Способ фототермической записи информации

СО 1 ОЗ ЩР, СКИчСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК А 1)5 С 11 В 7/О С 13 О ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИА ВЧОРСЫОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(2) 31 (22) 07 (46) 15 (71) Ин энерг 72) В. .А. Ан 53) 68 56) Св енко В.Ю.,И,А, ОптиКагановческая окл. лемам рт. 1, 1 Изоб тся к техникеиспользованием евого воздействи ение отно Формациигнитного запи ектзом предна использования вке, в аппаратуре начено дл льной тех числи и и других системах информации, а онике в производст вукозапис обработк хранения также в роэле ве микрос Цель и.1 прещего п я - повышение налов перезаписи.лен фрагмент реия носителя индежностиНа фигистрируюформациифиг. 2 -етной записью; нас аналоговой записью;ер реализации носитеогласно изобретению; с дискрто же,на Фиг. ля инфо на фиг,В реж ациии с то же ме эапидругои пример.и согласно способуо заряжают нанесенную номе сначал ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР 4136/1002,8802.91. Бюл. У 6титут проблем моделированиятике АН УССРПетров, Д.А. Гринько,онов и А.А. Крючин(57) Изобретение позволяет повыситьнадежность записи и число циклов переза: си. Поверхность регистрирующегопокрытия перед записью заряжают, энергетическое зоздействие электромагнитным лучом на регистрирующее покрытиепри записи осуществляют с эие 1 гией,большей энергии размягчения регистрирующего покрытия, но меньшей энергиииспарения регистрирующего покрытия,а перед хранением или стиранием информации регистрирующее покрытие разряжают. 1 э.п, ф-лы, 4 ил. на подложку тонкую пленку регистрирующей среди, материал которой может бытькак полупроводниковым, так и диэлект- раейриком. Для образования заряда на го- фверхности пленки можно испольэоватьтермоэлектронную эмиссию, корроэионный разряд, высокочастотный разряди т,п. За счет образования поверхностного и объемного заряда регистрирующего покрытия уменьшается поверхностная энергия пленки, которая можетстать даже отрицательной, а также возрастает плотность микродефектов - зародышей лунок. Однако неустойчивости регистрирующей среды разовьются в Ъв двухуровневый по глубине лункообраэный рельеф только в области, гдев последующем будет расплавлена лазерным излучением, При этом могутбыть реализованы различные вариантымеханизмов записи информации. При Пискретиой записи (фиг.1 поо воздействием сигналов записи луч лазера может модифицироваться по интецсивцос 5 ти, по площади поперечного сечения, по траектории и иным образом, При аналоговой записи фиг,2) луч лазера может модулцроваться, например, по своей ширине в направлении, перпендикулярном оси информационной дорожки, При этом в любом варианте записи информации цет необходимости производить разогрев пленки до температуры, существенно превышающей температуру ее планпения, так как процесс лункообразования из-за значительного уменьшения поверхностной энергии протекает намного интенсивнее, Это позволяет цспольды, можно в широких пределах регулировать ее чувствительность: повышатьв режиме записи и понижать в режимехранения информации. Изменение чувствительности регистрирующей среды приэтом происходит в результате изменения поверхностной энергии ц плотности микродефектов - затвердевшей лун-ки40 В режиме стирания информации с целью обеспечения высокой смачиваемости подложки регистрирующей средой ее предварительно полностью разряжают. А затем оказывают соответствующее энергетическое воздействие. Так, при полном стирании всей записанной информации носитель можно нагреть, подвергнуть интенсивному световому облучению и т.д. При локальном стира 50 зовать для записи лазерцде излучение пониженной интенсивности, а также практически не производить необратимую деструкцию пленки регистрирующей среды, соответственно увеличив цикличность процессов, Составляющая поверх ностной энергии, определяемая зарядом пленки, может при этом иметь значительную величину, что позволяет использовать пленки регистрирующей среды, хорошо смачиваюшие подложку в расплавленном состоянии и имеющие высокую адгезию к подложке в твердом состоянии, Поэтому в режиме хранения информации, в котором пленка регистрирующей среды разряжена, возрастает35 устойчивость носителя к различного рода стирающим воздействиям. Поэтому, изменяя величину заряда на поверхности тонкой пленки регистрирующей среции информации транспортировать необходимое коЛичество энергии ца заданный участок регистрирующего покрытия носителя можно при помощи расфокусированного лазерного луча.Согласно фиг.3 носитель информации состоит из кварцевого цилиндра 1, на внутреннюю поверхность которого нанесена пленка регистрирующей среды 2 (например, халькогенидного стекла, Ла Бе ). На вцешцюю поверХность цилиндра 1 нанесена прозрачцая проводящая пленка 3 (например, 1 п 0 ). Вдоль оси цилиндра ца кварцевых крышках изолятора 4 в натянутом состоянии закреплен центральный электрод 5 (например, вольФрамовая проволока), В кварцевых крышках 4 закреплены один либо два токовода 6 для центрального электрода 5В одной цз кварцевых крышек 4 имеется отпаиваемая трубка 7 дця откачки из цилиндра 1 воздуха и заполнения при необходимости его внутренней полости 8 инертным газом, ,гля эапцсц информации используетсл лазерный пуч 9, Ьокусируемый на регистрирующее покрытие 2 объективом 10, Необходимая для коронного разряда энакоцостояццая разность потенциалов подается ца клеммы 1 ц 12, далее с них через пружинный контакт 13 подается ца проводящее прозрачное покрытие 3, а через контакт 14 и токовод 6 - на коронирующий центральный эл ктрод 5.Второй вариант реализации носителя информации согласно фиг,4 отличается от первого тем, что кьарцевый цилиндр 1 установлен в неподвижную защитную разборную капсулу, сострящую иэ двух полых цилиндров 16 ц 17. Цилиндр 1 внутри капсулы вращается на шарикоподшипниках 18. Для подвода к регистрирующему покрытию 2 лазерного луча 9 в боковой стенке капсулы предусмотрена прозрачная щель 19, параллельная оси цилиндрического носи теля информации. В данной реализации носителя инФормации для заряда регистрирующего покрытия 2 может использоваться термоэлектронная эмиссия, В этом случае на клеммы 11 и 15 подается соответствующая разность потенциалов, а внутренняя полость 8 ци" линдра 1 вакуумирована. При подаче ца клемму 18 высокого положительного относительно клемм 11 и 15 потенциала электроны оседают на поверхность5 16280826истрирующего покрытия и заряжают ния информации повт рего,Для обеспечения воэможности ким воздействием, о т л и ч а ю ш и ираэряда регистрирующего покрытия 2 с я тем, что, с целью повышения иапосле отключения клемм 11, 12 и 155деаности и числа циклов переэагиси от источников питания в качестве ре- информации, поверхность егистрируюгистрирующей среды следует испольэо- щего покрытия пврвд записью э рявкают, вать полупроводники, энергетическое воздействие электромагнитным лучом на регистрирующее Ф о р м у л а и з о 6 р е т е н и я 10 покрытие при записи осуществляют сэнергией, большей энергии размягче 1, Способ ототермической записи ния регистрирующего покрытия, но мень- информации путем энергетического шей энергии испарения регистрирующего воздействия на регистрирующее покры- покрытия, а перед хранением или ститие, способное растекаться по подлож раннем информгциии регистрирующее поке в размягченном состоянии, идулиро-крытие разряжают.ванным электромагнитным лучом, соз, Способ ;о г. 1, о т л и ч а юдающим на ре".истрируюшем покрытии ин- щ и ия тем, чтв качестве мате- форм",циониые дорожки в виде двухуро;.- риала регистрирующего покрытия испольиевого п глубине рельефа, и стира эован ипрозрачный ди лектрик.Составитель В. Сергеедактор М, Келемеш Техред Л,Олийнык орректор С. Черн акаэ 342 Тираж 342 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственнс-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 10