Патенты с меткой «отек»

Номер патента: 255127

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ларкин, Петровичев, Плтг

МПК: C04B 33/30, F26B 3/04

Метки: отек, тьхническдя10б

...и охлажденный теплоноситель из сушильной камеры после омывания им наружной поверхности изделий. жнои мешеителя я срещими избеделий. гм нар ьтате с еплоно оздаетс озволяю ушки и мых из теплоноситель после омывания поверхности изолятора. В резу ния свежего и отработавшего во внутренней полости изделия да с умеренными параметрами, п осуществлять мягкий режим жать растрескивания высушива дмет изобретен олятора 1 теплоноси подают следствие теплоноси подставки ажненный зделии На чещая поПолуфуста новлтель пово внутбольшойтеля изэжектир ртеже показана установка, работаюпредлагаемому способу.абрикат фарфорового изен на подставке 2, Свежийгазоходу 3 через насадокреннюю полость изделия. Вскорости струи свежегокамеры 5 через отверстия...

Номер патента: 298052

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гус, Стахов, Удовиченко

МПК: H03K 3/286

Метки: воссоозная1п1, отек, симметричный, статический, триггер, щ4еская

...трансформаторов зашунтированы диодами 18, 14 таким образодинен с коллектором сзистора, а аноды - смоток.Вторичная обмотка 15 трансформатора 11включена в цепь положительной обратной связи по переменной составляющей транзистора 1, содержащей также диод 16, конденсатор 17, переход база - эмиттер транзистора 10 1 и конденсатор 18. Цепь отрицательной обратной связи транзистора 1 образована второй вторичной обмоткой 19 трансформатора 11, диодом 20, конденсатором 21, переходом база - эмиттер транзистора 1 и конденсато ром 22.Цепь положительной обратной связи по переменной составляющей транзистора 2 образована конденсатором 21, диодом 28, включенным встречно с диодом 20, вторичной обмот кой 24 импульсного трансформатора 12, и замыкается...

Номер патента: 315699

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гордашевский, Государственный, Конструкций, Сахно, Шевельков

МПК: C04B 11/02

Метки: гипсового, измельченного, камнявсесоюзнаплшьзчкн14ее115лк, отек, тепловой

...это тем, что запаривание гип сового камня при давлении 1,2 - 1,6 ати и предварительную сушку с температурой теплоносителя до 160 С производят в одном аппарате, а окончательную сушку - в другом.Сущность способа заключается в следую щем.Запариваниг и предварительную сушку запаренного гипсового камня производчт в одном устройстве, например в автоклаве.После запаривания щебенки до требуемой 20 степени дегидратации, не нарушая герметизации, в том же автоклаве производят и предварительную сушку дегидратированного гипсового материала сухим теплоносителем при температурах не более 160 С. Предварительная 25 сушка необходима для частичного удаления отщепленной от двугидрата воды и стабилизации образовавшейся структуры полуводного...