Патенты с меткой «реактопласта»

Номер патента: 620385

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Бугров, Деев, Масленников, Морозова, Филатов, Цедилин

МПК: B29C 3/00

Метки: прессования, процессом, реактопласта

...оба условия выполняются, товторая подпрессовка выполняется длительностью, определенной для первойподпрессовки.Экспериментально установлено, что,наиболее благоприятные условия дляудаления из материала летучих создаются в момент времени, когда материал прогрет до температуры началареакции (Тнр),Для каждого материала - своя температура Т . непрерывное измерениедиэлектрического параметрадаетвозможность рассчитать значение диэлектрического параметра начала реакции Мсразу же после полногосмыкания прессформы. Для этого начальное значение диэлектрическогопараметра умножают на коэФфициент Кзависящий от теглофизических характеристик перерабатываемого материалаи температуры начала реакции. Коэффициент К - величина постоянннаядля данного...

Номер патента: 639722

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Бугров, Деев, Масленников, Филатов, Цедилин

МПК: B29C 3/00

Метки: прессования, прессформе, процессом, реактопласта, стеклонаполненного

...и по истечении от этого момента указанного интервала времени отверждения реактопласта размыкают пресс-форму.Блок-схема устройства, реализующего изобретение, показана на чертеже,Способ управления процессом прессования стеклонаполненного реактопласта в пресс-форме осуществляют следующим образом.минающего устройства появляется сигнал, пропорциональный сигналу от термопары 2 То. Нелинейный блок 9 вырабатывает сигнал, соответствующий зависимости=(Т,)1. Для материала АГ/48 эта зависи мость представлена в видейДД TД10где т - интервал времени отвержденияреактонласта; а, б - постоянные коэффп.циенты.С помощью дифференцирующего устрой ства 8 определяют величину производной по времени комплексной диэлектрической проницаемости, сигнал,...