Патенты с меткой «анодах»

Устройство для измерения потерь на анодах ламп с водяным охлаждением

Загрузка...

Номер патента: 61175

Опубликовано: 01.01.1942

Автор: Белокур

МПК: G01R 21/02

Метки: анодах, водяным, ламп, охлаждением, потерь

...Такая схема вполне обеспечивает показание рассеиваемой на аноде мощности,61175Действительно, мощность, теряемая на анодах, может быть определена по формулеР, =4,17 Я(12 - 11),где Я - количество воды, протекаемой в единицу времени,1. и 11 - температуры выходящей и входящей воды,Следовательно, если прибор, включенный в мост, будет давать показания, пропорциональные количеству воды, протекающей в единицвремени, и разности температур, то это и будет соответствовать мощности, рассеиваемой на анодах. Что это так, легко убедиться, если написать уравнение для силы тока, протекающего через гальванометр2у Е" 2р (12+2) (11 + 1) + 2 12 Я 11) 1 "1 1 Я 2 Г)1где Ер - сопротивление гальванометра.Приведенное уравнение силы тока...

Способ переработки марганцевого шлама, образующегося на анодах при электроосаждениицинка

Загрузка...

Номер патента: 187303

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Колкер, Тлев

МПК: C22B 11/00, C22B 13/00, C22B 7/00 ...

Метки: анодах, марганцевого, образующегося, переработки, шлама, электроосаждениицинка

...после 4 - 6 часового перемешивания при температуре 60 - 70 С в растворе установилось устойчивое конечное содержание двухвалснтного железа порядка 4 - 5 гул. После этого пульпу подвергают фильтрации, отфильтрованный раствор, содержащий сульфат трехвалентного железа, направляют в выщелачивательный передел цинкового производства, а нерастворимый остаток промыьают водой, отфильтровывают, сушат и плавят при температуре до 700 в 8 С в отдель ном котле под слоем расплавленной каустической соды с сернистым натрием.5 Расход каустической соды составляет 25 -30 % (от веса переплавленного шламового остатка) сернистого натрия - 6 - 7% .Каустическая сода и сернистый натрий восстанавливают окисленный свинец согласно 10 следующей реакции:РЮО 4+2 ИаОН...

Способ измерения остаточного напряжения на анодах ионных и электронных коммутаторов в схемах с резонансным зарядом накопителя

Загрузка...

Номер патента: 528513

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Дворников, Латушкин, Юдин

МПК: G01R 19/04

Метки: анодах, зарядом, ионных, коммутаторов, накопителя, остаточного, резонансным, схемах, электронных

...и моментом появления на аноде коммутаторамаксимальной величины отрицательного напряжения.На чертеже приведены эпюры напряжения,поясняющие предлагаемый способ.В схеме с резонансным зарядом накопителякоммутатора напряжения Уа(Г) и зарядныйток 13(1) эквивалентной емкости накопителяС;а, в пренебрежении затуханиями в контуре (что допустимо) с достаточной точностьюопределяется следующими выражениями(а Р) - Еа (Еа -ост) СОЯ а 1+ 1 з Ра) Р 81 п ао 1Еа - 1 аост1,(1) - " "с 81 п 1+1,(1,) 81 п о 1,РзГ 1,где р=волновое сопротивление конэквтура;1. - индуктивность зарядной цепи;Тн нв= -- частота колебаний зарядноитцепи;Т в пери колебаний заряднойцепи;Уа- остаточное импульсное напряжение на аноде коммутатора в режиме установившейся проводимости;13(1,)...

Способ получения оксидной пленки на анодах электролитических конденсаторов

Загрузка...

Номер патента: 577573

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Корсун, Манченко, Скатков

МПК: H01G 9/04

Метки: анодах, конденсаторов, оксидной, пленки, электролитических

...плотности тока, а затем при постоянном напряжении, причем температура электролита во время формовки при постоянной плотнбсти тока и яостоянном напряжении одинакова 11,Однако применение известного способа не обеспечивает получение достаточно низких зна. чений токов утечки.Цель изобретения - снижение токов утечки конденсаторов.Для этого в способе получения оксидной пленки на анодах электролитических конденсаторов, включающем формовку анодов в проточном электролите при постоянной плотности тока и формовку при постоянном напряжении меньшем по величине,чем конечное значение напря. жения при постоянной плотности тока, формовку при постоянном напряжении проводят в электролите, температура которого на 40 -250 С превышает тпроцессе...