Гавалян

Номер патента: 1050382

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Аматуни, Арванов, Гавалян

МПК: G01T 1/38, H01J 49/44

Метки: детектор, заряженных, частиц

...диэлектрика. Временные отметчики на основе таких слоев регистри вруют факт прохождения релятивистскихминимально ионизирующих частиц сдостаточно высокой эффективностью( = 65 .). Однако пористые диэлектрические слои на основе таких веществкак, например, КС 1 или КВ в силу их гигроскопичности сильно ухудшают свои эмиссионные свойствасо временем, что обуславливаеттехнические трудности, возникающиепри их использовании, в то времякак слои из негигроскопичных веществ (МО, криолит) таких трудностей не вызывают. Таким образом,детектируемая частица, проходя через указанный слой, вызывает вторичную, усиленную полем, электронную эмиссию слоя из области, радиус которой линейно зависит отЛоренц-фактора частицы, и остается лишь, не допустив...

Номер патента: 1023446

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Гавалян, Гукасян, Кавалов

МПК: H01J 47/16

Метки: заряженных, регистрации, частиц

...второго слоя в 2-20 разбольше пльтности диэлектрика первогослоя.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства,Устройство содержит катодныеэлектроды 1, расположенные на внешнейповерхности дополнительного слоя 2пористого диэлектрика, на внутренней поверхности которого расположеныуправляющие электроды 3 Коаксидльнодополнительному, слою 2 расположенусилительный слой 4 пористого диэлектрика, на внешней. поверхности .которого расположены:ускоряющие элект".роды 5, а в центральной .плоскостисигнальные анодные электроды 6.Устройство работает следующим обра.Зом,Релятивистская частица, тормозяСьв слое, образует дельта+электроны.Плотность пористого:дйэяектрика,прикоторой электроны.еще способны размножаться и севершать дрейф,...

Номер патента: 989495

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Арванов, Гавалян, Лорикян

МПК: G01T 1/28

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

...конических поверх- ностей, обращенных своими большими основаниями кверху, причем электрод 4 имеет основание в виде плоской торцовой поверхности 8, а электрод 5 торцовых поверхностей не имеетВ электроде б имеется центральное отверстие 9, в которое собираются сфокусированные эмиссионные электронны, В торцовой поверхности 8 электроДа 4 также имеется центральное отверстие, в которое ввинчивается эмиттер, представляющий собой кольцевую проводящую оправку 10 с натянутой на нее металлической мелкоструктурной тонкой сеткой 11 с высоким (99) коэфФициентом прозрачности, причем кольцевая оправка 10, а следовательно, и мелкоструктурная сетка 11 электрически накоротко соединены с злектродом 4 и находятся под его потенциалом,На верхней (по чертежу )...

Номер патента: 722155

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гавалян, Журавлева, Неделькин, Павлова, Сергеев

МПК: C08G 75/14

Метки: обладающие, повышенной, полиариленметаллосульфиды, термостойкостью

...этанола и насн,соос з о зсдз о эсаоосн,- 3 Вычислено, Ъ: С 38,85, Н 2,36;5 15,94.Температуры начала потерь н весе 430 С.П р и м е р ы 2-6. Процесс осуществляют по способу, описанному в примере 1.результаты опытов приведены н таблице.П р и м е р 7, Процесс осуществляют по способу, описанному в примере 1.В качестве исходных мономеров40 берут 1,13 г (0,005 моль) днуххлорисН 8 3-Зй 8 5 ЯН С 1 МИ Р жв З ЗЩСЛ 60 того никеля в виде шестиводного кристаллогидрата и 1,41 г (0,005 моль) дифенилсульфон,4-дитиола. Полимер представляет собой поро 65 шок бордового цвета,Вычислено, %: С 46,68; Н 2,92;31,12,П р и м е р 8, Процесс осуществляют по способу, описанному в примере 1, В качестве исходных мономерон берут 1,19 г (0,005 моль) двуххлористого никеля...

Номер патента: 510485

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Бутягин, Гавалян, Иванов, Шляпинтох

МПК: C08L 25/06

Метки: композиция, полимерная, фоторазрушаемая

...в примере 1, готовят пленку полистирола, содержащую 1% 9-хлорметилфенантрена. Способом, описанным в примере 1, проводят облучение. После облучения пленку растворяют в бензоле и определяют характеристические вязкости 0,06 - 0,2%-ных растворов. Результаты измерений приведены в таблице.П р и м е р 3. Способом, описанным в примере 1, готовят пленку полистирола, содержащую 1/о 9-хлорметилфенантрена. Способом, описанным в примере 1, проводят облучение, После облучения пленки регистрируют ИК- апектры образцов. На фиг. 1 приведена зависимость оптической плотности пленок Р в области 1720 см- от времени облучения (кривая 5), Скорость фотоокисления полистирола в присутствии 9-хлоргметилфенантрена значительно больше, чем полистирола без добавок...