Лорикян

Номер патента: 824808

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Гукасян, Кавалов, Лорикян

МПК: H01J 47/16

Метки: детектирования, заряженных, многонитевое, частиц

...нити,прикрепленные с определенным шагомк раме из фольгированного текстолйтарыхлый диэлектрический слой и электронную схему, подающую напряжение на нити и переключающую его полярность, проводящие нити выполнены в виде анодных и катодных электродов в чередующемся порядке и,расположенных в слое рыхлого диэлектрика с ионной проводимостью в одной плоскости и подключены к выходам электронной схемы, подающей рабочее напряжение и переключающей его полярности.Полезный сигнал в каждом полупериоде снимается с нитей, являющихся в это время анодами.На чертеже прйведена блок-схема устройства для детектирования заря.- женных частиц.Устройство состоит из проводящих нитей 1, толщиной в несколько десятков микрон, расположеннйх плоскопараллельно с...

Номер патента: 795206

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Гукасян, Кавалов, Лорикян

МПК: G01T 5/12

Метки: детектирования, заряженных, частиц

....диэлектрического слоя и заземленныечерез низкоомное сопротивление, источник питания, катодные электроды, наложенные снаружи на диэлектрический слой и подключенные к отрицательному полюсу источника питания, в него введена электронная схема переключения полярности напряжения на наружных катодных электродах детектора, т.е. на время паузы подается положительное напряжение, а в качестве рабочего вещества детектора использован диэлектрик с ионной проводимостью.На чертеже приведена блок-схема устройства для детектирования заряженных частиц.Устройство состоит из детектора, включающего в:.себя пару электрически соединенных катодных электродовсигнальных золоченных вольфрамовых нитей, толщиной в несколько десятков микрон, натянутые с шагом1 ц...

Номер патента: 989495

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Арванов, Гавалян, Лорикян

МПК: G01T 1/28

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

...конических поверх- ностей, обращенных своими большими основаниями кверху, причем электрод 4 имеет основание в виде плоской торцовой поверхности 8, а электрод 5 торцовых поверхностей не имеетВ электроде б имеется центральное отверстие 9, в которое собираются сфокусированные эмиссионные электронны, В торцовой поверхности 8 электроДа 4 также имеется центральное отверстие, в которое ввинчивается эмиттер, представляющий собой кольцевую проводящую оправку 10 с натянутой на нее металлической мелкоструктурной тонкой сеткой 11 с высоким (99) коэфФициентом прозрачности, причем кольцевая оправка 10, а следовательно, и мелкоструктурная сетка 11 электрически накоротко соединены с злектродом 4 и находятся под его потенциалом,На верхней (по чертежу )...

Номер патента: 843558

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Астабатян, Лорикян

МПК: G01T 1/00

Метки: излучения, массам, переходного, помощью, разделения, рентгеновского, рпи, частиц, ядерных

...исследуемых частиц вдоль вытягивающего поля.Если обозначить время формирования импульса на выходе от одного электрона ионизации через ДТ, а разброс времени. прихода электронов от трека частицы через ь, то при условии Ь 17 дС эффективное суммирование амплитуд от всего трека не произойдет, так как сигналы от них будут смещены во времени. С другой стороны, так как пробег фотоэлектрона мал, в пределах этого. пробега не.- однородность электрического поля мала и соответственно разброс времени дрейфа значительно мал, условие 4 йЬСвыполняется, т.е. одновременность прихода, электронов от всей области ионизации в случае фотоэлектрона обеспечивается. Следовательно, в случае фотоэлектрона происходит суммирование максимумов амплитуд от импульсов...

Номер патента: 856299

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Арванов, Лорикян

МПК: G01T 5/02

Метки: детектор, заряженных, излучений, частиц

...его в сильное электрическое поле (для 100 мкм МОО - 104 В/см), направленное от поверхности МКП в глубь слоя. Это поле образуется разностью потенциалов, приложенных к подложке эмиттера и входной поверхности МКП.На чертеже изображен общий вид устройства.10Оно состоит из микроканальной пластины 1, на переднюю поверхность которойнанесен слой,МдО 2 (толщиной 100 мкм иплотностью 1 - 2 О/о от нормальной), Верхняя (по чертежу) поверхность МдО покрыота - 1000 А слоем А 1 3, создающим электрический контакт слоя на МдО с проводящим кольцом 4, впрессованным в шайбу 5,выполненную из изоляционного материала 20(например тефлона). Между изоляционными шайбами 6 и 7 зажаты плотно прилегающая к нижней (по чертежу) поверхности МКП шайба 8 из медной...