Патенты с меткой «гг»
Способ демонтажа мостового кранав п т 5-t-flmh ьlt; г. гг-; г5тппv -. ).; , ., .; , •,: •: чл i. il3
Номер патента: 419461
Опубликовано: 15.03.1974
Авторы: Борц, Даниленко, Изобретени, Фридман
МПК: B66C 17/00
Метки: 5-t-flmh, г5тппv, гг, демонтажа, кранав, мостового, ъlt
...путем их предварительной разборки на полумосты на подкрановых путях и выгедения их на поворотные в вертикальной плоскости консоли крана, расположенные вне здани 1.Однако нри использовании известны способов необходимо значитсльное количество дополнительных приспособлений, что приводи. к уВеличеии;0 трудозатрат и услсжн 51 спрс 1;есс демонтажа.С целью упроцения процесса демонтажа предлягястся кждыи пол мОст, ВВ 1 Веденньн и поворотные в всртикальной плоскости консоли, расноложенныс ьнс здания, посредс 1 вом нслиспв 1 с 001 систе.ъ пОВОря 1 иг 1 ь ня кснсо лях до 90 и переводить одновременно в полоКСИРс 011 рссрс,3 е 1 Опускать дс нулевой отмеки. При демонтаже крана предлагсмым способом вначале при помощи полиспаста 5 демснтируОт грузовуо...
Устройство для отбора образцов грунта•. шя cvг л гг.
Номер патента: 421906
Опубликовано: 30.03.1974
Авторы: Голь, Омский, Тришин, Шалыгин
МПК: E02D 1/04, E21B 49/02, G01N 1/04 ...
Метки: гг, грунта, образцов, отбора
...под грунтоприемным стаканом возникает разрежение, которое нарушает естественную структуру грунта - отсасывает влагу, растягивает образец, часто вытягивает образец из стакана до окончания 10 извлечения устройства, уменьшая процент выхода образцов при их отборе. Кроме того, при извлечении устройства из скважины на преодоление усилия, вызванного разрежением, затрачивается дополнительная мощ ность.Цель изобретения - обеспечение возможности сохранения ненарушенной структуры образца грунта и уменьшение усилия его отрыва от забоя. 20Достигается это тем, что грунтопрцемный стакан выполнен с соосно расположенной полой трубкой, жестко закрепленной на его на ружной поверхности. Кроме того, для предохранения полой трубки от забивания грунтом...
Диэлектрик для анектронных элжштовв п т 5 inufi sjisffrrrrtc-t i1ад гг. з: ьл; ей gt; amp;
Номер патента: 433697
Опубликовано: 25.06.1974
Авторы: Иностранец, Иностранна, Мерк
МПК: G02B 1/06, G02F 1/13, H01B 3/18 ...
Метки: i1ад, inufi, l-(+, sjisffrrrrtc-t, анектронных, гг, диэлектрик, элжштовв
...примере 5 онисывается возможное применение нредлаженных веществ.П р и м е р 5. Между двумясветонроницаемыми снабженными контактами проводящими стеклами любого размера наносится тонкая пленка указанных соединении формулы Хили смесей с толщиной слоя 5-20мкм. Если к этой системе прикладывается постоянное напряжение 5 и20 в,то прозрачное нрежде пластинчатое устройство с возрастаниемнапряжения становится ненразрачным. Этот процесс имеет обрати-,мость во всей области температуржидкокристаллической фазы. Галиодно из стекол вместо проводящегоноверхностного слоя снабжено электродным растром,то нри подаче напряжения этот растр становится видимым. Таким образом, показан принцип плоской системы йзображения. 433 февиловый э , 4,4 =дифенилокси=...