Эпшгеми

Номер патента: 329483

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гессен, Морозов, Эпшгеми

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, параметров, пленок, тонких

...с 1 с)д:гн11) 1 Д Н Н Н ). одло КЛ 2 Д Од -г Ко ОаяГЕРОН брет с лмст гройст ЛНЭЛС 1 )11 СС )ь, сод ой мс гогг.;. сс ости й РОЗ лнснд д,1 Хэлскжен.неча ОЧ 1 1 ОГ лип.1)Ы 1 Изоорстсние относится к радиоэлектротехнике и может быть использовано в олях промышленности, выпускающихпользующих диэлектрические пленки.Известные устройства для измерения параметро 3 тонких диэлектрических пленок, например диэлектрической проницаемости итднгснсд угла потерь, содержащие лвд элсктн),1 а с )дсполо)ксннОЙ хсжду нп.н измср 510 мой нлсшсой, имеют невысокую точность измсрсння.Целью нзооретения является устранениеэтого недостатка.Посгавленная цель достигается тем, что рабочая поверхность одного из электродов покрыта слоем токопроволящей резины, а...