Динамический инвертор

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ссоз Советских Содзлмстмческмх Рссг;,блинф(, Ж ф Зависимое от авт. свидетельства М л. 21 ат, 36/ Заявлено 08.Х.1967 (Лв 1201749/18-24 МПК Н 031 сДК 681 35 65(088 8 Комитет ло деламизобретений и открыт бликовано 24.1.1969. Бюллетень чо 6 ори Совете Министров ата опубликования описания 10.11.19 В 1 т твт. иБ авторзобретени 5 А. Ханджян аявител АМИЧЕСКИЙ ИНВЕРТОР с присоединением заявки ЪПриоритет Известен динамический инвертор с двумя элементами памяти, так называемый инвертор на туннельном диоде и диоде с накоплением заряда, в котороч первым элементом памяти является диод с накоплением заряда, а вторым - туцнельный диод.Предложенный динахичеокий инвертор отличается тем, что выход диодной схемы ИЛИ через запоминающий конденсатор соединен с эмиттером инвертирующего транзистора, вклю ченного по схеме с общей базой, параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен диод, а коллектор транзистора соединен с анодом запоминающего туннельного диода.Это позволяет упростить схечу и создать ре жим истоника тока для питающих импульсов.11 а фиг. 1 приведена схема предложенного динамического инвертора; на фиг. 2 - врс.менная диаграмма главных питающсих импульсов (ГИ и ГИ). 20Динамический инвертор состоит из входной диодной схемы ИЛИ на диодах 1 и резисто.ре 2, с импульсным питанием главнь 1 ми импульсами ГИ и ГИ, поданными на вход 3.Выход диодной схемы ИЛИ, т. е, катоды ди одов 1 через запоминающий конденсатор 4 соединены с эмиттером инвертирующего транзистора 5, включенного по схеме с общей базой, параллельно эмиттерцо-базовому переходу которого включен диод б. Цепочка з диода 7 и 30 резистора ь, вкл 1 о синая между эмиттсром тразистора 5 и входом 5 главных импульсов 1 И 1 1 Из), слхк 1 г Для поДачи ток 1 запирания транзистора 5. Потенциал левой и правой оокладок конденсатора фиксирустс 51 соответ. ствсццо диодами 0 и б. Коллектор инвертирующсго транзистора 5 соединен с катодом туннелього диода 10 и через цепочку из резистора 11 и диода 12 - со входом 3 главных ичи; льсов ГИ (ГИз).Г 1 итающие импульсы ГИ и Г 11 в находятся в противофазе и делят временной;1 нтервал Т на две равные части. Импульсы ГИ, и ГИв несимметричны относительно уровня нуля,Ток смещения, протска 1 ощий чсрсз тунцсльный диод 10, Создастся исто 5 иком Отрицательного смещения Е и поступает через резистор 15. Вели 11 ина тока смещения в.брава минимальной, достаточной для обеспечения двух устойчивых состояний.Цепочка из диода 12 и резистора 11 служит для подачц тока установки туннельного диода 10 и устойчивое состояние с высокич потенциалом на диффузионной ветви.Если на всех задействованных входах инвертора установлены входные сигналы, соответствующие высокому уровню туннельного диода 10, то отрицательный импульс генератора импульсов Г 11 заряжает конденсатор 4 по испокс: резистори диОд б. Зряд кондсис 1 235817тора закан швастся к ксццу по,тупериода отр:- цатсльного импульса, а уровень напряжения ца конденсаторе фиксируется вы:оким уровцеч туннельного диода 10 ца входе.Одновременно с этим отрицательный импульс ГИ током через цепочку; резистор 11 и диод 12 переключает туннельный диод 10 в состояние с высоким потенциалом. Этот ток, складываясь с током смещения, протекаощего через резистор И, превышает значение пикового тока туннельного диода 10.Приходящий вслед за этим положительный опульс генератора импульсов Г 111 создает ток разряда конденсатора 4, превышающий ток заряда, поскольку аъплитуда положительной полуволны превышает амплитуду отрицательной,Ток разряда протекает по цепочке, состоящей из диода 12 и входного сопротивления эмиттср - база открытого транзистора 5. Почти без ослабле;ця этот ток передаетсл в цепь коллектора транзистора и обеспечивает переключение туннельного диода 10 в состояние с низким потенциалом на выходе.Процесс разряда конденсатора 4 заканчивается, как только открываетс дод 9 (Ьксашп.Если с приходом отрицательной части импульса генератора главных импульсов 18 хотя бы на одном из входов инвертора будет низкий потенциал туннельного диода, т. с. близкий к нулю, то заряда конденсатора 4 практически происходить не будет, а весь ток будет протекать через входной диод и через управляющий тунцельный диод.Приходящий вслед за этич положительный импульс генератора импульсов це вызовет разрядый ток кснденсатОра 4, пооколысу ораз открывается диод 9 фиксации, и туннегьн. диод 10 инвертсра останется в состолцц высокого потенциала. Предлагаемая схема динамического инвертора с двумя элементами памяти обладает следующими дополнительными преимуществаи,Передача перепада тувнельного диода 10 пре 5 дыдущего каскада на левую обкладку конденсатора происходит практически без потерь, и,как следствие этого, схема ме:-ее критична кразбросу параметров. В отличие от схемы сдиодом с накоплением заряда отсутствует па 10 разитное накопление, которое имеет место вдиоде с накоплением заряда. В предлагаемомццверторе наблюдается пониженная мощностьрасссвания и повышенная нагрузочная способность, поскольку от источника смешения15 потребляется через резистор 13 небо,ьшойток,Предложенный динамический инвертор сдвумя элсментачи памяти может быть использован для создания любой радиоаппаратуры20 ца дискретных двоичных элементах, а также вкачестве типовых элементов быстродействуюшх цифровых вычислительных машин.Предмет изоб ре генияДинами еский ннвертор с двумя элементамц памяти, содержащий на входе джоди, ю схему ИЛИ с ипугьсным питанием, цнверти рующий транзистс, диоды, резисторы и запоминающие туццсльцый диод и конденсатор, о.ссчасщигся тем, что, с целью упрощения схемы и создания режима источника тока для питающих импульсов, выход диодной схемы 35 ИЛИ через запомцнаощий конденсатор соединен с эмцттером цнвертирующего транзистора, включенного по схеме с обшей базой, параллельно эиперно-базовому переходу которого включен диод, а коллектор транзистора 40 сосдпен с анодом запоминающего тунцсл.нОго диода.Составитель Г. С. Колотова Редактор Б. С. Нанкина Техред Т. П, Курилко Корректор Г. И. Плешаковй Заказ 798/14 Тираж 480 ПодписноеЦНКППИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова, 2