Россомахо

Номер патента: 1542260

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Беднягин, Россомахо, Эмдин

МПК: G01S 17/02

Метки: дальномер, импульсный, электронно-оптический

ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИМПУЛЬСНЫЙ ДАЛЬНОМЕР, содержащий генератор последовательности импульсов, импульсный источник оптического излучения, передающую и приемную оптические системы, фотоприемное устройство, пороговую схему, усилитель-ограничитель и измеритель временного интервала, причем генератор последовательности импульсов соединен с первым входом измерителя временного интервала и с входом импульсного источника оптического излучения, выход которого соединен с передающей оптической системой, первый вход фотоприемного устройства связан с выходом приемной оптической системы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и увеличения дальности действия, в него введены генератор вспомогательной последовательности импульсов,...

Номер патента: 695074

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Болотников, Быховский, Киселев, Медведев, Россомахо

МПК: B23K 35/40

Метки: неплавящегося, электрода

...покрытия совершенно необходимо помимо определенной схемы25 включения обрабатываемого неппавящегося электрода в электрическую цепь источ-.ника тока электрической дуги соблюдатьопределенную скорость увеличения токаэлектрической дуги.Время образования слоя из оксикарбидагафния при возбуждении электрической ду-,ги составляет величину порядка ь 0,05-0,5 с, Нижний предел обусловленвременем химического взаимодействияматериала активной вставки с компонентами ппазмообразующей среды: углеводоми кислородом. Верхний предел являетсядостаточным для полного покрытия рабочей поверхности активной вставки слоем4 О оксикарбида гафния.Для покрытия всей поверхности активной вставки слоем из оксикарбида гафниядостаточно поддерживать ток электрической дуги,...

Номер патента: 841870

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Болотников, Быховский, Киселев, Медведев, Россомахо

МПК: B23K 35/00

Метки: неплавящийся, плаз-менной, электрод

...на слое оксикарбида гафния происходит всегда отпериферии рабочей поверхности к цент ру,т,е,на участках поверхности слояиз оксикарбида гафния,имеющих наиболее низкую рабочую температуру.Образование слоя графита на поверхностипленки из оксикарбида гафния происхо дит в результате взаимодействия оксикарбида гафния с моноокисью углерода,образующейся при термической диссоциации углекислого газа в прикаточнойчасти столба электрической дуги. 50 Основной особенностью этого взаимодействия является узкий температурный интеграл, при котором оно происходит, с образованием графита, составляющей не более 500 ОС, Этим объяс няется экспериментально наблюдаемоеобразование слоя графита на периферийной части поверхности слоя из оксикарбида гафния,где...

Номер патента: 841850

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Болотников, Быховский, Киселев, Россомахо

МПК: B23K 9/16

Метки: неплавящийся, плазменнойобработки, электрод

...этот, порошок является графитом. Осаждение графитана поверхности активной вставкинаблюдалось Фридляндом М.Г. при ра боте электродов в плазмообразующихуглеводородах и смесях углеводородов с кислородом (осаждение графитана поверхности активной вставкиэлектрода при работе в углеводородахследует считать известным фактором) 4 ХНовым Фактом, обнаруженным авторами, является характер топографииосаждения графита. Покрытие графитом поверхности активной вставкиэлектрода происходит всегда от периферии к центру в виде кольца. Еслиповерхность активной вставки покрыта неполностью, то свободная от графита площадь поверхности вставки располагается обязательно в центре.Наиболее важным наблюдением, сделанным авторами, является установление связи между...

Номер патента: 649949

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Беднягин, Россомахо, Эмдин

МПК: G01C 3/00

Метки: расстояний

...опорную последовательность импульсов частотой, равной разности частотфиксированной и вспомогательной последо 20 вательностей, после перемножения выделяют преобразованную последовательностьимпульсов, и об измеряемом расстоянии судят по временному интервалу между опорным и ближайшим импульсом преобразо 25 ванной последовательности.На чертеже приведены эпюры, поясняющие предлагаемый способ,На дистанцию излучается последовательность импульсов с фиксированной частотой30 следования(а). После отражения и пригк Составитель Ю. Галки Те:;ред г 1, Строганова орректор А. Степанова Ры балов Редин-,ор 1 заказ 2717/1 Изд.161 Тираж 865 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д,...

Номер патента: 396439

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Быховский, Медведев, Россомахо, Суворов, Фридл

МПК: C23C 8/00

Метки: химико-термической

...Отч 10 сптс 51 к ОО;асти х 11 мпкО- термической обработки металлов, а именно к процессам диффузионного насыщения прц расплавлении поверхностного слоя.Известен способ комплексного легировацпя элементамп прп расплавлении поверхности под слоем флюса.Предлагае:1 ый способ отличается от известного тем, что, с целью контролируемого лсгирования кислородом, углеродом, азотом и бором, получения однородного состава покрытии обработку проводят цри расплавлении позсрхности в инертной атмосфере совместно с ф;пасом, состоящим из окислов, титрпдов, карбп- дОВ и Оорндов н 2 сь)щае.,Ого мета;1;12, 2 троцесс ведут до полного растворения флюса,Этот спосоо зак;1101 ается В с 1 едующез 1.Поверхцостньш слой изделий расплавляот путем...

Номер патента: 287213

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Быховский, Косе, Медведев, Россомахо

МПК: B23K 10/02, B23K 35/02

Метки: металлов, плазменной

...2 помещена прокладка 3 из материалов, не дающих интерметаллических соединений. Катододержатель охлаждается водой, подаваемой по 5 трубке 4, и укреплен в изоляторе б, Последний соединяет катодный узел с корпусом б и системой сопел 7, которые охлаждаются водой и применяются для различных целей, например для предотвращения замыкания плаз мотрона с изделия при случайном касанииили для увеличения длины формирующего канала.Прокладка может быть выполнена, например из вольфрама, тантала, молибдена, нио бия, ванадия и хрома, которые в диапазонетемператур 700 - 1000 С не образуют интерметаллидов как с цирконием, так и с медью, а толщина ее должна быть такой, чтобы исключить реактивную диффузию меди в мате риал активной вставки, например...