Аналоговое запоминающее устройство

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик п 11 943849(И 1 М. Кл. с присоединением заявки Мо 0 11 С 27/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийОпубликовано 150782. Бюллетень М 26 Дата опубликования описания 15.07.82(54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНИОЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в аналого-цифровых преобразователях.Известно аналоговое запоминающее устройство замкнутого типа, содержащееоперационный усилитель, ключ, накопительный элемент, например конденсатор, и повторитель напряжения 1).Обладая высокой статической точностью, устройство имеет невысокое быстродействие.Известно также аналоговое Запоминающее устройство разомкнутого ти.па, содержащее входной буферный усилитель, ключ на полевом транзисторе, накопительный элемент, например конденсатор, и выходной буферный усилитель2).Известное устройство имеет более высокое быстродействие, однако наличие существенных паразитных емкостей в ключевом элементе снижает точ:ность работы устройства.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является аналоговое запоминающее устройство, содержащее первый и второй буферные усилители, накопительные элементы например конденсаторы, ключи, выпол-ненные по мостовой диодной схеме,входной и выходной коммутаторы,каждый из которых выполнен на первоми втором транзисторах одного типапроводимости, третьем и четвертомтранзисторах другого типа проводимости и двух стабилитронах 13.Недостатком известного аналогового запоминающего устройства является невысокая точность работы.Целью изобретения является повышение точности работы аналоговогозапоминающего устройства.15 для достижения указанной цели ваналоговое устройство, содержащеепервый и второй буферные усилители, входы которых соединены соответственно с накопительными эле ментами, например с одними из обкладок конденсаторов, другие обкладки которых подключены к шине нулевого потенциала, ключи, выполненныепо мостовой диодной схеме, причем к 25 первым диагоналям первого и второгоключей подключены соответственновход первого буферного усилителяи первый вход устройства, вход второго буферного усилителя и второй 30 вход устройства, входной и выход 943849ной коммутаторы, каждый из которых выполнен на первом и второмтранзисторах одного типа проводимости, третьем и четвертом транзисторах другого типа проводимости идвух стабилитронах, катоды которыхподключены к коллекторам первогои второго транзисторов, а аноды -к коллекторам третьего и четвертого транзисторов, ко второй диаго.нали первого ключа подключены катод 1первого и анод второго стабилитронов входного коммутатора, к первымдиагоналям третьего и четвертогоключей подключены выходы буферныхусилителей и выход устройства, квторой диагонали третьего ключа подключен катод первого и анод второгостабилитронов выходного коммутатора,а анод первого и катод второго стабилитронов подключены к второй диагонали четвертого ключа, эмиттерытранзисторов коммутаторов соединены с шинами питания, базы транзисторов подключены к шинам управления,введены дополнительный коммутаторИ элементы с йелинейной характеристикой, например диоды, анод первогоиз которых соединен с анодом первого стабилитрона входного коммутатора, катод первого диода подключенк выходу первого буферного усилителя и аноду второго диода, катодкоторого соединен с катодом второгостабилитрона входного коммутатора,анод третьего диода соединен санодом второго стабилитрона дополнительного коммутатора, катод третьего диода подключен к выходу второго буферного усилителя и к анодучетвертого диода, катод которогосоединен с катодом первого стабилитрона дополнительного коммутатора, аноды третьего и четвертого диодов второго ключа соединены с анодом первого стабилитрона дополнительного ком"мутатора, катбды первого и третьего диодов второго ключа соединены скатодом второго стабилитрона дополнительного коммутатора, базы транзисторов которого подключены к шинамуправления, а эмиттеры - к шинам питания,На чертеже представлена принципиальная схема аналогового запоминающего устройства,Аналоговое запоминающее устройство содержит первый и второй буфер-ные усилители 1 и 2, накопительныеэлементы, например конденсаторы 3и 4, ключи 5-8, выполненные по мостовой схеме на. диодах 9-12, вход"ные и выходной коммутаторы 13-15,каждый из которых выполнен на первоми втором транзисторах 16 и 17 од-,ного типа проводимости, третьеми четвертом транзисторах 18 и 19 другого типапроводимости и двухстабилитронах 20 и 21, элементы снелинейной характеристикой, напри"мер диоды 22-25Аналоговое запоминающее устройство работает следующим образом.При подаче управляющих сигналов0 с Ои П.с Суп открываются первый и четвертый транзисторы 16 и 19, входных коммутаторов 13 0 и 14 и второй и третий транзисторы17 и 18 выходного коммутатора 15.В результате обеспечивается открытое состояние первого и второго диодов 22 и 23 и закрытое - третьего 5 и четвертого диодов 24 и 25, а такжезамкнутое состояние второго и третьего ключей б и 7 и разомкнутое -первого и четвертого ключей 5 и 8.Следовательно, на конденсаторе 4повторяется напряжение Уз , поступающее на второй вход устройства, ана выход устройства через буферныйусилитель 1 и ключ 7 поступает напряжение с конденсатора 3, уровенькоторого соответствует значениюсигнала на первом входе устройстваП в момент подачи указанныхуправляющих сигналов. Напряжение свыхода буферного усилителя 1 подается также через диоды 22 и 23 на,входной коммутатор 13 для фиксацииуровней напряжений запирания диодов9 и 11 первого ключа 5.При подаче управляющих сигналовдругой фазы, т,е. когда 13 упр Опри 0бд, открываются второйи третий транзисторы 17 и 18 входных коммутаторов 13 и 14 и первыйи четвертый транзисторы 16 и 19 выходного коммутатора 15. В результате 40 обеспечивается закрытое состояниедиодов 22 и 23 и открытое - диодов24 и 25, а также разомкнутое состояние второго и третьего ключей би 7 и замкнутое - первого и четвер того ключей 5 и 8. В этом случаена конденсаторе 3 повторяется напряжение 08 х, поступающее на первый вход устройства, а на выходустройства через буферный усилитель 50 2 и ключ 8 поступает напряжение сконденсатора 4, уровень .которого соответствует значению сигнала на втором входе устройства в момент изменения фазы управляющих сигналов.55Напряжение с выхода буферного усилителя 2 подается также через диоды24 и 25 на входной коммутатор 14 дляФиксации уровней напряжений запира 1 ния диодов 9 и 11 второго ключа б.Иэ сказанного следует, что при.равенстве (с заданной точностью) напряжений на стабилитронах 20 и 21 идиодах 22 и 23, 24 и 25 запирающиенапряжения на первом и третьем диодах65 9 и 11 ключей 5 и б равны по величинеформула изобретения и не зависят от текущих значений сигналов ОЕхФ и БЕка, поступающих на входы аналогового запоминающего устройства. Следовательно, напряжения на конденсаторах 3 и 4 на этапе хранения не изменяются при изменении 5 напряжений на входах устройства, т.е. точность работй устройства оказывается выше по сравнению с известным устройством.Таким образом, введение дополнительного коммутатора и элементов с нелинейной характеристикой, например диодов, позволяет по сравнению с базовым устройством уменьшить на этапе хранения пролезание на выход устройства входных сигналов с десятков милливольт до долей милли- вольт. Это позволяет повысить точность аналогового запоминающего устройства и использовать его в аналогоцифровых преобразователях при кодировании быстро флюктуирующих сигналов. Аналоговое запоминающее устройство, содержащее первый и второй буферные усилители, входы которых сое 30 динены соответственно с накопитель.ными элементами, например с одними иэ обкладок конденсаторов, другие обкладки которых подключены к шине . нулевого потенциала, ключи, вынол- у ненные по мостовой диодной схеме, причем к первым диагоналям первого и второго ключей подключены соответственно вход первого буФерного усилителя и первый вход устройства, вход второго буферного. усилителя и второй вход устройства, входной и выходной коммутаторы, каждый из которых выполнен на первом и втором транзисторах одного типа проводимости, третьем и четвертом транзисторах другого типа проводимости и двух стабилитронах, катоды которых подключены к коллекторам первого и второго транзисторов, а аноды - к коллекторам третьего и четвертого 50 транзисторов, к второй диагонали первого ключа подключены катод пер=.вого и анод второго стабилитроноввходного коммутатора, к первым диагоналям третьего и четвертого ключейподключены выходы буферных усилителей и выход устройства, к второйдиагонали третьего ключа подключеныкатод первого и анод второго стабилитронов выходного коммутатора, аанод первого и катод второго стабилитронов подключены к второй диагонали четвертого ключа, эмиттеры транзисторов коммутаторов соединены сшинами питания, базы транзисторовподключены к шинам управления, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью повышения точности устройства,в него введены дополнительный коммутатор и элементы с нелинейной характеристикой, например диоды, анодпЕрвого из которых соединен с анодом первого стабилитрона входногокоммутатора, катод первого диодаподключен к выходу первого буферногоусилителя и к аноду второго диода,катод которого соединен с катодомвторого стабилитрона входного коммутатора, анод третьего диода соединен с анодом второго стабилитронадополнительного коммутатора, катодтретьего диода подключен к выходувторого буферного усилителя и к аноду четвертого диода, катод которогосоединен с катодом первого стабилитрона дополнительного коммутатора, аноды третьего и четвертого дио.дов второго ключа соединены с анодом первого стабилитрона дополнительного коммутатора, катоды первого итретьего диодов второго ключа соединены с катодом второго стабилитрона дополнительного коммутатора, базытранзисторов которого подключены кшинам управления, а эмиттеры к шинам питания.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Заявка ФРГ В 2 б 46161;кл. 6 11 С 27/00, опублик. 1977.2. ффЗарубежная радиоэлектрони,ка, 1978, 9 10, с 71.3. Автометрияф, 1975, 9 1,с. 115 (прототип),943649 Составитель А.Воронаедактор М.Недолуженко Техред А. Бабинец ректор А. Гриценко б 2 Тираж 622НИИПИ Государственного комитета СССпо делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб.,Подписи каз 51 4/5 лиал ППП Патент г, Ужгород, ул. Проектная, 4