G11C 11/06 — с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти

Номер патента: 219633

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Лашевский, Старое

МПК: G11C 11/06

Метки: многоотверстная, пластина, ферритовая

...нескольких слоев исключает возможность совпадения дефектов во всех слоях в области, принадлежащей одному запоминающему элементу.Таким образом обеспечивается значительное увеличение однородности многоотверстных ферритовых пластин. Это снизит брак при их производстве, а также увеличит устойчивость и стабильность устройств памяти. Описыв она соде раополо Это по ва пласт аемая ржитженные зволя ины. пластина отл отдельные фвплотную др т повысигь ичается тем, чтерритовые слог к другу.агнитные свойс 1 а чертеже изображена о сываема тина состоит из несколь Слои изготавливаютсялитья или свободного щей прокаткой, Нескольскладываются и обж ствующем давлении, В образуется монолитна ра. С помощью ультраз т изобретен ких слоев ферметодом пресполива...

Номер патента: 219637

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Институт, Телемеханики

МПК: G11C 11/06, G11C 27/00

Метки: 219637

...Пр Необходимости электроды 2 3 ъогут быть нс замкнутыми, а нанесены лишь на часть поверхности. 30 В полупроводниковых элементах Холла увеличение толщины элемента для получения большей мощности выходного сигнала обычно ведет к увеличению воздушного зазора ц, следовательно, к увеличению размягнцчцвающего фактора, Это заставляет уменьшать толщину полупроводИкогого элемента, а требуемую мощность сигнала получать с позощыо дополнительных усилителей.В прсдложенном устройстве увеличение пло,цади входных и выходных электродов 2 и 3 не имеет таких ограничений. Это позволяет получить более высокую мощность сигнала на выходе и лучший коэффициент использования магнитного материала сердечника 1.Принцип работы устройства закгночается в следующем.На...

Номер патента: 221048

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ленинградский, Тимофеев

МПК: G11C 11/06

Метки: магнитный, элемент

...считы вания информации и обмотка восстановления проходят согласно через основное и встречно через диаметральное отверстие. Такое выполнение элемента позволяет усилить выходной сигнал. 10На фиг. 1 схематически показан предлагаемый магнитный элемент; на фиг. 2 - распределение остаточных магнитных потоков в зонах вокруг диаметрального отверстия.Магнитный элемент содержит сердечник 1 15 с диаметральным отверстием, обмотки записи 2 и 3, обмотку считывания 4, обмотку восстановления 5 и выходную обмотку б.Запись информации в элемент памяти может осуществляться любым известным спосо бом.Нестирающее считывание информации производят путем поочередной подачи импульсов тока в обмотку считывания 4 и в обмотку восстановления 5. Выходной сигнал...

Номер патента: 221765

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/06, G11C 5/12

Метки: запоминающие

...средней точкой на две половины,Описываемое устройство отличается тем, что провод смещения куба, разрядная обмотка которого относится к одной половине общей разрядной обмотки, соединен с проводом смещения куба, разрядная обмотка которого относится к другой половине общей обмотки.Это позволяет уменьшить емкостную помеху в разрядных обмотках запоминающего устройства.На чертеже приведена предлагаемая схет ения Предмет изобрЗапоминающее устройствбы памяти с проводами схторов, соединенными посразрядными обмотками, сощую разрядную обмотку, рленной средней точкой наличаюсцееся тем, что, с целкостной помехи в разрядимин ающего устройства,куба, разрядная обмоткак одной половине общей рсоединен с проводом смещная обмотка которого отноловине...

Номер патента: 231611

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее

...устройство отличается тем. что печатные обмотки ферритовых пластин в каждой группе соединены параллельно. Это позволяет увеличить устойчивость работы устройства. Применение нескольких пластин вместо одной дает возможность увеличить магнитный поток в запоминающем элементе, определяющий хранение информации, в результате чего увеличивается выходной сигнал устройства.На чертеже показано предлагаемое устройство.Числовые ферритовые пластины 1 и 2 образуют группу числовых линеек, предназначенных для хранения одного числа. Печатные обмотки 3 и собой парал стины дешиф стин 1 и 2, чсрез отверс щий элемент ции двумя п пара отверст а другая па единсны между обмотка 5 плаа с парой платка 7 проходит ин. Запоминаюнной констр кПри...

Номер патента: 232320

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дрожжинов, Литовченко, Трофимов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее

...не превышающее 15 в диапазоне температур, равном +60 С, При применении для той же пары обычного витгса связи из нихрома (ТКр=0,00015) изменение выходного сигнала с запоминающего сердечника в диапазоне температур 60 достигает 70 с),. Запоминающее устроиство, содержащее элементы памяти на двух феррнтовых сердечниках, связанных витком связи, и термокомпенсирующие элементы, от,гтагоисеесч тем. что, с целью упрощения устройства, термокомпенсирующий элемент включен в виток связи Известны запоминающие устройства, содержащие элементы памяти на двух ферритовыхсердечниках, связанных витком связи, и тсрмокомпенсирующие элементы,Предложенное устройство отличается тем, 5что, с целью упрощения устройства, термокомпенсирующий элемент включен в виток...

Номер патента: 233743

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вигдорчик, Гуревич, Малофеев, Самарин

МПК: G06F 1/00, G11C 11/06

Метки: 233743

...встречным соединением обмоток, снабженные сердечника О ми из материала с непрямоугольной пеглей гистерезиса.Схема триггера изображена на чертеже, 1-1 а обмотки 1 и 2 размещенные на сердедниках 3 и 4 с непрямоугольной петлей гистерези са счетного входа триггера, подается входная информация в виде последовательности одинодных импульсов.С приходом каждого второго (детного) импульса с обмоток 5 и 6 сердечников 7 и 8 сни О мается импульс переноса.В состоянии 0 триггера токи в цепях связи между элементами схемы отсутствуют. Каждый нечетный импульс, поступающий на вход триггера, проодит через обмотки 9 и 10 и по дается на обмотки 11 и 12 сердечников 7 и 8 схемы форпирования импульса переноса, а через обмотку 9 сердечника 3 - на обмогку 10...

Номер патента: 236538

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ленинградский, Сидоров

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее

...выходы индикаторов,При записи информации по шине 1 б в регистр 3 вводится запоминаемое число, одновременно по шине 8 в олок 1 вводится адрес этого числа, Запись информации начинается 25 при поступлении сигнала по шине 5 управления записью. При этом открывается соответствующий адресный элемент 7, и подготавливаются все разрядные элементы записи 10, а генератор 2 начинает вырабатывать серию 30 импульсов с постоянной вольт-секундной пло.шалью. Число импульсов в серии пропорциож 480 Подписное о делам изобретении те Министров СССР р. Серова, д. 4 Заказ 1169,3 Тир .11.1 И 11 ПИ Комитетаоткрытий при СовМосква, Центр,пографин, пр. Сапуно нально основанию системы счисления, в которой работает данное ЗУ (при десятичной системе счисления...

Номер патента: 236541

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Захаров, Каральник, Фаткулин

МПК: G11C 11/06

Метки: заполшнающее, магнитное

...каждая шпна выборки смметрпчно свя:3 апа с Ооепм ПО,13 нами )г 31)5 дно( Оомоткп.Ос;овцой модуль выполнен в виде закон ченной конст 1)уктиВной едпниць, котора 51 пр 11- мспястся для построеня запоминающего устройства кратной основному модулю емкости,11 п сИть 3 анпп В нача;1 е 0 нОЙ из шин ИО 1 О каждой координате подают я отрицательные импульсы тока чтения, совместного действия которых достаточно для изменения магнитноГо состояния материала вокруг отверстий, нахо.я)цпхся на пересечении Возбужденных шин 35 от 3 ерсти 5 с координатамп х = О, у = О для 1)ггсслг)трЗаелОГО случа 51) . Ь,роле 3 ыб)анных таепл 00)азол ОтверстиЙ, н 1 0,нОЙ плате по каждОЙ координате ОказыВаетс 51 и - 1) полу 3 озбу)кденн.х, из которых и/2 пронизаны 2...

Номер патента: 236864

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: G11C 11/06, G11C 7/00

Метки: 236864

...Я )1 И О 1 0 и Я ) "11;) 0 д 1 К И Г Р С )1 С 1:111 Х И Н 1 С;) Б- ,Ов 1010 рьи С.)слнСн 1 якжс с д 1010)1 6 форм:рования тлк зн:)сг.11 р: 11стуилс 1;и1: к):01)ыс и.: ы:с:ифроБлл ягрсс к,.)тлрн 11 х 1 рктср.ус 05 П 51 иис) Сигнал с :н:1;,ы вд Вто)ом н 1 сггс;)тдм )азрядах лОООЙ;з тстрял, и)1 лье сБсртлгл ряз 1)5 да пост пас 1 :(силсрс ствсн 1 О на л;н из схем .11 9 нл; 717. ;гиа. ел 1;Ппы ьтлрогд раз)яла поступ,)ст н тм жс схсмм 11срез соотвстсгвуглщук) схс)у 1 П 11 Т:пн ч,11 а вь 1. о с схс)ь 11 пд 51:)л 5 Стс 51 снпл, кот 01111 Й зяпренст прохожлсн:1 с и)нугиСОБ и(ииог 7(и(и(51, 13 р, Сапунов;, 2 блока д В 1 р 2100 ткп Врсмспны.; пптерв ало 3 1 - рсз Всцтили 11 и 12 ца запуск гецераторя 13 торого полутока чтсцци, ца запуск...

Номер патента: 237200

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Майоров

МПК: G11C 11/06

Метки: многоотверстная, памяти, пластина, ферритовая

...между отдельными ячейками памяти было полностью устранено, либо резко уменьшено. Эта цель достигается созданием ,конструкции ферритовой пластины, в которой ячейки памяти разделены, такими областями феррита, где коэрцитивная сила в несколько 20 раз выше, чем в перемагничиваемых областяхячеек.Вследствие этого создается энергетический барьер между ячейками, существенно уменьтцающий,их взаимодействие. 25На фиг, 1 показана часть ферритовой пластины; на фиг. 2 - распределение перемагничивающего поля и коэрцити/вной силы в мно тоотверстной пластине в зависимости от рас стояни я. В ферритовой пластине проходят сквозные отверстия 1, участки 2 пластины имеют высокое значение коэрццтивной силы.На фиг. 2 приведены следующие обозначения: Н -...

Номер патента: 242967

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Минаков, Петров, Проселков

МПК: G11C 11/06, G11C 11/08, H03K 19/16 ...

Метки: феррит-транзисторная, ячейка

...основного трансформатора, и на его выходной обмотке 1 в момент действия переднего фронта импульса записи появляется положительный импульс, соответствующий сигналу записи информации, и отрицательный импульс помехи, возникающий в момент действия заднего фронта импульса записи, стремящийся открыть транзистор и образующийся за счет непрямоугольности петли гистерезиса сердечника.Одновременно происходит частичное перемагничивание сердечника компенсационного трансформатора по наклонной - усу предельной петли гистерезиса сердечника под воздействием лишь импульса записи, в результате чего на выходной обмотке 1 в момент действия заднего фронта импульса записи появляется напряжение, используемое для компенсации помехи записи.Каждые пары...

Номер патента: 244397

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Берг, Максимов, Швалев

МПК: G11C 11/06, G11C 5/02

Метки: магнитный, накопитель

...11. бретения м 25Магнитньинтегральнключенныйных и проь30 тем, что, с озможности разтва контактов Известен магнитныи накопитель, содержащий блок интегральных разрядных матриц памяти, заключенный в набор чередующихся контактных и промежуточных рамок.Предложенный магнитный накопитель отличается от известных тем, что рамки расположены в плоскости, перпендикулярной плоскости набора разрядных матриц памяти в блоке, причем разрядные обмотки каждой матрицы памяти выведены на противоположные грани контактных рамок. Нечетные числовые обмотки выведены на третью грань, четные числовые обмотки - на четвертую, а начала и концы каждой числовой обмотки выведены на общую грань соседних контактных рамок и расположены друг под другом.Это отличие...

Номер патента: 244405

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Афанасьев, Ицкович, Левицкий, Шахмейстер

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающий, элемент

...идеализированными характеристииками ферромагнитных сердечникон с ППГ (фиг. 2).Так, в начальный момент магнитное состояние сердечников будет соответствовать рабочим точкам (помечены крестиками). При отсутствии сигнала Е(Е=О) с выхода ПУС на обмотки сердечников Сг и Сп подается напряжение. Для определенности положим, что лолярность этого напряжения таиова, что рабочие точки сердечников будут перемещаться вверх,по характеристике. Очев 1 идноперовым войдет в насыщение (+Вцик, ) сердечник Сг при этом сработает ПУС и;поменяет полярность напряжения И, С этого момента сердечники С т и С и будут перемагничиваться в другую сторону, рабочие точки будут перемещаться;вниз, и первым войдет в насыщение ( - Вкзс ) сердечник Сп. При этом ПУС (вновь...

Номер патента: 247355

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Новорасов

МПК: G11C 11/06

Метки: разбраковки, ферритовых, элементов

...элементов по импульсным параметрам, содержащие механизм перемещения контактных игл и механизм подачи и разбраковки элементов.Предложенное устройство отличается тем, что в нем механизм перемещения контактных игл выполнен в виде перемещающейся по шариковым направляющим каретки, снабженной кронштейном с укрепленными на нем контактными иглами и приводимой в движение микро- метрическим винтом, внутри которого расположен дополнительный шариковый фиксатор и толкатель, связанный через кулачковую пару с кронштейном, при этом механизм подачи и разбраковки элементов выполнен в виде пластины с гнездом для измеряемого элемента, приводимой в .возвратно-поступательное и колебательное двикение рукояткой.Это увеличивает быстродейсгвие разбраковки...

Номер патента: 247356

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Каминский

МПК: G11C 11/06, G11C 17/00, H03F 3/08 ...

Метки: 247356

...заотличающийвыходноготорного ПЗУтельно центвыполнен вдечника,присоединением заявкиОпубликовано 04.Ч 11,1969, Дата опубликования описа Известны сердечники с воздушным зазором как Е-образной формы, так и тороидальные с радиальным зазором. Для них характерны большие поля рассеяния в зазоре.Описываемый сердечник отличается тем, что центр внутреннего отверстия смещен относительно центра внешней окружности, и зазор выполнен в месте наибольшего сечения сердечника, Это увеличивает выходной сигнал постоянных запоминающих устройств (ПЗУ).На чертеже дан описываемый сердечник, где 1 - внутреннее отверстие, служащее для размещения витков; 2 - воздушный зазор, служащий для облегчения укладки адресных витков и расположенный в месте наибольшего...

Номер патента: 249059

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Заг, Лапшин

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элемент

...по шине 6, начнет перемагничиваться в состояние О, и в ветвь 6 будет вноситься сопротивление, обу-. словленное его перемагничиванием, что приведег к увеличению гока в ветви 5 и к преобладанию ампер-витков, создаваемых обмоткой записи ветви 5, над ампер-витками обмотки считывания сердечника 1, образованной ветвью 6.В резульгате этого в сердечник 1 запишется 1, а в сердечнике 2 установится состояние О,Таким образом, после действия импульса тока перезаписи по шине 4, если в обоих сердечниках было состояние, соответствующее О, го оно сохраняется, чго соответствует записи О в элемент памяти, а если в сердечнике 2 была записана 1, а в сердечнике 1 был О, го состояние изменяется так, что в сердечнике 2 устанавливается О, а в...

Номер патента: 251003

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Андреева, Дубровский, Золотайко, Лашевский, Хавкин

МПК: G11C 11/06, G11C 5/12

Метки: библиотека, запоминающее, плт1, устройствоin, хннчк

...соответствующих обмоток первой половины второго модуля, например, при помощи плоскихшлейфов.20На фиг. 1 изображено запоминающее устройство с условно раздвинутыми пластинамимодуля; на фиг. 2 и 3 - сечения модуля запоминающего устройства по А - А и Б - Б соответственно. 25Запоминающее устройство состоит из модулей 1 емкостью, например, на 512 чисел, содержащих кассеты 2 с запоминающими элементами на многоотверстных ферритовых пластинах Л 30 В середин ком мутацио на одной ст имно перекр неперекреще воды соедин ложенных к единяются н виде шлейф Предмет изобретенияЗапоминающее устройство с запоминающими элементами на многоотверстных ферритовых пластинах, состоящее из кассет, образующих модули, от,шчающееся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 251936

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Трофимов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее

...4 гг + 1 числа.В п редложенном устройстве обращение кодному адресу осуществляется в два этапа:считывания и предварительной записи.20 Перезапись информации в каждом гг числепри считывании информации пз гг + 1 числа.При подаче ня первом этапе в обмотку 4 гг числя импульса тока считывания 1,сердечнши2 этого числя переводятся в состояние О, а25 сердечники 1 - в состояние 1. Выходнойсигнал, соответствующий хранимой информации в прямом коде, снимается с обмоток б. Наэтапе предварительной записи в обмотки 5 подаются импульсы тока записи 1 соответству25193 ь Предмет изобретения 15 Составитель Ю, Д. РозентальРедактор Л. А, Утехина Тсхрсд А. А. Камьшникова Корректор Р. И, Крючкова Заказ 109119 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам...

Номер патента: 253142

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Брик

МПК: G11C 11/06

Метки: выборки, информации

...линейки, Если ампер- витки токабольше тока опроса, то выходные импульсы выбранной линейки возрастут еще больше,Токами 1 в дополнительных обмотках 2 удобно управлять при помощи триодов 3 - б, включенных инверсно относительно выходных триодов 7 - 10 дешифратора 11 выбора числовых линеек, как это показано на фиг. 1.Если последовательно соединенные дополнительные обмотки 2 сердечников каждой числовой линейки нагрузить на резистор 12, то в цепи последовательно соединенных дополнительных обмоток 2 сердечников выбранной числовой линейки в момент считывания будет протекать импульс тока, амплитуда которого определяется величиной резистора 12. Этот ток протекает через резистор 12 и дополнительные обмотки 2 всех сердечников выбранной числовой...

Номер патента: 255994

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Голубев

МПК: G11C 11/06

Метки: записи, информации

...4, разрядной шиной 5 и шиной записи б, а запоминающий сердечник - выходной шиной 7. 25В исходном состоянии коммутирующий сердечник находится в состоянии 1. При подаче тока считывания 1 он переключается в сосИзобретение относитсяющих устройств.Известны способы записпоминающих устройствадвух связанных сердечникНедостатком известныхинформации является знание энергии.Описываемый сподают в шину засов, длительностьстаточна для перещего сердечника. тояние О, при этом сердечник также переключается в состояние О.При записи 1 в разрядную шину подается ток, который переключает оба сердечника в состояние 1.Запись О осуществляется серией коротких импульсов тока небольшой амплитуды, Каждый импульс из серии обеспечивает лишь частичное переключение...

Номер патента: 258388

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Балашов, Кноль, Ленинградский

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее, логическое

...результаты логической операции импликации р;=х, -+ у а четный сердечник 4 каждого разряда этой числовой линейки принимает состояние, соответствующее результату логической операции импликации р,= у,-+х, . Одновременно на нечетной шине чтения 9 каждого разряда появляется сигнал, соответствующий выполнению в данном разряде слов логической операции стрелки Пирса а;= х, 1 у а на четной шипе чтения 10 каждого разряда появляетгя сигнал, состветствующий выполнению в данном разряде слов логической операции конъюнкции и, =х,/у;. Эти сигналы с нечетных и четных чшин чтения поступают на входы,нечепных 19таблица 1 Значения аргументов и функций ВозбужВозбуждаемые ад Разрядный л;О ( О 1 1 даемые разрялные форВыполняемая операция сигнал возбужденияО...

Номер патента: 262176

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Цогоев

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, линейка, числовая

...к областизапоминающих устройспв,Известна запоминающая числовая линейкас неразрушаемым считыванием, выполненнаяна двух пластинах из ферромагнитного материала, например из феррита, с пазом на внутренней поверхности одной из пластин.Предлагаемая линейка отличается от известной тем, что для упрощения устройстваобе пластины имеют соосные отверстия и указанный паз на внутренней поверхности однойиз пластин металлизирован, причем металлизированная поверхность паза образует адресные проводники, которые пропущены через отверстия пластин. 15На чертеие представлена описываемая линейка (на чертеже пластины условно раздвинуты).Линейка содержит две пластины 1 и 2 изферромагнитного материала, например из 20феррита, соприкасающиеся плоскостями. Вкакдой...

Номер патента: 262962

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее

...связь разрядных обмоток накопителя на МФП ухудшаег соотношение сигнал - помеха и является одним из факторов, органичивающих увеличение емкости накопителя.Цель, данного изобретения - уменьшение помехи, возникающей вследствие распределенной индуктивной связи разрядных обмоток, Достигается она тем, что между, разрядными обмотками включены распределенные емкости.На чертеже показаны числовые пластины без печатных обмоток и без дешифратора,Сквозь отверстия в пакете пластин 1 проходят разрядные обмотки 2. Между соседними обмотками включены конденсаторы 3, размещенные, между пластинами. Включение конденсаторов между обмотками вызывает появление емкостной связи обмоток. При распространении по одной из обмоток сигнала в соседних с ней...

Номер патента: 262965

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Палагин, Яковлев

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающий, элемент

...3. Так как шина 2 проходит через сердечник 4 в направлении, противоположном направлению прохождения ее через сердечник 3, то под действием тока 1 сердечник 4 перемагничивается из состояния 1 (если была ранее записана 1) в состояние О, и в выходной обмотке, наводится считанный выход ной сигнал 1.При записи 1 в разрядную обмотку записи подают импульс тока записи 1 т,который в сумме,с током 1, в шине 2 перемагничивает коммутирующий сердечник 3 в состояние 1.При этом шина 7 и виток связи 5, б прошиты через сердечник 4 таким образом, что ток 1 и ток 1;наведенный в витке связи при перемагничивании сердечника 3, воздействует на сердечник 4 в сторону считывания, и запо минающий сердечник 4 не перемагничивается,так как он уже перемагничен в...

Номер патента: 262966

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Цогоев

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающая, линейка, числовая

...пластичны 1 расположен печатный числовой проводник 4, огибающий отверстия, с внешними выводами 5, Поверх числового проводника 4 пластина 1 покрыта слоем ферромагнетика б, например феррита, замыкающим магнитопровод числового проводника. Слой ферромагнетика б может быть нанесен одним из известных способов (например, запрессовкой, химической транспортной реакцией и т, д.).Участки пластины, окружающие отверстия2, представляют собой информационные магнитопроводы, в которых хранится запоминаемая информация в виде остаточной намагниченности материала пластины (феррита с ППГ) одного или другого направления.Запись информации осуществляется присовместном действии импульсов тока в числовом и разрядном проводниках, причем полярность разрядного...

Номер патента: 262967

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гогин, Красильникова, Красноперое

МПК: G11C 11/06

Метки: дешифратор, магнитный

...перону.щена через сердечники дешифраторарасположенные в различных строках и столбцах матрицы.На чертеже представлен магнитный дешифратор ЗУ на многоотверстных ферритовых платах.Блок, разрядных пластин 1 прошит числовыми проводами 2, каждый из которых ироходит последовательно через отверстия 3 20 каждой разрядной пластины и которые раздельно подключают к выходным обмоткам 4 сердечников 5 матрицы дешифратора.На каждое число в каждой разрядной,пластине используются два близлежащих отвер.25 стия д. Числовые провода близлежащих наразрядной пластине пар отверстий подключают к выходным обмоткам, нанесенным на близлежащие сердечники в столбцах или строках матрицы. Шины У магнитного дешифра О тора раздельно проходят последовательно всестроки...

Номер патента: 262970

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Беккер, Слтг

МПК: G11C 11/06, G11C 5/02

Метки: памяти, пластина

...либо под переменным механическим,напряжением, что улучшает магнитные характеристики ячеек памяти. мет изобретения Пластинананесеннойчающаяся тметров ячеепьезокерамтивоположнпроделаны Изобретение относится к области запоминающих устройств.Известен пленочный ферритовый интегральный элемент, памяти, содержащий подлоику с нанесенной на ней ферритовой пленкой,Недостаток такого элемента памяти состоит в том, что в них форма как статической, так и динамической петли гистерезиса имеет плохую прямоугольность, вследствие чего возникают большие помехи. Подложка ферритовых пленочных элементов памяти выполняет конструктивную роль или функции токоведущих шин.В предложенном устройстве с целью, значительного улучшения формы петли гистерезиса и...

Номер патента: 266851

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Беккер, Сгэр, Швалев

МПК: G11C 11/06, G11C 5/02

Метки: памяти, пластин

...изготовления пластины памяти с двумя обмотками пробиваютпрямоугольные отверстия в ферритовой пластине наносят на поверхности пластины проводящие покрытия, пробивают перпендикулярнопервым отверстиям вторые прямоугольные отверстия и вытравливают рисунок печатнойобмотки на обеих поверхностях пластины.На фиг. 1 показан разрез предлагаемойпластины; на фиг. 2 - верхняя поверхностьпластины; на фиг, 3 - нижняя поверхностьпластины,В пластине памяти 1 пооиваются отверстияпрямоугольной формы 2, через которые на поверхность пластины наносится медное покрытие электрохимическим или другим способом.5 Затем тем же инструментом перпендикулярнопервым отверстиям пробивают вторые отверстия 2. При этом в определенных местах ранее нанесенного покрытия,...

Номер патента: 266852

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 11/06

Метки: 266852

...пластинах с разрядными обИзобретение относится к области запоминающих устройств (ЗУ).Известно ЗУ на многоотверстных ферритовых пластинах с разрядными обмотками, в котором введено перекрещивание указанных обмоток для уменьшения взаимного влияния соседних разрядов,Однако взаимное влияние толсоседних разрядных обмоток в тако еньшено.Описанное устройство отличается тем, что в нем все разрядные обмотки разделены на группы по четыре обмотки в каждой. Каждая из обмоток разделена на четыре участка, причем для любых двух обмоток группы количество пар индуктивно связанных участков, направленных согласно друг другу, равно количеству пар соответственных участков, направленных друг другу навстречу.Это позволяет уменьшить взаимное влияние...