Патенты с меткой «iibai»
Тг•. леская, ёйшотена iibai: м. а. мовшович
Номер патента: 336778
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Изобретбн
МПК: H03K 3/22
Метки: iibai, ёйшотена, леская, мовшович, тг
...транзистора 2 подсоед 1 гцеца0232 траг 1 зистора 14, у котороГО эз 1 пттер подсоединен к источнику питания через резистор 15, а коллектор - к общей шине через резистор 16. Между коллектором транзистора 14 и :30 источником питания включено диффсренццру20 25 30 35 ющее звено, состоящее из конденсатора 17 и резистора 18, точка соединения которых через диод 19 подключена к коллектору транзистора 1. Между базой транзистора б и источником питания эмиттера транзистора б включен переменный резистор 20.Полярности источников питания эмиттера транзистора б и коллекторов транзисторов 1 и .2 противоположны. База транзистора 1 соединена с клеммой подключения источника измеряемого сигнала 21 (Вх, 1) и через резистор 22 подключена к общей шине,...