H01L 27/148 — формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью

Номер патента: 1823718

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Арутюнов, Богатыренко, Грибов, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: кодированных, сигналов, формирователь, фотоэлектрический

...фотодиоды 1 оказываются под плавающим потенциалом. Электронно-дырочные пары, генерируемые светом в самих фотодиодах 1 и в примыкающих к ним областях полупроводниковой подложки 28, разделяются на р-и-переходе. В фотодиодах 1 происходит накопление зарядов, что приводит к изменению их потенциала на величину Оф - -Оф/Сф, пропорциональную экспозиции, где Оф - накопленный в фотодиоде заряд: Сф - емкость фотодиода. Напряжения Оф с фотодиодов 1 поступают на входы истоковых повторителей, составленных транзисторами Т 1 и Т 2, повторяются на их выводах, к которым присоединены задающие электроды 5.В момент времени 1 в, который может совпадать с моментом времени 11, подают запирающее напряжение на затворы 10 транзисторов Т 4. Присоединенные к...

Номер патента: 1829798

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Арутюнов, Грибов, Илисавская, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

...5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 дом 5 и присоединенными к нему структурными элементами. В ПЗС, в котором выходной электрод диффузный, С = Св+ Сш+ Сз+ +Сд, где С - емкость выходного электрода 5; Сш - емкость соединительной шинки; С - емкость затвора выходного транзистора; Сд - дополнительная емкость, образованная электродом 9 и диффузионной областью 10, В ПЗС, в котором выходной электрод 5 расположен на диэлектрическом слое, значение С представляется той нагрузочной емкостью, которая присоединена к выходному электроду 5, т,е. в этом случае С = Сш+ Сз+ + С.Коэффициент преобразования величины заряда в соответствующее напряжение к = 1/С; значит, изменяя Сд, можно регулировать величину Е, Емкость С зависит от разности напряжений между...

Номер патента: 1829796

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Вето, Клемин, Куликов, Якушев

МПК: H01L 27/148

Метки: гибридный, фотопреобразователь

...большой ток позволяет уменьшить входное сопротивление, регулировать ВС-цепочку на входе и тем самым улучшать частотные характеристики гибридной фоточувствительной схемы.Фотоприемник и коммутатор в предлагаемой конструкции соединены так же, как и в прототипе, за тем лишь исключением, что между точкой их соединения и "землей" включена емкость, выполненная в виде МДП структуры на поверхности фотоприемника (см. фиг,2), Накопление заряда, обусловленное протеканием фототока через фоторезистор, первоначально происходит в МДП-структуре,Перед подачей напряжения на ФП емкость Смдп заряжается посредством подачи отрицательного напряжения (насхеме это осуществляется замыканием ключа В), Это осуществляется за один такт, если СмдпСпзс, либо за...

Номер патента: 818394

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Попова, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: заряда, матрица, переносом, приборов, фоточувствительная

Фоточувствительная матрица приборов с переносом заряда, включающая полупроводниковую подложку дырочного типа проводимости, легированную индием, эпитаксиальный слой электронного типа, диэлектрический слой SiO2 и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающаяся тем, что, с целью разделения функций считывания и накопления, эпитаксиальный слой на границе с подложкой содержит подслой, легированный индием.

Номер патента: 1159466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Беляев, Вето, Крымко, Манагаров, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многосекционная, связью, схема, фотоэлектрическая

1. Многосекционная фотоэлектрическая схема с зарядовой связью, содержащая несколько устройств коммутации с усилителями, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества передачи изображения за счет взаимной компенсации неоднородностей разрешающей способности сопряженной с ней оптики и фотоэлектрической схемы, секции фоточувствительной матричной схемы расположены с осевой симметрией и каждая фоточувствительная секция в матрице имеет индивидуальное устройство коммутации с усилителем, причем расстояние между секциями матрицы не превышает расстояния между фоточувствительными элементами в секции.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что порядок оси симметрии совпадает с числом фоточувствительных секций матрицы.3. Схема по п.1,...

Номер патента: 588855

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс, Рубинштейн, Федотов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой сформированы сдвиговые регистры и выходное устройство, а на тыльной размещены светочувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности и разрешающей способности, светочувствительные элементы выполнены в виде структуры прозрачный металл - диэлектрик полупроводник и разделены сеткой диффузионных областей того же типа проводимости, что и подложка.

Номер патента: 795340

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Болдырев, Курышев, Ли, Половинкин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

Прибор с зарядовой связью, состоящий из регистра и входного устройства, содержащего управляющий элемент, инжектирующий диод, входной диод, два входных затвора, затвор переноса и шины управления, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введены два МДП-транзистора, истоки которых электрически соединены с входным диодом, затворы - с шинами управления, а стоки - с входными затворами.

Номер патента: 1382330

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузионной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него восемь затворов, причем первый, второй, третий, четвертый и пятый затворы расположены последовательно и каждый из них зарядно связан с рядом расположенными затворами, стоковую и истоковую диффузионные области противоположного подложке типа проводимости, причем шестой затвор зарядно связан с вторым затвором и стоковой диффузионной областью, седьмой затвор зарядно связан с четвертым затвором, а восьмой затвор перекрывает истоковую и стоковую диффузионные области, отличающееся...

Номер патента: 743500

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью

Устройство ввода на приборах с зарядовой связью, содержащее МДП транзисторы, шины управления и ячейку ввода, затворы которой изолированы от полупроводниковой подложки диэлектриком, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство содержит дополнительную ячейку ввода, причем входной затвор дополнительной ячейки ввода электрически изолирован от шин управления, расположен по крайней мере на 1/10 под входным затвором ячейки и изолирован от него дополнительным диэлектриком.

Номер патента: 1384130

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Крымский, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, третий изолирующий затвор имеет зарядовую связь с вторым входным затвором.

Номер патента: 862750

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности работы в режиме с непрямой инжекцией, оно дополнительно содержит два затвора, причем эти затворы зарядно связаны между собой и расположены между входной диффузионной областью и первым входным затвором.

Номер патента: 1091781

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной и стоковой диффузионными областями с противоположными подложке типом проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него зарядно связанные первый входной затвор, затвор накоплений, затвор переноса, изолирующий затвор и затворы 1, 2, 3 регистра считывания, причем входная диффузионная область зарядно связана с входным затвором, а стоковая диффузионная...

Номер патента: 1776164

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Крымский, Ли, Ольшанецкая

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью по авт. св. N 1702829, отличающееся тем, что, с целью повышения однородности скорости адаптации при вычитании постоянных и медленно меняющихся во времени неинформационных компонент сигналов индивидуально по каждому каналу, устройство дополнительно содержит диффузионную область и два затвора, зарядно связанных со вторым затвором записи, причем сток МДП транзистора электрически соединен с первым дополнительным затвором.

Номер патента: 1419430

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Ольшанецкая, Пленидкин, Халиуллин, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введена дополнительная управляющая шина, а третий затвор зарядно связан с вторым передающим затвором второй ячейки передачи заряда и электрически соединен с дополнительной управляющей шиной.