Патенты с меткой «204711»

Номер патента: 204711

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Арнит, Вычислительной, Институт, Эрглис

МПК: H03K 19/20

Метки: 204711

...уровней управляющего напряжения легко обеспечить, чтобы транзистор 3 был при этом закрыт. Подаваемый на вход импульс повы.шает потенциал эмиттеров, Но так как открытый транзистор 2 включен по отношению к входному импульсу по схеме с общей ба зой, то его входное сопротивление весьманебольшое и транзистор сильно шунтирует импульс, Это шунтирование дополнительно затрудняет появление помехи на выходе 7 при 1 на входе 1.15 Если же на входе 1 менее отрицательныйпотенциал Ео(0), то транзистор 2 заперт отрицательной разностью потенциалов между эмиттером и базой, а транзистор 3 заперт потому, что на его базе и эмиттере потенциалы 2 о одинаковые. Если при этом на вход 4 поступает входной импульс, потенциал эмиттеров повышается и транзистор 3...