Чубурков

Номер патента: 1602763

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Терехин, Чубурков

МПК: B44C 5/04

Метки: бетона, декоративной, отделки

...лицевую поверхность обрабатывают потоком лучистой , фэнергии мощности 400-600 Вт/см ,причем луч перемещают в непрерывномрежиме, проходя по цементному камнюсо скоростью 10-15 см/с и задерживаяего на зернах заполнителя на 0,3-1 с.Сигналы остановки, задержки и движе=.ния поступают на привод установкилучистой обработки от системы автоматического управления, оснащенной дат.4 1 б 02763 мнтелем с пределами регулированиямощности от 150 Вт до 10 кВт,Установка снабжена лазерной системой фиксации выступов и системойзадержки; Обрабатываемые плиты размещаются на передвижном столе,скорость перемещения и время задержки регулируются системой автомати-,ческого управления, связанной с системой фиксации выступов. Формула и з обретения Составитель...

Номер патента: 1590390

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Жуолис, Терехин, Чубурков

МПК: B28D 1/00

Метки: вращения, камня, тел, типа, фигурных

...как отклонение от этой формы приводит к резкому снижению эффективности процесса. По мере съема материала 2 с поверхности заготовки 1 производится опускание излучателя с целью обеспечения требуемого расстояния излучателя до обрабатываемой поверхности.По мере опускания излучателя корректируется величина амплитуды, например АФА так, чтобы исключить съем материала(ниже проектного контура 3.Процесс обработки на данном участке заготовки прекращается по достижении тре буемой глубины канавки, Далее излучатель смещается вдоль оси заготовки на новый участок заготовки и проводится его профилирование по приведенной выше схеме.Процесс обработки ведется до получения полного профиля 3. Полученное сложно- профильное поле вращения в дальнейшем может...

Номер патента: 1512778

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Булеков, Жуолис, Кириллов, Терехин, Чубурков

МПК: B28D 1/00

Метки: блоков, плиты, распиливания

...блока Отк(лВ;Ви 1, цр(послеловательно Отко,) л111 В зависимости (г к(с,и (сгцаЧаех)ЫХ ПЛИТ. Изобретение относится к техгроизводства облицовочных плит изприродноп камня и может бытьзовано в камнеобрабатывающей птенности.Цель изобретения - сокращение энергозатрат. ц с ) (.с - ация 2 ЦИМ;)Ю Г нологи блоко исполь- ромыши рсВ ЦИ,Л ИЛИ)1 (В,(Я)ЕЦ 1 С К)1.. На фиг.показан блок, распиленныи штрипсами не до Основания; ца фиг, 2 узел 1 на фиг. 1; на фиг. 3 -- блок, в котором произведены запилы и введены рукава для откалывания плит; на фиг узел 1 на фиг. 3.Предложенный способ осуществляется следующим образом.Блок камня устанавливают на тележку, закрепляют его и подают на распиловку. Распиловку Ос) ществляют штрипсовь)м станком. Рама со штрипсами...

Номер патента: 1468763

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Терехин, Чубурков

МПК: B28D 1/00

Метки: камня, надписей, нанесения, орнаментов, поверхность, природного, рисунков

...изделия, нанесение наплощадь рисунка защитной экранирующей смеси, удаление трафарета, снятие поверхностного слоя камня лучистым нагревом, шлифовку и полировкутолько площади рисунка. 1 табл.,цения накладывали трафарет с опредленным рисунком. На площадь риснаносили защитную экранирующуюметаллической пудры с канцелярскимклеем. Далее удаляли трафарет и прводили обработку поверхности устанкой лучистого нагрева, состоящей иеноновой дуговой лампы мощностьюкВт. Излучение лампы концентрири на обрабатываемой поверхности стеклянными алюминированными отражателями. По плите с нанесенным на поверхность рисунка защитным эк луч троекратно перемещается с янной скоростью 2,3 см/с, что димо для создания рельефа глу 5-7 мм. После лучистой обрабо...

Номер патента: 1433946

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Терехин, Чубурков

МПК: C04B 41/68

Метки: железобетонных, соединения

...Затем проводят обработку стыкуемых поверхностей потоком лучигтойэнергии плотностью 100 Вт/см Приобработке происходит нагрев и отрывповерхностного слоя бетона. Затем, после стыкования бетонных образцовв зону стыка подают бетонную смесьи отверждают ее. 45П р и м е р 2. При формовании бетонных образцов стенки форм, соответствующие стыкуемым поверхностям,обрабатывают композицией, содержащей,мас.%: жидкое стекло 90; сажа 10, Впроцессе пропарки происходит пропитка поверхностного слоя бетона, Отвержденные образцы обрабатывают потоком лучистой энергии плотностью 100 Вт/см , В результате происходит7отрыв и очистка поверхностного слоя бетона, После стыкования обработанных поверхностей в зону стыка подают бетонную смесь и отверждают ее.Для...

Номер патента: 1411154

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Терехин, Чадин, Чубурков

МПК: B28D 1/00

Метки: изображения, камня, нанесения, поверхность, полированную

...изображений на поверхность каменного блока.Цель изобретения - повышение качества обработки.Способ заключается в том, что на обрабатываемую поверхность накладывают бу. мажный трафарет, на котором вырезан соответствующий рисунок, затем на площадь рисунка наносят смешанный с клеем металлический порошок, после чего удаляют слои Камня вне площади рисунка воздействием 11 отока лучистой энергии, Контраст обработанной лучом и защищенной от воздейстия полированной фактуры создает заданый орнамент на камне. При этом по сигналу истемы автоматического управления луч на оверхности экрана движется со скоростью 10 - 15 см/с. После завершения обработки всей поверхности экраны с полированной Поверхности удаляются, например смываютя горячей водой.Пример....

Номер патента: 880124

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Перелыгин, Чубурков

МПК: G01T 1/167

Метки: концентрации, отношения, урана

...10 г /г.Цель достигается тем, что поспособу определения отношения концентраций уранаи -238, включающемунейтронную активацию ядер этих изотопов, измеряют продукты активации40в образце, изготовленном из исследуемого материала, и в стандартном образце с известным отношением концентраций изотопов уранаи -238,для чего проводят облучение иссле 45дуемого и стандартного образцовсмещенным потоком тепловых и резонансных нейтронов, например, в реакторе, определяют отношение числатреков осколков деления урана,к наведенной активности гамма-излу- .чения нептуниядля стандартногои исследуемого образцов и вычисляютотношение концентрации изотоповурана в образце из выражения ние числа атомовОг. 5/О г ЭЕ в стандартном образцеН с 6 .- плотность треков0...