Устройство для измерения напряженности электростатического поля

(51)4 6 01 К 29/12 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ У 11ственное об ед ких бас следован Д,Сулие 28(088.8) свидетель 6 01 К 29 видетельстС 01 К 29/ тво СССР12, 1979.о СССР2, 1980. ЯОЛЯлектро упр нос ектро- из ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬТИЯПРИ ГКНТ СССР ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(21) 4252559/2 (22) 06,05.87 (46) 23,03,89 (71) Научно-пр кение космичес (72) А,А.-К.Аб и Э.С.Агаев (53) 621.317.3 (56) Авторское Р 1109677, клАвторское с Р 9301 б 2, кл,(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЭ 11 ЕРЕНИЯ ЯЯННОСТИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО (57) Изобретение относится к измерениям. Цель изобретени щение устр-ва и повьппение т измерения. Устр-во содержит оптическую ячейку 1, состоя прозрачных электродов 2, пространство между которыми заполнено слоемнематического жидкого кристалла 3 сотрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости, толщина которого задается изолирующей прокладкой4, а также проводящие пластины 5,светодиод б, фотоприемник 7, переключатель 8, источник 9 питания и блокрегистрации 1 О. Помещая пластины 5,подключенные к электродам 2, в электрическое поле, можно изменять про"зрачность ячейки 1 в зависимости отвеличины напряженности электромагнитного поля, Повьппение точности измерений обеспечивается за счет практически полной развязки между пластинами5 и входами блока регистрации 10 безприменения сложных электронных; схем,Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности статического и квазистатическогоэлектрического поля,5Цель изобретения в . упрощение уст-.ройства и повышение точности,На чертеже приведена структурнаяэлектрическаясхема устройства для. 10измерения напряженности электростатического поля,Устройство для измерения напряженности электростатического поля содержит электрооптическую ячейку 1, включающую первый и второй прозрачныеэлектроды 2, пространство между которыми заполнено слоем нематическогожидкого кристалла 3 с отрицательнойанизотропией диэлектрической проницаемости, толщина которого задается изолирующей прокладкой 4. К каждо му первому и второму прозрачномуэлектроду 2 присоединена первая ивторая параллельные проводяпде пластины 5 соответственно, источник све-.та - светодиод 6, фотоприемник 7,переключатель 8, источник 9 питания,блок 10 регистрации.Устройство работает следующим образом,Пластины 5, расположенные параллельно одна другой на заданном рас-,стоянии, помещают в электрическое поле перпендикулярно силовым линиям поля. При наличии электростатическогополя через пластины 5 на жидкокристаллической электрооптической ячейке1 создается напряжение, достаточноедля возбуждения нематического жидкого кристалла 3. При этом жидкокристал-..лическая электрооптическая ячейка 1из прозрачного состояния переходитв непрозрачное вследствие динамического рассеяния света. Поэтому интенсивность света, излучаемого светодиодом 6, проходя через жидкокристаллическую электрооптическую ячейку 1,уменьшается, что регистрируется спомощью Фотоприемника 7 и блока 10 50регистрации. Причем в зависимостиот велйчииы напряженности электростатического поля изменяется пропускание жидкокристаллической электрооптической ячейки 1 и, соответственно,величина регистрируемого электростатического поля. При малых значенияхнапряженности поля рассеивание незначительно, при увеличении напряженнос"ти поля жидкокристаллическая электрооптическая ячейка 1 становится. Рассеивающей и более непрозрачной длясвета, проходящего через жидкокристаллическую электрооптическую ячейку 1.Таким образом, помещая пластины5 в электрическое поле, можно изменять прозрачность жидкокристаллической электрооптической ячейки 1 в зависимости от величины напряженностиэлектромагнитного поля,Повышение точности измерений обеспечивается за счет практически полнойразвязки между пластинами 5 и входами блока 10 регистрации без применения сложных электронных схем.Верхняя граничная частота измеряемого электрического поля 1 кГц, чтообусловлено отсутствием динамического рассеяния при частотах выше 1 кГц,Формула изобретенияУстройство для измерения напряжен" ности электростатического поля, со" держащее датчик поля, выполненный в виде первой и второй параллельных проводящих пластин, блок регистрации, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства и повыщения точности, введены электрооптическая ячейка, заполненная нематическим жидким кристаллом с отрицательной анизотропией диэлектрической проницаемости, к первому и второму прозрачным электродам которой присоединены первая и вторая параллельные проводящие пластины соответственно, светодиод и 4 отоприемник, расположенные по разные стороны от электрооптической ячейки на одной оси с ней, причем выход Фотоприемника подсоединен к входу блока регистрации.