Патенты с меткой «леская»

Номер патента: 336778

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Изобретбн

МПК: H03K 3/22

Метки: iibai, ёйшотена, леская, мовшович, тг

...транзистора 2 подсоед 1 гцеца0232 траг 1 зистора 14, у котороГО эз 1 пттер подсоединен к источнику питания через резистор 15, а коллектор - к общей шине через резистор 16. Между коллектором транзистора 14 и :30 источником питания включено диффсренццру20 25 30 35 ющее звено, состоящее из конденсатора 17 и резистора 18, точка соединения которых через диод 19 подключена к коллектору транзистора 1. Между базой транзистора б и источником питания эмиттера транзистора б включен переменный резистор 20.Полярности источников питания эмиттера транзистора б и коллекторов транзисторов 1 и .2 противоположны. База транзистора 1 соединена с клеммой подключения источника измеряемого сигнала 21 (Вх, 1) и через резистор 22 подключена к общей шине,...

Номер патента: 350256

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Федеративна, Христиан

МПК: C07D 251/52

Метки: 1иотека, всесоюзная, леская, мба, сй6

...2-метилтио-изопропиламино- циклопропиламино-триазин; т, пл, 115 - 116 С,Подобным образом, получают следующие соединения,Соединение 2-Метилтио-метиламино - 6 циклопропиламино - Б - триазин2 -Метилтио- этиламиноциклопропиламино -- триазин2-Метилтио,6 - бисциклопропиламино-триазин 2-Метилтио- втор-бутиламино-циклопропила мино Ятриазин2-Метилтиотрет-бутиламино-циклопропиламино - 5 триазин2-Метилтпо-(Р -метоксиэтиламино)-6 - циклопропиламино-триазин2-Метилтио-(7 - метоксипропиламино) -6 - циклопропила мино-три азин2-Этилтио-этиламино - 6-циклопропиламино-триазин 2-Этилтио- изопропиламино 6-циклопропиламино- триазин2-Метилтио- изопропиламино-(1- метилциклопропиламино) -Я-триазин 2-метилтио-этиламино- (1 метилциклопропиламино) -...

Номер патента: 352848

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Люминофоров, Ставропольский

МПК: C01G 53/10

Метки: бибпиогека, иконников, леская, мбаа, патент

...с температурой кипения 50 - 90 С, растворимык в воде и содержаиги: только атомы кислорода, углерода и водорода, например в присутствии ацетона, изопропилового, этилового спиртов и т. д. Это позволяет сократгггь продолжительность процесса до 10 гас (против 40 час по известному способу), повысить степень кристаллизации ДО 99%, а т акжс снизи 1 ь со,1 е 1 жанне .лоридов и железа в готовом продукте. Указанные вещества применяют в количестве, превышающем количество воды в растворе в 1,5 -2 раза.П р и м с р. 50 г никеля (серцок 1 слого, те - иического, марки ПС) растворяют в 100,11 г дистиллированной воды при комнатной температуре с последующей очисткой от механических примесей фильтрацией. Далее к филь- трату при постоянном перемешивании...

Номер патента: 354550

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Книппер, Мирошников

МПК: H03K 5/159

Метки: библи, всесоюзная-л, леская, патт

...выполненные на эмиттерных повторителях 5, б и 7, 8; дифференциальные каскады 9 и 10 и цепи коррекции, состоящие из резисторов 11 - 1 б и конденсаторов 17 - 22, Входы симметричного РС-звена задержки через цепи коррекции соединены со входами дифференциальных каскадов 9 и 10, включенных в эмиттерные цепи эмиттерных повторителей 8 и 4.Работу устройства достаточно рассмотретьтолько по верхней половине принципиальной схемы, так как нижняя симметрична ей. Линейная фазочастотная характеристика звена 10 задержки образуется за счет введения компенсирующего напряжения Умежду мостиками 1 и 2, которое векторно складывается с напряжением У на выходе эмиттерного повторителя 8. Величина этого напряжения Си 15 и его фаза ср,. определяются...