Патенты с меткой «i1ад»
Диэлектрик для анектронных элжштовв п т 5 inufi sjisffrrrrtc-t i1ад гг. з: ьл; ей gt; amp;
Номер патента: 433697
Опубликовано: 25.06.1974
Авторы: Иностранец, Иностранна, Мерк
МПК: G02B 1/06, G02F 1/13, H01B 3/18 ...
Метки: i1ад, inufi, l-(+, sjisffrrrrtc-t, анектронных, гг, диэлектрик, элжштовв
...примере 5 онисывается возможное применение нредлаженных веществ.П р и м е р 5. Между двумясветонроницаемыми снабженными контактами проводящими стеклами любого размера наносится тонкая пленка указанных соединении формулы Хили смесей с толщиной слоя 5-20мкм. Если к этой системе прикладывается постоянное напряжение 5 и20 в,то прозрачное нрежде пластинчатое устройство с возрастаниемнапряжения становится ненразрачным. Этот процесс имеет обрати-,мость во всей области температуржидкокристаллической фазы. Галиодно из стекол вместо проводящегоноверхностного слоя снабжено электродным растром,то нри подаче напряжения этот растр становится видимым. Таким образом, показан принцип плоской системы йзображения. 433 февиловый э , 4,4 =дифенилокси=...