Патенты с меткой «аналого-динамическое»

Номер патента: 519765

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Вишневский, Немировский, Ходак

МПК: G11C 27/00

Метки: аналого-динамическое, запоминающее

...времени задержки элемента 2, сигнал появится ц выходе этого элемента в топке /1 ц переключит триггер управления 17 в противоположное остояцне, в результате чс:о входной формирователь будет закрыг для прохокдения сигнала. Таким образом, ня вход элемента заде;жки 2 через вхо,Но 1 фо 1 мировате 1 ь 1 могут поступать сгналы, дггс,г Ность кэгорях меньше времеПи зяд=ржки т. Если на первый вход входного формирователя 1 воз"," и "тву"т игц" г ""т ".т и превышающей т, д цепи, содержащей элементы задержки 2, 3, аттецюатэр 4, усилитель 5, фоомцру 10 щп 1 каска;1 6, бугст циркулирОВять сть и лсдусмого нспегОди Сскогс сигналя, длительность которой равна Лт.В результте перек,г 1 очецця твцг;сря управления в состояние, црэт 51 вэпо.гож:эе иходцо...

Номер патента: 562005

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Вишневский, Ходак

МПК: G11C 27/00

Метки: аналого-динамическое, запоминающее

...запоминанием сигналов в реальном масштабе времени, что не позволяет считывать запомненный сигнал с помощью низкочастотного осциллографа. Описываемое устройство является развитием известного, защищенного основным авторским свидетельством, и отличается от него тем, что в него введены последовательно соединенные генератор, модулятор и расширитель импульсов, включенные между входом первого элемента задержки и выходом устройства, Это расширяет область применения устройства. Исследуемый однократный или непериодический сигнал после ключей управления 1, поступает в первый элемент задержки 2 и генератор 9, При этом сигнал своим передним фронтом запускает генератор 9, который вырабатывает короткие стробирующпе импульсы с периодом Т,...

Номер патента: 1674265

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Белогорцев, Кондратюк, Лутковский, Скоморощенко

МПК: G11C 21/00

Метки: аналого-динамическое, запоминающее

...10 -10,2 3 Компенсация различия задержек при срабатывании туннельных диодов достигается подстройкой длительности задержки в элементах 25 задержки в каждом из элементов 7 - 9 памяти, В результате взаимодействия циркулирующего в замкнутом контуре элемента памяти импульса с порогом туннельного диода, промодули рова нным СВЧ-сигналом, происходит "подтягивание" импульса к одной из двух устойчивых фаз СВЧ-сигнала. На фиг. 2 это фазы 1 и 2, с которыми совмещается 1-й импульс входного потока, если он поступил на информационный вход элемента памяти в пределах периода АВ синхронизирующего сигнала. Если входной импульс во всех трех элементах памяти поступил в пределах грети (фиг.2) периода 11, то он установится в фазе 1 в каждом иэ трех...