Способ дефектометрии в высокочастотном электрическом поле

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет оо делим изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Н. Н. Зацепин и В, В. Кожаринов ЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛ 5 Выс око- имков, заонирование нь, помещен- и Аотомавляется а Изобретение относится к исследованию физических свойств материалов и изделий и может быть использовано квк средство нервзрушвюших методов контроля.Известен способ получениячастотных фотографических снключвюшийся в том, что эксппроизводят через тонкую тканую между объектом съемкитериалом,Однако этот способ не позволяет определять такие геометрические параметры поверхностных трещин, как ширина и глубина по имеющимся негативным изображениям, Кроме того, на изображение поверхности накладывается отпечаток структуры ткани. Это обстоятельство ограничивает область применения высокочастотной фотографии и информативность негативных изображений, в также снижает точность контроля.Известны также способы дефектометрии обьектов в электрическом высоко 2частотном поле, звключвюшиеся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и воздействуют нв него магнитным полем, направленным нормально к исследуемой поверхности, и по приращению напряженности магнитного поля, фиксирующего передний и задний план дефекта, определяют глубину дефекта ( 11Недостатком таких способов я то, что при определении глубинй дефектнеобходимо настраиваться на каждый дефект в отдельности и самоизмерение приходится проводить лишь непосредственно на обьекте контроля, а не на негативе, что значительно снижает как производительность контроля, твк и его информативность, Недостатком таких способов является также требование помещения объекта контроля в регулируемое магнитное поле, твк квк это требование вызызвает как технические затруднения в случае большой протяженности, объекта контроля, так и технологические3. 060614 ф затруднения, когда наложение магнит- та или его негатив обрабатывают нв ного поля по тем или иным причинам микрофотометре 4 следующим образом, противопоказано. Для замера ширины деФекта луч миироНаиболее близким к изобретению яв- фотометра перемещают поперек дефекта ляется способ дефектометрии в высоко=. - , 5 при максимально (для большей точности) частотном энергетическом поле, заключа- возможно , измерительной щеюшийся в воздействии на обьект контро- ли микрофотометра и по расстащию - .- ля высокочастотным разрядом, измере- между имеющимися максимумами интеннии интенсивности получения с объекта сивности излучения В (фиг. 2) судят и сравнении интегральной интенсивности 1 О о ширине дефекта. Затем измеряют излучения на дефектной и бездефектной площадь под полученной кривой междуповерхностях Ж , максимумами, получая таким образом:Недостатком известного способа яв- значение интегральной интенсивности ляется невозможность строгого опреде- излучения Э., дефекта, проводят подобный ления геометрических параметров отдель замер на бездефектной части поверхносных,дефектов, ти при такой же ширине измерительнойЦель изобретения - определение гео- щели, получая значения интегральной метрических размеров дефекта. интенсивности излучения Э бездефектнойОЭтв цель достигается тем, что, сог- поверхности, и по разности этих значеласно способу дефектометрии в высоконий Э- Эо, введенной в устройство 5 частотном электрическом поле, заключающемуся в воздействии на объект контроля высокочастотным разрядом, измерении интенсивности излучения с обьектеи сравнении интегральной интенсивностиизлучения нв дефектной и бездефектнойповерхностях, производят измерение ло-,кальной интенсивности излучения, определяют расстояние между соседними максимальными значениями локальной инсРавнения определяют глубину дефекта. В случае необходимости дальнейшего повышения точности при определении глубины дефектов, длина которых знаЧительно больше возможной ширины раскрытия измерительной щели микрофото- метра, замер интегральной инстенсивности излучения Э., необходимо проводить вдоль дефекта по всей его длине.На фиг, 3 показана экспериментально тенсивности излучения, по которому су- полученная с помощью предлагаемогодят о ширине или длине дефекта, в срав- способа зависимость разности интеграль пение интегральной интенсивности излу- ной интенсивности излучения от глубины чения на дефектной и бездефектной по- дефекта при постоянной его ширине. верхности производят на участках протя- Использование изобоетения позволяет35,женностью, соответствующей расстояниюзначительно расширить функциональные возмежду максимальными значениями локаль- можности данного метода до определения таной интенсивности, и по разности интег-, кихгеометрическихпараметровдефектов,квк .Ральных интенсивностей судят о глубине ширина и глубина на объектах с криво- дефекта, линейной поверхностью или там, гдевизуальное наблюдение по техническимНа фиг. 1 представлена схема уст- или технологическим причинам невозможройства,. Реализующего предлагаемый но, а получение негативных изображений способ; на фиг. 2 - изменение локаль- допускается, Работа с негативами спиной интенсивности излучения по ширине жает время вредного воздействия излу 45дефектанв фиг. 3 - изменение разнос- чения нв исследователей и открывает ти интегральной интенсивности .в зависи- возможность хранения в негативах и даль- мости от глубины дефекта. нейшего исчользования информации неУстройство содержит электрод 1 в Риде только об очертании, но и рельефе исразрядной обкладки, обьект 2, регистри-следуемой поверхности. рующий экран 3, микрофотометр 4, устройство 5 сравнения, высокочастотныйгенератор и блок питания (не показаны). ф о р м ул а и з о б р е т е н и яСпособ осуществляется следующимобразом.Возбуждают высокочастотный разрядмежду электродом 1 с обьектом 2 и.Регистрируюшим экраном 3 и возни- - кающее изображение поверхности объекСпособ дефектометрии в высокочастотном электрическом поле, заключающийся в воздействии на обьект контроля высокочастотным разрядом, измерении интенсивности излучения с объекта и сравнении5 9 интегральной интенсивности излучения на дефектной и бездефектной поверхностях, отличаюши йсятем, что, с целью определения геометрических . размеров дефекта, производят измерение локальной интенсивности излучения, определяют расстояние между соседними максимальными значениями локальной интенсивности излучения, по которому судят о ширине или длине дефекта, а сражение интегральной интенсивности излучения на .дефектной и бездефектной поверхностях производят на участках 60614 6протяженностью, соответствующей расстоянию между максимальными значениями локальной интенсивности, и по разности интегральных интенсивностей судят о глубине дефекта. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 10 М 845074, кп. С,011 Ч 27/62, 1979,2, Авторское свидетельство СССР667943, кл, С 03 В 41/00, 1978