C01C 31/00 — C01C 31/00

Способ получения дигидрида ванадия

Загрузка...

Номер патента: 1063775

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Бурнашева, Вербецкий, Митрохин, Семененко, Троицкая, Фокин, Фокина

МПК: C01C 31/00

Метки: ванадия, дигидрида

...ванадия путемобработки. металлического ванадияводородом, образующимся при термическом разложении гидрида титана. Обработку водородом ведут вначале 30При комнатной температуре до состава; отвечающего моногидриду ванадия, после чего обработкуводородом ведут при температуре от -70до - 20 С. Давление водорода1 атм.Продолжительность процесса 8-10 сут.Полученный продукт соответствуетдигидриду ванадия состава ЧН, 2 3 ),Цель изобретения - исключейиенеобходимости проведения процесса 4 Опри низкой (минусовой) температуреи сокращение его длительности.Поставленная цель достигается тем,что обработку металлического ванадия осуществляют при давлении5-30 атм водородом, полученным приФразложении интерметаллических соединений состава ЬаИ 1 Нбз илиТ 1...