Номер патента: 1170792

Авторы: Орлов, Чунтонов, Яценко

Описание

Способ получения цезия разложением в вакууме монокристаллов соединений цезия и индия при нагревании в ампуле с поддержанием перепада температур на холодном и горячем концах ее и при комнатной температуре холодного конца, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и увеличения выхода конечного продукта при сохранении его чистоты и повышения точности дозирования, процесс ведут с использованием в качестве монокристалла соединений CsIn3 или Cs2In3 в течение 60 - 65 мин при поддержании температуры горячего конца ампулы 540 - 550oC или 590 - 600oC для CsIn3 и Cs2In3 соответственно.

Заявка

3577926/02, 26.01.1983

Институт химии Уральского научного центра АН СССР

Чунтонов К. А, Орлов А. Н, Яценко С. П

МПК / Метки

МПК: C22B 26/10

Метки: цезия

Опубликовано: 20.12.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1170792-sposob-polucheniya-ceziya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения цезия</a>

Похожие патенты