C23C 8/78 — с введением более чем одного элемента в несколько стадий

Способ комплексной химико-термической обработки изделий из углеродистых сталей и спеченных материалов на основе железа

Загрузка...

Номер патента: 1157127

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Борисенок, Галынская, Куликовский

МПК: C23C 8/78

Метки: железа, комплексной, основе, спеченных, сталей, углеродистых, химико-термической

...1065 С, Х =4 ч) общая толщина диф-фузионного слоя составляет 170 мкм,а толщина Фазы Сг В 7 мкм, На спеченном материале марки ЖГр 1 (пористость 10-153) общая толщина слоясоставляет 240 мкм, фазы Сг В10 мкм 23,Недостатками известного способаявляются низкая скорость формирования борохромированного слоя, а также необходимость использования инерт"ной атмосферы и вакуума.Цель изобретения - интенсификация процесса обработки и повышение технологичности процесса.Указанная цель достигается тем, что согласно способу комплексной химико"термической обработки изделий иэ углеродистых сталей и спеченных материалов на основе железа, включающему насыщение поверхности бором и последующее хромирование, совместно с насыщением поверхности изделий бором...

Способ двухстадийной комплексной химико-термической обработки стальных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1564201

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Карбанович, Кухарев, Тамело

МПК: C23C 8/78

Метки: двухстадийной, комплексной, стальных, химико-термической

...9,4 ЕКроме того, покрытие, полученноепо предлагаемому способу, имеет, анодный (протекторный) характер защитысердцевины, т.е. даже в случае местного нарушения сплошности покрытияпоследнее электрохимически защищаетот разрушения сердцевину изделия.Получаемое по предлагаемому способу покрытие отличается от известного цинкового диффузионного покрытияфаэовым составом, а следовательно,и свойствами. Если при цинкованиижелеэоуглеродистых сплавов возможнополучение ГезЕп, , ГеЕп, ГеЕпфаз с максимальным содержанием цинка до 943 по массе в последней, топри цинковании борированных изделийформируется слой чистого цинка с высокими защитными свойствами, Боридныйслой при этом играет роль диффузионного барьера, препятствующего взаимодействию цинка с...