Сбежнев

Номер патента: 902072

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Иванов, Ломов, Новиков, Сбежнев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, интегральных, магнитных, схем, цилиндрических

...отравливается также и слой резиста. Интенсивность экспонирования Э выбирается таким образом, чтобы непроэкспонированный слой 11 при проведениитравлении сошел, образуя сквозное окно 12 не раньше, чем протравится слой 6 магнитомягкого материала (фиг. 6) . Далее травление про 3 травлении пленочных слоев, все пленочные слои наносят последовательно слой за слоем, например, катодным распылением, при формировании маски резиста устанавливают толщину резиста и глубину экспонирования резиста пропорционально глубине травления пленочных слоев под маской резиста и проводят сквозное травление всех пленочных слоев, не защищенных маской резиста.На фиг. 1 - 8 показана последовательность технологических операций по изготовлению ИС на ЦМД,...

Номер патента: 507343

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Гавриленко, Зильберт, Рабинович, Сбежнев, Франкс

МПК: B01F 11/02

Метки: приготовления, эмульсий

...зжекционный патрубок 8 которъго соединен с ечкостью 2 эмульгируечого компонента, При этом эжекционньбок Основного излучателя соедине) напорным патрубком 4.При включенном насосе 5 за счет эжекции, создаваемой в дополнительном ультразвуковом вихревом гиароаинамическом излучателе 7, эмульгируемый компонент поступает по трубопроводу 10 в зжекционный патрубок 8. В эжекционной камере излучателя 7 эчульгируемый компонент счешива ется с осно й цатрунс ег С пельСИИ В ЦРЕтем труб(нительц ыйатель,дине с еФа ю ловыения дисперсностн эчудлагоечой установке на всасывапроводе насоса установлен допвихревой гидродицамический ижекцнонный патрубок которогомкостьо эчульгируечого кочпо ТЬ олзлусое н из емкост ная эчуль,Зжек ш Онн ый Петру бок осн юн Ого и еля...

Номер патента: 506083

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Сбежнев, Силкин, Штейнман

МПК: H01J 29/76

Метки: многолучевое, отклоняющее, электронное

...один внутри другого,Предложенное устройство обладает болеевысокой чувствительностью, чем электростатическое, благодаря этому для его питания могут быть использованы обычные генераторы отклоняющих сигналов.Лберрации отклонения в устройстве снижены, поокольку центры опклонвния в обоих 10направлениях совпадают за счет расположения соленоидов один внутри другого.На чертеже показано предложенное многолучевое электронное отклоняющее устройство в двух проекциях. Каркас 1, выполненный из иеферромагнитного материала, имеет вид рамки прямоугольного сечения, две противоположнь.е стенки которои несколько уже двух других.20 В стенках рамки сделаны направляющие анавки, по которым проложен провод 2, образующий два соленоида 3 и 4 с требуемым шагом...