Удовик

Номер патента: 304698

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Белопольский, Мастерских, Никишин, Паукова, Удовик, Филиппов, Хавкин

МПК: H03K 17/66

Метки: «и—илии—или—не», двухфазный, импульсный, логический, элемент

...8. Чем меньше напряжение на коллекторе транзистора 8, тем большая часть тока ответвляется в базу транзистора 12 и меньшая - в базу транзистора 8, вследствие чего уменыпается степень насыщения последнего. Уменьшение глубины насыщения транзистора 8 создает условия для последующего быстрого, выключения элемента.Одновременно с открыванием транзисторов 8 и 12 происходит быстрое закрыва 1 гие транзистора 9 током коллектора транзистора 12, обеспе швающим быстрое рассасывание накопленного в базе транзистора 9 избыточного заряда, На коллекторе транзистора 9 устапавлизается высокий уровень потенциала.После окончания действия положительного импульса ГИ 1 транзистор 8 закрывается обратным током коллектора транзистора 4, но транзистор 8...

Номер патента: 276170

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Золотарев, Никишин, Остапенко, Петров, Постников, Тонких, Торопов, Удовик

МПК: H03F 3/04

Метки: дифференциальпый, усилитель

...тока. Последовательно входнымтранзистором 1 ц 2 ц резистором 8 ц 9 включены дополнительные транзисторы 10 и 11,базы которых соединены между резисторами5 4 и б с делителем напряжения,Прц подаче ца вход усилителя дифференциального сигнала коллекторцые токи транзисторов в одном плече увеличиваются, а вовтором - уменьшаются. Допустим, что на10 базу транзистора 1 подается напряжение сположительным полуперцодом, а на базутранзистора 2 - с отрицательным.Коллекторные токи транзисторов 1 ц 10увеличиваются, а коллекторные токи транзц 15 сторов 1 ц 11 уменьшаются. С увеличениемколлекторного тока падение напряжения нарезисторе 8 возрастает, ц потенциал на коллекторе транзистора 10 понизится. В цепитранзисторов 2 ц 11 процесс...