G01N 27/68 — с использованием электрического разряда для ионизации газов

Номер патента: 1550412

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Баштанов, Гусейнов, Исмаилов, Цветков

МПК: G01N 27/68

Метки: влажности, относительной, полупроводниковое, термочувствительное

...переключателя через полупроводниковый термоэлектрический микромодуль пропускается ток, обеспечивающий за счет эффекта Пельтье охлаждение холодных спаев микромодуля до температуры Т, определяемой эффективностью Еполупроводникового ве щества термоэлементов. Чем больше К; тем до более низкой температуры (при прочих равных условиях) можно охладить холодные спаи микромодуля. Величина современных полупроводниковыхтермоэлектрических материалов составляет около 3 10 1/град, что позволя ет охладить холодные (в данном случае "мокрые") спаи микромодуля на50-70 град по отношению к температуреокружающей среды. При достижении ,холодными спаями микромодуля ТТ 25 , ;(Т - температура точки росы), на холодных спаях конденсируется влага,Причем чем...

Номер патента: 1744628

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Беспалова, Дауэнгауэр, Прохоров, Шалимов

МПК: G01N 27/68, G01R 31/02

Метки: действию, листовых, пленочных, разрядов, стойкости, частичных

...кон 10 такта с испытуемым образцом помещают вкаплю жидкого диэлектрика трансформаторного масла) б объемом не более 5 ммз,При больших объемах капли жидкий диэлектрик растекается по поверхности исследуе 15 мого образца, На измерительные электроды4, 7 подают напряжение испытания Оисп,величину которого выбирают из условияЕпр сх = 3 исп = Екгде Ек - напряженность электрического по 20 ля, при которой возникают коронные разряды;- расстояние между игольчатым электродом и испытуемым образцом;Е,р - кратковременная электрическая25 прочность испытуемого образца;О, - толщина образца.С помощью диэлектрического капилляра, конец которого помещен в каплю жидкого диэлектрика. локализуется область30 коронного разряда, что ведет куменьшениюинтенсивности...

Номер патента: 1772707

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Кузнецова, Резчиков, Тузова

МПК: G01N 27/00, G01N 27/68

Метки: газах, кислорода, содержания

...в широком диапазоне концентраций кислорода (1 х 10 - 1 мас.при условии, что количество углерода (бутана) превышает не менее, чем в 10 раз содержание кислорода в газовой пробе,На фиг. 3 иэобракен градуировочный график, построенный. по грэдуировочным смесям с кислородсодержащими добавками(а - Н 20; б - 02; в - С 02; г - СНз-С-СНз (ацетон); д - диоксан; е - этиловый спирт). Как видно из фиг. 3, степень превращения кислорода в монооксид углерода не зависит от природы химического соединения,в виде которого введен кислород, В качестве углеродсодержащего реагента выбран газообразный углеводород-бутан, который обладает преимуществом перед другими углеродсодержащими веществами,Превращение примеси кислорода из газовой пробы в монооксид...

Номер патента: 1786414

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Косенчук, Смирнов, Хабаров

МПК: G01N 27/68

Метки: дефектности, изоляции, провода

...и заднего фронта импульса дефекта, позволяетизменять длительность сигнала с дефекта обратно пропорционально скорости движе15 20 25 30 35 40 45 50 55 ния провода, Это обесйечйвает постоянство длины участка провода 1 з, который остается непроконтролированным независимо от скорости движения провода, и уменьшение з по сравнению с прототипом на скоростях движения провода, больших минимальной. Все это повышает точность контроля количества дефектов,пряжений, поясняющие способ и работу устройства; на фиг.З изображена блок-схема формирователя импульса дефекта с коронного разряда; на фиг,4 - пример конкретного исполнения формирователя переднего и заднего фронтов импульса дефекта.Устройство (фиг,1) состоит из источника 1 высокого...