Гериц

Номер патента: 354617

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гериц, Цымбал

МПК: H05K 3/06

Метки: удаления, фоторезиста

...Е. Хвоиеваактор Л. Мазуроиок Техред Л. Куклина Корректор Е, Мироно каз 37616 Изд.1506 Тирзк 406 Подписное 1 ИИПИ Комитета ио делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская иаб., д, 4(5 пографня, ир. Сапунова, 2 ппп патент" Звк, ГЗУ 5 Изобретение относится к технологии флитографических процессов имеющих месттаких отраслях, как микроэлектроника, ратехника и полиграфия.Известен способ удаления фоторезистподложки обработкой в соответствующихтворителях и кислотах. Однако такой спхарактеризуется трудоемкостью и значитным расходом материалов.Цель изобретения - упрощеине,и сокрние технологического цикла, экономвя мриалов и повышение качества процесса удння фоторезиста..Сущность изобретения заключается вчто...

Номер патента: 240792

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гериц, Седол

МПК: H05K 3/06

Метки: кремния, моноокиси, раствор, травления

...сосдпнительных проводников многослойных пленочных схем и конденсаторов с диэлектрикоиз моноокиси кремния. скорости ачеств изобретенредм Раствор для используемый,0 элементов пе ристоводородн ний, от.гичпюг чения скорост шения качеств 5 створ, содерж ристоводородн стого аммони ляют 201 - 22 рода.Известен раствор для травления мкремния, используемый, например, иговлении элементов печатны: схем, сщий фтористоводородную кислотустый аммоний.Цель изобретения - увеличениепроцесса травления и повышениевытравливаемых фигур.Достигается это, тем, что в раствожащий 2 - 22 вес, ч. 48%-ной фториродной кислоты, 6 - 36 вес. ч. фторисмония и 12 - 108 вес. ч. воды, до201 ввес. ч. 30% -ной перекиси водРаствор не разрушает защитнуюфоторезиста,...