Гоблик
Антенна поверхностной волны
Номер патента: 1805517
Опубликовано: 30.03.1993
Авторы: Гоблик, Михайлов, Чаплин, Ящишин
МПК: H01Q 13/28
Метки: антенна, волны, поверхностной
...чертежом, накотором представлена антенна поверхностной волны.Устройство содЕржит проводящий экран 1, слойдиэлектрика 2, прямоугольныйволновод 3, волноводный изгиб 4, полусегментно-параболическую антенну 5, металлические ленты б переменной ширины.Натурные и численные эксперименты 15проводились в сантиметровом и миллиметровом диапазоне волн. Первый образец антенны был выполнен для сантиметровогодиапазона волн т = 11 ГГц), Он имел длину=74 Лпви ширину 72 Лпв, Ширина металлических лент изменялась в соответствии сформулой (1), а период их расположенияимел величину Л пв = 21 мм.Второй образец антенны был выполнендля миллиметрового диапазона волн (1 = 60ГГц), Он имел длину= 30 Л пв и ширину бПериод расположения металлическихлент был равен...
Антенна
Номер патента: 1800525
Опубликовано: 07.03.1993
МПК: H01Q 3/08
Метки: антенна
...3. Антенна крепитсяпосредством фланца вала 19 к основанию 21.Червячная передача 16/15 и шаговый двигатель вращения 17 размещены под валом 19 и частью сферического пояса зеркала 1, и не выходят за его габаритный размер. По оси вращения зеркала габаритный размер сферической антенны равен диаметру сферического зеркала 1, а по длине габаритный размер равен радиусу сферического зеркала 1, ширине двух радиально-упорных подшипников 18, ширине гайки их осевого крепления,толщине фланца угломестного вала 19 и размеру вращающегося волноводного сочленения, обеспечивая минимальные массогабариты.Антенна работает следующим образом, Секторное вращение облучателя 3 относительно части сферического пояса зеркала 1 соответствует изменению положения...
Устройство для сверхвысокочастотной гипертермии
Номер патента: 1779395
Опубликовано: 07.12.1992
Авторы: Гоблик, Рыцарь, Семенистый, Чаплин
МПК: A61N 1/40
Метки: гипертермии, сверхвысокочастотной
...ь брата р 11 СВ Ч-коле бани й. ческие препараты живой ткани животныхВыходы кольцевых антенныхы нтенных решеток 1 40 или человека, полностью совпадающие пои 2 подключены ка входам коммутатора 4. параметрам с необходимыми параметрамиФантом 3 человеческого тела или органа, больного органа,подлежащеголечению, помещен в кольцевую Гене ата 11 СВЧ-колебаний работаетГе р рантенную решетку, ыхтк 2, Выход коммутатора 4 в импульсном режиме, излучая порциямисоединен со вход м ром рэдиометрического при электромагнитную энергию, которая факуи е еленнамобь 5 которого подключен через сируется и выделяется в определенном о ьемника, выходчеловека. Длительностьфильтр ко вх ду7 о фазочувствительного де- еме тела человека. Дт а 11 апре еляеттекто а 9,...
Резонаторное устройство сверхвысокой частоты
Номер патента: 1722509
Опубликовано: 30.03.1992
Авторы: Гоблик, Захария, Осьмак, Чаплин
МПК: A61N 1/40
Метки: резонаторное, сверхвысокой, частоты
...частоты, разрез; на фиг.2 - то же, разрез; на фиг,З - разрез А-А на фиг,1,Устройство содержит прямоугольную резонаторную камеру 1, возбудитель Ньо моды с возможностью передвижения вдоль камеры, выполненный в виде пяти отрезков прямоугольных волноводов 2, соединенных с емкостной диафрагмой 3 и Е-секториальными рупорами 4, которые соединены с волноводно-коаксиальными переходами 5, возбудитель Нзо моды с возможностью передвижения вдоль камеры 1, выполненный в виде трех отрезков прямоугольных волно-. водов б, соединенных с емкостной диафрагмой 7 и пирамидальными рупорами 8 с волноводно-коаксиальными переходами 9,Предлагаемое устройство работает следующим образом,Питание резонаторного устройства осуществляется от общего источника СВЧ...
Устройство для гипертермии
Номер патента: 1678390
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Гоблик, Рыцарь, Семенистый, Чаплин
МПК: A61N 1/40
Метки: гипертермии
...в заданной области больного органа.Устройство работает следующим образом.В кольцевую решетку 1 помещают и Фокусируют электромагнитное излучение генератора 9 СВЧ-колебаний в области тела человека или его органа, подлежащего гипертермии. Одновременно в кольцевую антенную решетку 2 помещают Фантом 3 тела человека или его органа, диэлектрические 5 10 15 20 25 30 параметры которого в обьеме области нагрева в точности повторяют аналогичные параметры больного органа, подлежащего лечению.Генератор 9 СВЧ-колебаний работает в импульсном режиме, излучения порциями электромагнитную энергию, которая фокусируется и выделяется в определенном объеме тела человека. Длительность радио- импульсов генератора 9 определяется широтно-импульсным модулятором...
Антенна поверхностной волны
Номер патента: 1078512
Опубликовано: 07.03.1984
Авторы: Гоблик, Чаплин
МПК: H01Q 11/02
Метки: антенна, волны, поверхностной
...является низкий коэффициент усиления.Цель изобретения - повышение коэффициента усиления.Указанная цель достигается тем,что в антенне поверхностной волны,содержащей коаксиальный волновод,внешний проводник которого соединенс коническим рупором, и стержневуюзамедляющую структуру, соединеннуюс центральным проводником коаксиального волновода,в коническом рупоресоосно со стержневой замедляющейструктурой установлен биконическийдиэлектрический переход, выполненныйв виде усеченных конусов, соединенныхдруг с другом большими основаниями, 40причем диаметр одного из меньшихоснований равен внутреннему диаметрувнешнего проводника коаксиальноговолновода, а диаметр другого равенвнешнему диаметру стержневой замедля ющей структуры, стержневая замедляющая...
Способ производства коптильной жидкости
Номер патента: 179180
Опубликовано: 25.06.1979
Авторы: Воловинская, Гоблик, Горбатов, Ковач, Коцур, Крылова, Лясковская, Мельникова, Репнякова, Филимонов
МПК: A23B 4/04
Метки: жидкости, коптильной, производства
...фракция в основном содержит вещества с температурой кипения 60 - 75 С, вторая фракция почти не имеет летучих веществ. К первой фракции дистиллятд допаин 1активировацьи х голь в количестве 40 1 и;1л дистиллятд и Остдвлякт цаи для ддсорбции коптильных компонентов ири периодическом перемешивдции счеси. ПОсле и;1- сорбции смесь фильтруют через плоти) ю ткань цд вакуумом, и Осадок цд фильтре обрабатывают 4 с,о-цым раствором уксу сной кислоты из р 1 счетд 3,1 ц 1к смхох акти ни ровд иного уг,я и перегоняот с ядром ири атмосферном давлении и темиерд ту ре00 С с иос,с.у опей коиленсиией 1,истиллятд.Отогнаццый с пдрох: дистилля, си. ицивдют в Отношении 1: со второи фрд,цисй дистиллята. Полу ецидя таким Обрзом смссь представ,яет сооой коптильц;ю...