Турлак

Номер патента: 1565593

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Казаков, Катаева, Сарбучева, Турлак

МПК: B23B 27/16

Метки: инструмент, режущий, сборный

...плоскости с передей поверхностью режущей пластины, в1 очке Б - цилиндрического выступа 25отверстием. При этом точки контакта определены и постоянны, т,е.точка А всегда расположена междурабочей вершиной и отверстием, чтоПозволяет компенсировать зазор подрабочей вершиной, а точка Б всегдарасположена ниже точки В, что гаранТирует создание крутящего момента,затягивающего пластину в угол гнезДа державки.Положение прихвата фиксируетсяакже выступами 8, выполненными надержавке,Ось цилиндрического выступа 1расположена под угломк оси атерстия режущей пластины 3, Диаметр1 выступа 1 выбирается из соотношечния1 ов- Нц эдпрю, Дц совр45где с 1 - диаметр отверстия режущейпластины;Н -. высота цилиндрического выЦступа;- угол между осью...

Номер патента: 1237893

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Баронин, Турлак, Хмелев

МПК: G01B 5/00

Метки: выпуклая, которых, одна, ориентации, поверхностей

...ИИгИосда)ствсииоп) кз,и ;оио аслам изобрстеиии и от ар,;, ий113035, Москва, ж - 35.:;ти сказФи;:иа. 1 ГГ 1;атвит, г У).в1 ро;,с:, к,Изобретение относится к техническим измерениям и может быть использовано для ориентации по сферичности (выпуклости) полупроводниковых пластин перед последую- шими технологическими операциями в электронной промышленности.Цель изобретения - упрощение и повышение точности определения ориентации деталей за счет сообщения движения деталям наклоном базовой плоскости.Способ определения ориентации деталей заключается в следующем.Устанавливают детали, одна из поверхностей которых выпуклая, на наклонную базовую плоскость, сообщают движение деталям наклоном базовой плоскости на угол, при котором сила трения детали о...

Номер патента: 1223348

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Димитраки, Турлак

МПК: H03K 3/281

Метки: генератор, изменяющегося, линейно

...- эммитер токостабилизирующего транзистора 23; конденсатор 4заряжается двумя составляющими зарядного тока. Первая составляющаяпротекает от источника напряжениячерез резистор 9, участок база -первый эммитер транзистора 1", диод 26 и участок коллектор - эммитер токостабилизирующего транзистора 23. Вторая составляющая зарядного тока протекает через резистор 7, транзисторы 5 и 11, диод 26 и участокколлектор - эммитер транзистора 23.Заряд конденсатора в прямом направлении продолжается до момента баланса моста. В этот момент начинается развитие регенеративного процесса, который завершается опрокидыванием схемы в другое квазиустойчивое состояние. Теперь транзистор 13 работает в инверсном режиме и проводит ток через учаток база -...

Номер патента: 1217608

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Кулаков, Пермяков, Тресков, Турлак

МПК: B23K 20/24

Метки: внутренней, восстановления, детали, поверхности

...к восста- новлению деталей и может быть испольФэовано при восстановлении матриц штампов в различных отраслях машиностроения,Цель изобретения - повышение износостойкости восстановленной поверхности.На чертеже показана схема осуществления предлагаемого способа.На изношенную поверхность 1 детали 2 и наружную поверхность оправки 3 предварительно наносят бор, Затем оправку 3 запрессовывают в деталь 2, устанавливают их в вакуумную печь, нагревают до температуры расплавления бора, а после охлаждения детали оправку 3 удаляют и механической обработкой доводят восстановленную поверхность до требуемьк размеров.Благодаря предварительному нанесению на восстанавливаемую поверхность детали, запрессовке оправкп,расплавлению нанесенного слоя бора...