Фейгенсон

Номер патента: 1079729

Опубликовано: 15.03.1984

Авторы: Дягилев, Иванов, Лопатин, Фейгенсон

МПК: E01C 19/48

Метки: аэродромных, дорожных, покрытий, скользящая, строительства, форма

...точ ности настройки и удобства эксплуатации. 20Указанная цель достигается тем,что в скользящей форме для строитель-ства дорожных и аэродромных покрытий,содержащей смонтированные на раме бето 2ноукладчика неподвижный с направляющими и подвижный щит, подвешенныйкронштейнами к механизму перемещений,верняя часть подвижного щита выполненав виде упора, каждыйкронштейн - состав зоным из соединенных посредством шарнираверхней и нижней частей, причем верхняячасть размещена в направляющих неподвижного шита, установленных вертикально, а нижняя часть шарнирно соединенас механизмом перемещений.На фиг. 1 схематично изображенаскользящая форма для строительства дорожных и аэродромных покрытий, общий 4 вид; на фиг. 2 - вид А на фиг. 1; на 29фиг. 3 -...

Номер патента: 867566

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Фейгенсон, Цумарев

МПК: B23K 11/30

Метки: контактной, сварки, точечной, электрод

...близости от области литого ядра, и поэтому под 20 вергается значительному воздействию тепла, выделяющегося при сварке. При этом из-эа термической усталости сокращается срок служ. нсона, а, значит, и электротикальных цилиндрических канала 5, которые сообщаются друг с другом с помощью кольцевой канавки 6. Вертикальные цилинцрические каалы 5 и кольцевая канавка 6 обра. зуют полость, которая соедикяет ниппель 7 входного шланга с ниппелем 8 сливного шлак Га, В процессе сварки Охлаждающая жщкость поступает через входной ниппель 7 по Вертикальному цилиндрическому каналу 5 к кольцевой канавке 6, охлаждая рабочий торец ск.11 ового пуансона 2, Из кольцевой канавки 6 охлаждающая жидкость по вертикальному цилиндрическому каналу поступает к ниппелю...

Номер патента: 729133

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Борисов, Лысенко, Фейгенсон

МПК: C02F 1/42

Метки: воды, глубокой, деионизованной

...) ионов различных примесей на аморфиэированной ионнойимплантациейповерхности полупроводйиковых материалов, Переход поверхности иэ монокристаллического в аморфное состояние возмсжен при превышении пороговых концентраций имплантируемых ионов и зависит от соотношениямассы иона и массы атомамишени энергии иона и температуры мишени,ЭФфективность очистки пропорциональна плошади аморфиэированной поверхности поэтому в устройстве приме729133 О с,Р ираж 1020 ИИПИ Эаказ 1 я 99 ное Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лиал иены адсорбирующие тела в Форме тонких пластин, имеющих максимальное отношение поверхность/объем.Дальнейшее повышение эффективности очистки достигается за счет развития (увеличения) площади адсорбирующей поверхности...