Лискер

Номер патента: 190995

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Зеленкова, Идб, Лискер

МПК: H01G 4/12

Метки: высокочастотный, керамический, материал

...1(с доО; в количестве оличестве 0 - 85 амические матсницаемостью от а частоте 1 Л 4 гс 1 + 100 10 с 1/С. в с. сс риалы 5 50 дос ТКЕ бретен Предм ет из Высокочастотньсй ке О для конденсаторов пост пенный на базе титано ний кальция, лантана и ся тем, что, с целью свин потерь и повышения дт 5 цаемости, в качестве ти динения использована с СаТ 10 з с содержанием стве 15 - 100/с и СаТ 10 85% вес, рамически оянной емк содержащиниобия, о сепия днэл тэлектриче таносодерн нстема Са Са 1 аТ 1 КЬОв колс Известные высокочастотные керамические материалы обладасот сравнительно низкой днэлектричсской проницаемостью и высокими диэлектрическимиПредлагаемый высокочастотный керамический материал отличается тем, что в качестве титаносодержащего соединения...

Номер патента: 177472

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Данилевский, Институт, Лискер

МПК: H01F 41/18

Метки: индуктивности, катушек

...отверстием о, ширина которого мецьше длины прорезей 3, цапыляют изоляционную плепку в форме кольца. После цацесеция пленки в отверстие 6 подложки 1 вводят стержпевой электрод 7, который устанавливают перпендикулярно плоскости подложки 1, ц накладывают маску 8 с кольцевым отверстием 9. Пропуская через электрод 7 постоянный ток, ца поверхность изоляциоццой пленки цапыляют слой ферро- агцитцого материала. Получеццый кольцевой магцитопровод с круговоц анизотропией покрывают изоляционной пленкой, наносимой 5 напылением изоляционного материала черезмаску 10 с кольцевой щелью 11, На поверхность изоляционной пленки через маску 12 с радиальными прорезями 13 цапыляют полоски токопроводягцего материала, которые яв ляются второй полоьчшоц...

Номер патента: 186538

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Лискер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, термоэлектрической, эффективности

...Способ определения т эффективности полупрово иийся тем, что, с целью уп измерения, измеряют тепл разца, подвергнутого возд 20 потока при нулевом токе и мыкании образца, причем электрической эффективно ности полученных значени ти, отнесенной к величине 25 измеренной при нулевом тоИзвестные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, Х и о либо по методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине...

Номер патента: 171913

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Лискер, Ллтснгка

МПК: G01R 31/00, G01R 33/12

Метки: гальванои, первого, проводниках, рода, термомагнитных, эффектов

...эффектом Нернста - Эттингсгаузена (Тн - э) и инерционным эффектом Риги - Ледюка (Ер т), При воздействии электрического поля (Е) возникают безынерционные э,д.с, Холла (Ех ) н омическое падение напряжения (Ея), вызванное асимметрией холловскпх электродов, а также инерционные эффекты - э.д.с. Эттингсгаузена (Еэ ) и термо-э.д.с, (Е.), обусловленная термоэлектрическим эффектом Пельтье, При снятии магнитного поля исчезают безынерционные э,д.с. - Ео - э, Т х и инерционные - Еэ, Тя - д При снятии электрического поля исчезают безынерционное напряжение Ея и инерционная термо-э,д.с. Е.1 иким ооразом на эпюре результирующей э,д.с. получены все численные значения э.д.с., пропорциональные .поперечным гальвано- и термомагпитным...

Номер патента: 141938

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Каганов, Лискер

МПК: G01K 7/02

Метки: полупроводниковых, сил, термоэлектродвижущих

...сил по предлагаемому способу.К образцу 1 припаиваются с каждой стороны по четыре проводника 2,3,4,5 иб,7,8,9.Проводники 2 и б, выполненные из меди, образуют токовую, а проводники 3 и 7 - потенциальную цепь схемы.Проводники 4, 8 и 5, 9 образуют термопарный дифференциальный мост.Схема работает следующим образом,Реостатом 10 устанавливают заданную величину тводников 2, б, размыкают ключ 11, замыкают ключи 12,М 14938 запись кривой, нарастания напряжения на торцах образца на быстродейству 1 оЬЙм автоматическом потснциометре 14.В каждыь момент времени полное падение напряжения на образце является суммои омического падения напряжения и термо-электродвижущсй силы на торцах образца, однако вследствие инерционности установления...

Номер патента: 133117

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Каганов, Лискер

МПК: G01R 27/08

Метки: контактного, полупроводниковых, сопротивления, удельного

...образца закрепляются зонды 2 и о. Измерение падения напряжения сиз и У" соответственно на зондах и на концах образца производят с помощью быстродействующего самопишущего потенциометра 4, Сила тока 1 определяется посредством амперметра А, для чего в токовую цепь 1 включена батарея 5.Общее падение напряжения на образце 1:( =Р, +Г,а падение напряжения на зондах: 3 3 И=Бр +0 где О - омическое падение напряжения и У - термоэлектродвижущая сила на соответствующих контактах потенциальной цепи.Исключение погрешности измерения, обусловленной возникновением паразитной термоэлектродвижущей силы, основано на медленном протекании нест,"ционарного процесса установления гемпературного поля в образце за счет выделения теплоты Пельтье и на использовании...