Патенты с меткой «основекристаллогидрата»

Номер патента: 842094

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Биднюк, Данилин, Долесов, Петренко, Шапошников

МПК: C09K 5/06

Метки: азотнокислого, марганца, основекристаллогидрата, состав, теплоаккумулирующий

...д. 4/5,но содержит кристаллогидрат азотногоцинка при следующем соотношении ингредиентов, вес.Ъ:Кристаллогидратазотнокислого марганца 99,0-99,9Кристаллогидрат азотнокислого цинка 0,1-1,0,Предлагаемый тейлоаккумулирующийсостав на основе кристаллогидратааэотнокислого марганца содержит крис.таллогидрат азотнокислого цинка. Вданном случае он выполняет роль ини Оциатора кристаллизации. При плавлениюкристаллогидрата азотнокислогомарганца 2 о(МОЗ) остается втвердом состоянии и при охлаждении(не более 5 С) кристаллизуется. При 15этом он добавляется один раэ,что исключает необходимость внесения другойзатравки, в связи с чем отпадает необходимость создания дополнительных устройств для введения затравки. щЭФФективность этой добавки, т.е.2 п(МО )2...