Цельный

Номер патента: 273867

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Либенсон, Никит, Цельный

МПК: H05K 3/06

Метки: печатных, схем

...известныс способы нс обеспсчивао Олусипя точОго рисука схемл, с римснсние фоторсзиста усложняет тс хологию изготовления схем.С целью повышеия тоОсти изготолс 5 схем и упрощения тсхнологии их производства по предлагаемому способу защитпуо маску формируют, окисляя в соответствии с рисунком схемы отдельыс участки металлической пленки.В качестве сталлерсскои плски о)ксбыть использована пленка хрома, окислеис которой производят нагревом сс отдельных участков, образующих защитную маску в окислительной атмосфере, например в атмосфере кислорода, управляемым по заданной программе сканирующим лучом оптического квантового генератора.Исключение операции по нанесению фоторезиста и его обработке упрощает технологию производста схем, а малая...

Номер патента: 267778

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Цельный

МПК: B23K 26/067

Метки: лазера, лучом

...способ позволяет уменьбесполезные потери излучения и обесает возможность одновременной много- ионной обработки за счет разделения лазера на несколько световых потоков с щью светоделителей и зеркал, при этом ый из полученных световых потоков ентрируют на соответствующем количеобрабатываемых деталей самостоятельоптическими системами.едложенный способ поясняется чертегде 1 - лазер, 2 - светоделитель, 3 - ло, 4 - оптическая система для фокусиизлучения, 5 в обрабатываемая деталь. зо жом, зерка ровки шить печив позиц луча помо кажд конц стве ными ТЕРИАЛОВ ЛУЧОМ ЛАЗЕРА При осуществлении одновременно нескольких одинаковых операций на оптические системы 4 подается одинаковое количество энергии, и коэффициенты отражения...

Номер патента: 213517

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вейко, Либенсон, Цельный

МПК: C23C 14/46, C23C 26/00

Метки: выполнения, отверстий

...способ позволяет получать металлизированные микроотверстия. Он отличается от известного тем, что осуществляют одновременную прошивку отверстий в обрабатываемом изделии и металлической пластине, расположенной со стороны выхода луча из подготавливаемого отверстия детали.Прошивку отверстия осуществляют при помощи сфокусированного излучения оптического квантового генератора. Энергия импульса оптического квантового генератора выбирается достаточной для прошивки отверстия в детали, а также плавления и испарения материала пластины под отверстием. Количество металла, осевшего на стенки отверстия, регулируется путем изменения энергии и мощности импульса излучения или путем применения нескольких импульсов. Увеличения толщины покрытия...