Схема совпадений наносекундного диапазона
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 308521
Автор: Железн
Текст
30852 Сова Советски Социалистических РеспубликОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 07.Ч.1969 ( 1344419/26-9) МПК Н 03 с 19 2 аявкис присоединениемПриоритетОпубликовано 01 Коиитет по двлаее иаобрвтвний и открытий при Совете Министров СССР1.1971. Бюллетень2 УДК 621.374.36(088.8 ата опубликования описания 23.И 11.19 8БЙЬАвтор зобретения М, Железняков Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе аявитель АДЕНИЙ НАНОСЕКУНДНОГО ДИАПАЗОНА СХЕМА иод 2 в обраттуннельны й Ю- е ), смещ25 ном направлениванию от входмени Й, этот точто ,+,+пвательно, если30 модуль суммы его срабаты- В момент вреой величины 1 ше 1. Следогвремени й - , тельных токов и и препятствуя ных импульсов, к достигнет так Л будет боль за промежутоквхопных отрица Известна схема совпадений наносекундного диапазона с регулируемым разрешением по длительности импульсов, выполненная на транзисторе и туннельных диодах, содержащая входные и выходные цепи, цепь обратной связи и элемент сложения.Целью иозбретения является увеличение пределов разрешения и повышения быстродействия. Это достигается тем, что элемент сложения устройства образован транзистором и двумя встречно-включенными туннельными диодами. При этом цепочка туннельных диодов подключена между базой и эмиттером транзистора.На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства, где 1 - туннельный диод с током в максимуме 1 и то 1 ком в минимуме 1 П,2 - туннельный диод с током в максимуме 1 и током в минимумег1 пнп д - транзистор типа п-р-п; 4 - переменное сопротивление %; б - сопротивление К, ограничивающее ток через транзистор 3; б - сопротивление Яз; 7 - сопротивление Я,; 8 - индуктивность и 9 - емкость.Схема работает от импульсов отрицательной полярности любой длительности, но стандартной амплитуды.В статическом состоянии схемы туннельный диод 1 включен, а следовательно, включен транзистор 3. Через цепочку туннельных дио.дов 1 и 2 протекает ток ,смещения, который удерживает тупнельный диод 1 во включенном состоянии и смещает туннельный 5 диод 2 в обратном направлении. Чтобы такое состоян е схемы являлось ее единственным устойчивым состоянием, должны выполняться соотношения:Е0ем - ) 1 апр 1 Е - + - )1 где Я=Я, +Юг+Юг Если на любой из входов схемы в момент 15 времени 10 поступит отрицательный импульстока с амплитудой Ж такой, что Лю+ т,м( (1 пн, то туннельный диод 1, выключится, а следовательно, закроется и транзистор 3.Ток в цепи обратной связи 4, б, б, 8, 1 и 2 20 Еначнет увеличиваться по закону т(1) = - (1 -с Составитель А. Мерманкова Тсхрсд А, А, Камышникова Корректор В. И. Жолудейа Редактор Т. Изд.967о делам изобре Москва, Жаказ 2218/3НИИПИ Комитет науп ипография, пр. Сапунова,не превысит величины тем+1, то туннельный диод 2 так и не сработает, Таким образом, 1= 1 т - 1, является разрешающим временем предлагаемой схемы и определяется выражением полагая, что г(1,) = Л, где 1 - можно изменять, изменяя любое из сопротивлений 4 - б в интервале, определяемом выражениемсм + ) р .Е В действительности, разрешающее время схемы несколько больше из-за переходных процессов транзистора 3. Поэтому для получения очень малых разрешающих времен можно исключить из схемы реактивные элементы, используя задержку действия обратной связи за счет переходных процессов в тран 4Езисторе 3. Мертвое время схемы 2 - .ИАналогично работает схема, в которой имеется емкость 9, включенная как указано 5 пунктиром на чертеже. Предмет изобретения Схема совпадений наносекундного диапа 10 зона с регулируемым разрешением по длительности импульсов, выполненная на транзисторе и туннельных диодах, содержащаявходные и выходные цепи, цепь обратной связи и элемент сложения, отличающаяся тем,15 что, с целью увеличения пределов разрешенияи повышения быстродействия, элемент сложения образован упомянутым транзистороми двумя встречно-включенными туннельнымидиодами, причем цепочка туннельных диодов20 подключена между базой и эмиттером транзистора,Тираж 43 Подписноеткрытий при Совете Министров СССРя наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
1344419
В. М. Железн ков Ордена Ленина физико технический институт А. Ф. Иоффе
МПК / Метки
МПК: H03K 19/21
Метки: диапазона, наносекундного, совпадений, схема
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-308521-skhema-sovpadenijj-nanosekundnogo-diapazona.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Схема совпадений наносекундного диапазона</a>
Предыдущий патент: Устройство для обнаружения и измерени максимума сигналавсесоюзнаяйт: нтш1: -п: шйб: 1б л потека
Следующий патент: Пересчетное устройство с предустановкой
Случайный патент: Состав для изоляции поглощающих пластов