Арванов

Номер патента: 1050382

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Аматуни, Арванов, Гавалян

МПК: G01T 1/38, H01J 49/44

Метки: детектор, заряженных, частиц

...диэлектрика. Временные отметчики на основе таких слоев регистри вруют факт прохождения релятивистскихминимально ионизирующих частиц сдостаточно высокой эффективностью( = 65 .). Однако пористые диэлектрические слои на основе таких веществкак, например, КС 1 или КВ в силу их гигроскопичности сильно ухудшают свои эмиссионные свойствасо временем, что обуславливаеттехнические трудности, возникающиепри их использовании, в то времякак слои из негигроскопичных веществ (МО, криолит) таких трудностей не вызывают. Таким образом,детектируемая частица, проходя через указанный слой, вызывает вторичную, усиленную полем, электронную эмиссию слоя из области, радиус которой линейно зависит отЛоренц-фактора частицы, и остается лишь, не допустив...

Номер патента: 989495

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Арванов, Гавалян, Лорикян

МПК: G01T 1/28

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

...конических поверх- ностей, обращенных своими большими основаниями кверху, причем электрод 4 имеет основание в виде плоской торцовой поверхности 8, а электрод 5 торцовых поверхностей не имеетВ электроде б имеется центральное отверстие 9, в которое собираются сфокусированные эмиссионные электронны, В торцовой поверхности 8 электроДа 4 также имеется центральное отверстие, в которое ввинчивается эмиттер, представляющий собой кольцевую проводящую оправку 10 с натянутой на нее металлической мелкоструктурной тонкой сеткой 11 с высоким (99) коэфФициентом прозрачности, причем кольцевая оправка 10, а следовательно, и мелкоструктурная сетка 11 электрически накоротко соединены с злектродом 4 и находятся под его потенциалом,На верхней (по чертежу )...

Номер патента: 856299

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Арванов, Лорикян

МПК: G01T 5/02

Метки: детектор, заряженных, излучений, частиц

...его в сильное электрическое поле (для 100 мкм МОО - 104 В/см), направленное от поверхности МКП в глубь слоя. Это поле образуется разностью потенциалов, приложенных к подложке эмиттера и входной поверхности МКП.На чертеже изображен общий вид устройства.10Оно состоит из микроканальной пластины 1, на переднюю поверхность которойнанесен слой,МдО 2 (толщиной 100 мкм иплотностью 1 - 2 О/о от нормальной), Верхняя (по чертежу) поверхность МдО покрыота - 1000 А слоем А 1 3, создающим электрический контакт слоя на МдО с проводящим кольцом 4, впрессованным в шайбу 5,выполненную из изоляционного материала 20(например тефлона). Между изоляционными шайбами 6 и 7 зажаты плотно прилегающая к нижней (по чертежу) поверхности МКП шайба 8 из медной...

Номер патента: 318813

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Арванов, Ереванский, Мовсес, Тузов

МПК: G01C 9/06

Метки: ujarlrf=i, блхг, ггг, гидростатический, лиот, нивелирi, оттрч, тг, уг, ъlt, •f, •gt

...срабатывает, вследствие чего конденсатор 17 контактами 21 этого реле подключается к источнику постоянного тока через резистор 22 и заряжается до напряжения источника питания, контактами 28 подается положительный потенциал источника питания на иглу 4, а контактами 24 - отрицательный на корпус сосуда 1.Вращающийся кулачок 5 перемещает шток 2 в направлении к измеряемому уровню рабочей жидкости. При этом с фотоприемника 8 поступают импульсы на счетчик 11. В момент касания иглой 4 поверхности рабочей жидкости ввиду разности потенциалов между рабочей жидкостью и иглой формирустся электрический импульс, служащий исполнительным сигналом окончания счета импульсов. Величину перемещения штока от его верхнего положения до получения импульса с...