Многоустойчивый элемент памяти

(1 Ю (И) ГОСУДЮ СТВЕННЫй НОМИТЕТ СССРпо делАм иЗОБРетений и ОтнрытЖОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 4(51) С 11 С 11/00(71) Специальное конструкторскоебюро пишущих машин(56) 1. Горбатов В.А., Останков Б.Л.,Фролов С,АРегулярные структурыавтоматного управления. М "Машиностроение", 1980, с. 158-171,2. Авторское свидетельство СССРВ 942143, кл. С 11 С 11/00, 1980(54)(57) МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТПАМЯТИ, содержащий десять элементовИ-НЕ, причем выход д-го элементаИ-НЕ (1. = 1, 2.10) соединенс входами (1+4), (1+5), (+6)-гоэлементов И-НЕ и является соответствующим выходом первой группы выходовмногоустойчивого элемента памяти,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью расширения функциональныхвозможностей многоустойчивого элемента памяти за счет выполнения функцийпреобразования кодов, выход д-го элемента И-НЕ является (Зд)-м выходомвторой группы выходов многоустойчиво-го элемента памяти, Ф4 1140Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к элементам памятииспользуемым в различно-,го рода преобразователях кодов и уп равляющих автоматах с целью оптимизации функций переходов и выходовпоследних.Известен четырехфаэный многоустойчивый элемент памяти с десятьювыходами Г 13.Если в этом элементе шаг Б = 1,то выход в нем д-го элемента И-НЕ,где ь = 1, 2, , 10, должен бытьсоединен с входами (ъ+4), (5)и (1+6)-го элементов. Если требуется15получить дополнительно выходы с другим шагом, т.е. расширить функцииэлемента, то необходим шифратор, состоящий из десяти логических элементов, каждый из которых должен иметьгоне менее трех входов, что являетсянедостатком элемента,Известен многоустойчивый элементпамяти с десятью выходами, содержащий пятифазный элемент памяти с шагомБ1 и одиннадцатью выходами Г 23.Если в данном элементе памятитребуется получить еще десять кодовс другим шагом, то необходимо ввестидополнительно десять элементов ИЛИ(ИЛИ-НЕ) для дешифратора и кажлый од 30нофаэный выход дешифратора преобразовать в выход с требуемой фазностьюф и шагом Б, И в этом случае расширение функциональных возможностейэлемента памяти приводит к его услож нению и снижению его надежности.Цель изобретения - расширениефункциональных воэможностей иногоустойчивого элемента памяти эа счетвыполнения функций преобразования коОдов.Поставленная цель достигаетсятем, что в многоустойчивом элементепамяти, содержащем десять элементовИ-НЕ, причем выход 1-го элемента 45И-НЕ ( 1, 2, , 10) соединенс входами 6+4), (д+5) и (1.+6)-гоэлементов И-НЕ и является соответствующим выходом первой группы выходовмногоустойчивого элемента памяти, 5 Овыход -го элемента И-НЕ является(Зх)-м выходом второй группы выходов многоустойчивого элемента памяти.На чертеже схематически представлен многоустойчивый элемент памяти 55на десять состояний, позволяющий вкаждом состоянии формирователь два.различных кода состояния. 1682Многоустойчнвый элемент памяти содержит элементы ИНЕ 1-10, выходы 11-20 первой группы (коды с шагом Б=1 и фазностью ф = 4), выходы 21-30 второй группы (Б = 3, ф = 4). Соответствие кодов приведено в табл. 1,Элементы И-НЕ 1-10 образуют четырехфазный элемент памяти на десять состояний. Коды его состояний с шагом Б = 1 формируются на выходах первой группы с 11-го и по 20-й и соответствуют левой половине таблицы. Вторая группа выходов представляет собой десять выходов, таким образом что на них формируются коды с той же фазностью ф = 4, но с шагом Б = 3. Это очевидно из сопоставления каждого кода выходов первой группы с каждым кодом выходов второй группы. Каждая последующая строка кодов выходов первой и второй группы отличается от предыдущей строки кодов расположением одного нуля (три нуля совпадают), Такая последовательность кодов позволяет менять состояния памяти с наименьшими затратами - подачей установочного сигнала на вход только одного элемента И-НЕ (на чертеже установочные входы условно не показаны)НепОсредственной проверкой легко убедиться, что если на выходах второй группы необходимо получить последовательность кодов, в которой каждая следующая строка отличается от предыдущей сдвигом нулей и единиц вправо на один розряд, необходимо коды состояний многоустойчивого элемента памяти изменить так, как показано в табл 2.Перекоммутация выходов многоустойчивого многофазного элемента памяти с шагом кодов Б1 в другой шаг при четном числе выходов этогоэлемента памяти Р возможно толькодля таких значений Б, при которых наибольший общий делитель Б и Р равен единице, т.е. когда Б и Р - взаимно простые числа. Это утверждение можно доказать при помощи теориичисел. Так для Р = 10 можно получитьшаг Я1 и Б = 3, так как в пределах до 10 все остальные числа имеют с 1 О общий делитель больший, чем единица,Предложенный многоустойчивый элемент памяти для получения кодов с шагом Я = 1 и Б = 3 не требует дополнительных затрат логических элементови по сравнению с прототипом содержит,как минимум, на двадцать логическихэлементов меньше.1140168 Составитель А, ДерюгРедактор Л. Алексеенко Техред С,Мигунова орректор ПодписноСР т", г. Ужгород, ул. Проектная,4 ППП Заказ 266/40 Тираж ВНИИПИ Государствен по делам изобрете 113035Москва, Ж, 584ого комитетаий и открытийаушская наб.