости, электроэрозии

...6 и 7 и плотно прижимается к ним. Для проведения исследования в атмосфере газа под давлениемячейка с образцом помещается в камеру(не показана).Зависимость скорости электроэрозии ПКМ от давления газа имеет аномальный вид. На фиг.2 а приведена такая зависимость для ПКМ на основе оксида хрома: 94% Сг О + 1% 2 гО + 5 . МН. Как видно гри Р = РР3,3 кгс/см зависимость Ч(Р) имеет резкий максимум, Для ПКМ одинакового состава Р может иметь различную величину. Та ое поведение Р обусловлено тем, что компоненты исходной шихты при смешивании могут распределяться неравномерно. Это приводит к некоторому различию физических свойств для разных образцов, кроме того, при спекании прессованных изделий условия спекания для отдельных образцов могут в...

Номер патента: 813210

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Борзунов, Макаров, Медведев

МПК: G01N 22/00

Метки: временижизни, высокоомных, носителей, полупро-водниковых, свободных, удельногосопротивления

...и анализатора 13 импульсов (канал построения статистического распределения). С выхода импульсного детектора 12 выпрямленное напряжение, пропорциональное амплитуде входного импульса, поступает на вход У самописца 14, на вход Х которого подается напряжение, пропорциональное координате зондируемого участка полупроводника 6 с механизма 7 перемещения. Так происходит построение геометрического распределения удельного сопротивления. 10 20 25 Эо 35 40 45 50 55 Измерение статистического закона распределения у осуществляется анализатором 13 импульсов в режиме амплитудного анализа, который производит построение зависимости числа импульсов с данной амплитудой Л (с данным удельным сопротивлением) от величины амплитуды, т. е. построение...