H03H 7/00 — Многополюсники, содержащие только пассивные электрические элементы в качестве компонентов схемы

Номер патента: 1559297

Опубликовано: 23.04.1990

Автор: Кравцов

МПК: G01R 15/09, H03H 7/00

Метки: автоматической, двоичного, кода, нормализации

...выбор предела измерения прекращается, на шифраторе 6 фиксируется код номера выбранного диапазона (т,е, число сдвигов),.В исходный момент времени триггеры 7 и 8 находятся в нулевом состоянии (например, от импульса "Сброс", пришедшего на вход 10 устройства) Формирователь 5 заблокирован и с его выхода импульсы не поступают, Иммульс начальной установки (фиг.2), пришедший с входа 9 устройства, устанавливает триггер 8 в состояние "1", проходит через открытый элемент И 3 (Фиг,2 г) на вход А/8 регистра 4 сдвига, В этот момент на входах регистра 4 организуется режим параллельного занесения (в соответствии с таблицей состояния регистра 4), и информация, установленная в этот момент на информационном входе устрой" ства, записывается в регистр...

Номер патента: 1596436

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Луконин, Митюшкина, Томских, Фурман

МПК: H03H 7/00, H03K 3/53

Метки: импульсный, наносекундный, ускоритель

...относится к ускорительной технике и может быть использовано в электрофизических установках для получения импульсов тока пучка заряженных частиц с частотой следования в десятки килогерц в непрерывном и импульсно-периодическом режиме,Цель изобретения - повышение надежности работы за счет повышения помехозащищенности управляющих цепей управляемых разрядников.На фиг. 1 представлена схема наносекундного импульсного ускорителя; на фиг,2 - изображены эпюры напряжения на нагрузке.Наносекундный импульсный ускоритель содержит емкосткые накопители 1.1 - 1,4 энергии в, виде формирующих линий, подключенные через управляемые разрядники 2.1 - 2.4 к внутреннему токопроводу 3 передающей коаксиальной линии 4 с замкнутым с одного конца внешним...

Номер патента: 1670724

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Иванова, Пчельников, Решетников, Тарасов

МПК: H01P 1/202, H03H 7/00

Метки: коаксиальный, помехоподавляющий, фильтр

...рабочей длины волны, а величина поверхностного сопротивления резистивного материала й равналцД т /4 о 4 Г 1 1 и - ,где 1 - нижняя частота рабочей полосычастот, Гц; 30рсо - абсолютная магнитная проницаемость вакуума, Гн/м;- относительная магнитная проницаемость магнитодиэлектрических шайб 4 имагнитодиэлектрических втулок б;г 1 - радиус наружной цилиндрическойповерхности металлических шайб 3 и магнитодиэлектрических шайб 4,м;г 2 - радиус внутреннего проводника 2,Для крепления внешнего проводника 1на корпусах радиоустройств служит фланец7.Коаксиальный помехоподавляющий фильтр работает следующим образом.Силовой ток сетевого питания проходит по внутреннему проводнику 2, активное сопротивление которого мало. Индуктивное сопротивление...

Номер патента: 1674348

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Епифанов

МПК: H03H 7/00

Метки: задержки, зарядовой, линия, приборах, связью

...щие выводы блока 7 коммутируются на вход Й, Значен 11 е . ОПОРНОГО НаГ 1 РЯКЕНИЯ 14 л ВЬ;ОИРаЕТСЯ В ЗаВисимости От типс 1 устоойств Ввода таким, чтОбы Г 1 ри Г 1 одаче 11 а его 1) Гробиру 1 О 1 ций В- ВОД НВПРЯЖЕНИЯ Оол ПЕРЕВОДИЛО СООТВЕТСТ- вующий блок 3 в неработа 1 ощее состояниВ случае, кОГда на хаждь 1 Й рэГистр при" ходится устройство ВБГ)да, мОГут ВО 31 икнуГь конструктивные трудности. связанные с ограниченным продольным, т. е. в направлении переноса, размером регистра. Этот недостаток устранен в многовходовом приборе, показанном на фиг. 2, в котором устройства ввода разделены на две группы и расположены поочередно через одно с обеих стсрон регистра сдвига, дешифратор, блок 11 и бг 1 ок 7 перекл 1 очателей также разделены на...

Номер патента: 1737702

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Ляшенко, Рубан, Талалаевский, Чевнюк, Яковлев

МПК: H03H 7/00

Метки: волнах, магнитостатических

...тем,что, в устройстве на магнитостатическихволнах, содержащем подложку, на которой расположена эпитаксиальная пленка ЖИГ, на поверхности которой размещены преобразователи МСВ и поглотители МСВ, выполненные в виде полосок, поглотители МСВ выполнены на торцах устройства в эпитаксиальной пленке ЖИГ в виде полосок шириной 2,5 - 3 мм, объемно легированных ионами кремния с концентрацией (О,б - 1) 1 0 смНа чертеже представлено устройство на магнитостатических волнах, общий вид,Устройство на магнитостатических волнах содержит подложку 1 из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ), пленку 2 ЖИГ,51015 преобразователи 3 и 4 МСВ, поглотители 5и б паразитных МСВ. Устройство имеет форму прямоугольной пластины шириной 2 - бмм и длиной 8 - 20 мм....