Аналого-динамическое запоминающее устройство

/00 ститу обле ьскиих цев,щенко ССР80,ССР988,ОЕ ЗАПОМИпульсно ретение от может быт я случайны льсов и оп ежду ними ано для за- овательноинтерваловании, Цель 2, с ГОСУДЛРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И.ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР Е ИЗОБРЕ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Авторское свидетельство СР 708420, кл, 6 11 С 21/ОО, 19Авторское свидетельство С(57) Изоб носится ктехнике и ь использо,поминани х послестей импу ределениявремени м при счить изобретения - упрощение устроиства, Аналого-динамическое запоминающее устройство содержит входы 1 начальной установки, разрешения записи 2, информационный 3 и разрешения считывания 4, выход 5, блок б записи, элементы 79 памяти, генератор 10 СВЧ-колебаний, размножитель 11, блок 12 управления, элемент ИЛИ 13, элементы И 14 и 15, одновибратор 16, формирователь 17 импульсов, элемент ИЛИ 18, триггер 19, элемент ИЛИ 20, согласующий элемент на резисторе 21, пороговый элемент на туннельном диоде 22, подстроечный элемент на переменном резисторе 23, формирователь 24 импульсов, элемент 25 задержки и элемент И 26, счетчики 27,28, компаратор 29, элемент 30 задержки, формирователь 31 импульса, элементы ИЛИ 3 33, триггеры 34-36 и элементы И 37 - 39 соответствующими связями. 2 ил,Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для запоминания случайных последовательностей импульсов и апаеделения интервалов времени между ними при считывании.Цель изобретения - упрощение устройства.На фиг. 1 приведена функциональная схема устройства; на фиг, 2 - временная диаграмма его работы.Аналого-динамическое запоминающее устройство содержит входы начальной установки 1, разрешения записи 2, информационный 3 и разрешения считывания 4, выход 5, блок 6 записи. элементы 7 - 9 памяти, генератор 10 СВЧ-колебаний, размножитель 11, блок 12 управления, элемент ИЛИ 13 и элемент И 14.Блок 6 записи содержит элемент И 15, одновибратор 16, формирователь 17 импульсов, элемент ИЛИ 18 и ВЯ-триггер 19.Каждый из элеметов 7 - 9 памяти содержит элемент ИЛИ 20, согласующий элемент на резисторе 21, пороговый элемент на туннельном диоде 22, подстроечный элемент на переменном резисторе 23, формирователь 24 импульсов, элемент 25 задержки и элемент И 26,Блок 12 управления содержит счетчики 27, 28, цифровой компаратор 29. элемент 30 задержки, формирователь 31 импульса, элементы ИЛИ 32 - 33, ВЯ-триггеры 34 - 36 и элементы И 37-39.Устройство работает следующим образом.Работа устройства начинается с приведением его в исходное состояние импульсам логической "1", поступающим на вход 1 начальной установки, По переднему фронту этого импульса происходит сброс в нулевое состояние триггера 19 в блоке 6 записи, а также триггеров 34 - 36 и счетчика 27 в блоке 12 управления, После появления импульса начальной установки на выходе элемента 30 задержки через время 1 з, которое выбирается большим периода.Т 0 циркуляции импульсов в элементах 7-9 памяти, происходит сброс счетчика 28 в нулевое состояние и установка в "1" триггеров 34, 36. В результате сформированный на выходе триггера 34 импульс поступает с блока 12 управления на входы блокировки элементов 7 - 9 памяти, вызывая появление логического нуля на выходе элемента И 26 в каждом элементе памяти и срыв циркуляции в этих элементах записанных ранее импульсов.Цикл записи потока импульсов в запоминающее устройство начинается с момента поступления на вход 2 разрешения записи короткого импульса, который уста 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 навливает три гер 19 в состояние "1". После появления на информационном входе 3 первого иэ записываемых импульсов срабатывает одновибратор 16, который формулирует импульс длительностью, меньшей периода циркуляции Т, по заднему фронту которого триггер 19 возвращается в нулевое состояние, За время нахождения триггера 19 в единичном состоянии импульсы, поступившие на вход 3, проходят через элемент И 15 и записываются в элементы 7 - 9 памяти, а их число запоминается на счетчике 27 в блоке 12 управления. Особенностью записи является то, что на синхронизирующие входы элементов 7-9 памяти непрерывно подается синусоидальный СВЧ-сигнэл высокой стабильности от генератора 10, который осуществляет модуляцию уровней порогов туннепьных диодов 22 с периодом Тсвч и амплитудой модуляции Асвч (фиг. 2). Исходные уровни порогов в элементах 7 - 9 памяти Е 7, Е 8 и Е 9 устанавливаются с помощью переменных резисторов 23 так, чтобы в отсутствие СВЧ-модуляции при одновременном поступлении импульса нэ информационный вход элементов памяти момент переключения туннельного диода каждого последующего элемента памяти задерживался по отношению к предыдущему на время Тсвч/М, где й - число элементов памяти (й = 3, для устройства на фиг. 1). Периоды циркуляции импульсов в элементах 7 - 9 памяти выбираются равными и кратными периоду Тсвч:Т 7 = Т 8 = Т 9 = То = иТСВЧ,где п - целое число в диапазоне 10 -10,2 3 Компенсация различия задержек при срабатывании туннельных диодов достигается подстройкой длительности задержки в элементах 25 задержки в каждом из элементов 7 - 9 памяти, В результате взаимодействия циркулирующего в замкнутом контуре элемента памяти импульса с порогом туннельного диода, промодули рова нным СВЧ-сигналом, происходит "подтягивание" импульса к одной из двух устойчивых фаз СВЧ-сигнала. На фиг. 2 это фазы 1 и 2, с которыми совмещается 1-й импульс входного потока, если он поступил на информационный вход элемента памяти в пределах периода АВ синхронизирующего сигнала. Если входной импульс во всех трех элементах памяти поступил в пределах грети (фиг.2) периода 11, то он установится в фазе 1 в каждом иэ трех злементоэ 7 - 9 памяти, если в пределах трети периода 12. то в элементах 7, 8 памяти - в фазе 1, а в элементе 9 памяти - в фазе 2, И, наконец, если 1-й импульс поступил в пределах трети периодаз, то в элементе 7 памяти он установится вфазе 1, а в элементах 8, 9 - в фазе 2,В режиме хранения каждый импульс,записанный в элементах 7-9 памяти, жесткосвязан с соответствующим периодом СВЧколебаний. При этом отклонение импульсаот фазы синхронизации(фазы 1 или 2 на фиг.2), вызванное воздействием случайных факторов, компенсируется нз последующих периодах циркуляции за счет "подтягивания" 10импульса к фазе синхронизации, чем обеспечинается помехоустойчивость устройства.В режиме хранения 1-му импульсу входного потока соответствует повторяющаяся 15с периодом То пачка из трех разделенных1интервалами - Тсвч импульсов, каждый изЙкоторых снимается с выхода соответствую-.щего элемента памяти. Место в пачке импульса, снимаемого с выхода конкретногоэлемента 7-9 памяти, зависит от того. в какой трети периода 11, 12 или 1 з поступил 1-йимпульс на вход элементов памяти при за писи. Если импульс поступил в пределах 25трети периода 1 (2 или 1 з), то первым, вторым и третьим в пачке будут импульсы свыходов соответственно элементов 9, 8 и 7памяти (8, 7 и 9 или 7, 9 и 8). Так как длительность импульсов на выходах элементов памяти ( 5 нс) в несколько раз превосходитпериод Тсвч Тсвч1 нс), то импульсыпачки практически полностью перекрываются во времени. В результате на выходеэлемента ИЛИ 13 по каждой пачке формируется один широкий импульс, отвечающий1-му импульсу входного потока, Временныеинтервалы между импульсами на выходеэлемента ИЛИ 13 совпадают с исходнымиинтервалами между соответствующими 40импульсами входного потока с точностью1фТсвч (где М = 3 для устройства нафиг. 1).Цикл считывания начинается подачей 45на вход 4 разрешения считывания импульса, устанавливающего триггер 35 в состояние "1". В момент, когда в счетчике 28устанавливается то же значение, что и всчетчике 27, хранящем код числа запомненных импульсов, нз выходе компаратора 29формируется сигнал "1", запускающий формирователь 31, по импульсу которого обнуляется, счетчик 28, а триггеры 35 и Зб .устанавливаются в состояние "0", Сигнал 55"1" с инверсного выхода триггера Зб поступает на второй вход элемента И 14, разрешая прохождение на выход устройства хранящейся серии с первого до последнего . импульса. Цикл считывания может быгь повторен требуемое число рзз, Затем устройство перснодится н исходное состояние,Формула изобретения Аналого-динамическое запоминающее устройство, содержащее блок записи, входы начальной установки и разрешения записи ксторого являются входами начальной установки и разрешения записи устройства, информационный вход блока записи является информационным входом устройства, генератор СБЧ-колебаний, ныход которого соединен с входами синхронизации элементов памяти, каждый из которых содержит элемент ИЛИ, первый вход которого является информационным входом элемента памяти, соглзсующимй элемент на резисторе, один вывод которого соединен с выходом элемента ИЛИ, другой нынад согласующего элемента соединен с входом формирователя импульсов, выход которого соединен с элементом задержки, выход которого соединен с первым входом элемента И, второй вход которого является входом блокировки элемента памяти, выход элемента И соединен с вторым входом элемента ИЛИ и является выходом элемента памяти, пороговый элемент нз туннельном диоде. анод которого соединен с входом формирователя импульсон, одним выводом переменного резистора и является входом синхронизации элемента памяти, катод туннельного диода соединен с первой шиной источника питания, второй вывод пеоеменного резистора соединен с второй шиой источника питания, вход начальной установки блока управления соединен с входом начальной установки блока записи, первый выход блока управления соединен с входами блокировки всех элементов памяти, вход оззрешения считывания блока управления является одноименным входом устройства, первый вход синхронизации блока управления соединен с выходом блока записи и с информационными входами всех элементов памяти, второй вход синхронизации блока управления соединен с выходом первого элемента памяти, о т л и ч з ю щ е е с я тем, чго, с целью угрощения устройства, н него введены элемент И и элемент ИЛИ, каждый вход которого соединен с выходом соответствующего элемента памяти, выход элемента ИЛИ соединен с первым входом второго элемента И, второй вход которого соединен с вторым выходом блока управления, выход элемента И является выходом устройствз,оизводственно-издательский комбинат "Пате ород, ул,Гагарина, 101 ВХОд РМиРОбатЕ Элемента паожпи 8ВхОд Ро/жиродамею ял еюенгпа пагода 9аказ 2930 Тираж 323 ВНИИПИ Государственного комитета по изо 113035, Москва, Ж, РаПодписноеетениям и открытиям при ГКНТская наб 4/5