Аббас-Заде
Устройство для измерения напряженности электростатического поля
Номер патента: 1467521
Опубликовано: 23.03.1989
Авторы: Аббас-Заде, Агаев, Сулиев
МПК: G01R 29/12
Метки: напряженности, поля, электростатического
...которого задается изолирующей прокладкой 4. К каждо му первому и второму прозрачномуэлектроду 2 присоединена первая ивторая параллельные проводяпде пластины 5 соответственно, источник све-.та - светодиод 6, фотоприемник 7,переключатель 8, источник 9 питания,блок 10 регистрации.Устройство работает следующим образом,Пластины 5, расположенные параллельно одна другой на заданном рас-,стоянии, помещают в электрическое поле перпендикулярно силовым линиям поля. При наличии электростатическогополя через пластины 5 на жидкокристаллической электрооптической ячейке1 создается напряжение, достаточноедля возбуждения нематического жидкого кристалла 3. При этом жидкокристал-..лическая электрооптическая ячейка 1из прозрачного состояния переходитв...
Способ управления жидкокристаллической диафрагмой
Номер патента: 1081612
Опубликовано: 23.03.1984
Авторы: Аббас-Заде, Исмаилов, Ханукаев, Хартумов
МПК: G02F 1/137, G02F 1/139
Метки: диафрагмой, жидкокристаллической
...кольцевой прокладки 30 мм до пуля и обратно.Изобретение по сравнению с базовым объектом, за который принятоэлектро-оптическое устройство 11,1 1081Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано воптико-электрических и оптическихустройствах для управления оптическим излучением.Известен способ управления жидко 5кристаллической диафрагмой, включающий подключение управляющего напряжения к выбранным электродам диафрагмы,Для изменения размера диафрагмы вданном способе изменяют количествоэлектродов, подключенных к источникууправляющего напряжения Г 1 3.Недостатками способа являютсясложность коммутации электродов и15дискретность изменения размера диафрагмы,Наиболее близким по техническойсущности и достигаемому эффекту...