Способ изготовления запоминающей матрицы

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ и 896689(51)М. Кл. О 11 С 5/12 3 Ъсуаарстюны 1 коинтвт СССР во аоаи нзобретенн н отнрытн. 327. 66 (088. 8) Дата опубликования описания 08.01.82г ПЯ.М. Беккер, И.К. Мешковский, Н,Д. Фроловичи .Е;Г,Якуше кое Ф(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к тех нологии изготовления запоминающих матриц.Один из известных способов заключается в том, что в подложке из стек-ла, например, натриевоборосиликатного, просверливают отверстия и затем путем химической обработки вокруг отверстий и на поверхности образуют пористые слои, в которых формируют микросердечники, вводя вгпористые слои магнитный материал. Затем шлифуют подложку с обеих сторон и наносят на поверхность отверстий медь, образуя далее печат 1 ные проводники на обеих поверхностяхподложки 11.Недостатком этого способа изготовления матрицы является то, что в20 способе применяется ручная прошивка микросердечников, а также достигается недостаточно высокая плотность информации в матрице, которая вызвана тем, что плотность размещения микросердечников определяется прошивочным инструментом.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ, заключающийся в том, что в стеклянной подложке путем ее химической обработки образуют пористые сквозные цилиндрические объемы для микросердечников, внутри которых образуют другие сквозные пористые объемы меньшего диаметра для проводников считывания и записи, после чего пористые объемы, в которых формируют микросердечники, пропитывают магнитным материалом, а пористые объемы для формирования проводников считывания и записи пропитывают солями металлов, с последующим их восстановлением обычным путем до чистого металла, затем последовательно на каждую из сторон подложки наносят соединительные проводники .21.О 15 20 25 30 40 45 55 Недостатком данного способа изготовления является трудность получения цилиндрических объемов пористого стекла при химической обработке из-за растрава стекла и вследствие этого недостаточно высокая плотность информации в матрице, а также низкая механическая прочность подложки из-за возникающих внутренних напряжений.Цель изобретения - повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы.Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления запоминающей матрицы, заключающемся в создании пористой структуры в стеклянной подложке, введении в пористую структуру магнитного материала, Формировании в полученных магнитных объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, создании проводников записи и считывания, формировании на поверхностях подложки соединительных проводников, перед введением в пористую структуру подложки магнитного материала в ней создают диэлектрические участки, например, облучением лазерным лучом при 600-800 С, а перед формированием на поверхностях подложки соединительных проводников производят ее термическую обработку.На Фиг. 1 изображена запоминающая матрица; на Фиг. 2 - последовательность технологических операций, а - создание пористой подложки; б - создание диэлектрических участков между пористыми объемами для микросердечников; в - введение в по ристые объемы магнитного материала с заданными свойствами; г - Формирование сквозных отверстий для записи и считывания; д - создание проводников считывания и записи, например, путем заполнения отверстий проводящей пастой; е - образование соединяющих проводников на обеих поверхностях подложки.Иатрица представляет собой подложку 1, в объеме которой сформированы магнитные микросердечники 2, диэлектрические участки 3, проводники 4 записи и считывания и соединительные проводники 5.Сущность предложенного способазаключается в следующем.В объеме подложки 1 формируют пористую структуру, например, подвергая ее химической обработке. При облучении пористой подложки, например, лучом лазера через трафарет, в местах облучения под действием локального термического разогрева из пористой структуры образуются плотные непористые диэлектрические участки 3, которые изолируют друг от друга оставшиеся необлученными пористые объемы. Затем в пористые объемы вводится магнитный материал, например, пропиткой солями металлов и последующей химикотермической обработкой, с целью получения заданных магнитных свойств. Далее в каждом магнитном элементе 2 Формируют сквозные отверстия, например, методом локального нагрева материала лучом лазера до температуры около 1200 С. В полученных сквозных отверстиях Формируют проводники 4 записи и считывания, например, путем заполнения из проводящей пастой.С целью улучшения адгезии соединительных проводников 5 на поверхности подложки 1 ее подвергают термической обработке при температуре не ниже 600 С. Далее с обеих сторон подоложки 1 наносят соединительные проводники 5.П р и м е р . Пластину из натриевоборосиликатного стекла толщиной 0,3 мм опускают в раствор соляной кислоты. В результате в стеклянной пластине образуются взаимосвязанные поры с радиусом 100-10 000 1 за счет вымывания легко растворимых натриевых и боратных компонентов из стекла. Пластину промывают и сушат. В качестве подложки можно использовать стекло с легкорастворимыми калиевыми, литиевыми и др. компонентами, керамику, минералы и другие органические и не. органические порообразующие матери- алы. При локальном нагреве подложки до 600-800 С с помощью луча лазераочерез трафарет гористая структура спекается с образованием плотного кварцоида 10в местах, не защищенных трафаретом. В полученные таким способом изолированные друг от друга пористые объемы для микросердечников вводится магнитный материал путем пропитки в растворе сернокислых солей железа, марганца, никеля, кобальта и др. Сернокислые соли, находящиеся в порах, подвергают химическойобработке и обжигу при 800-1200 С в постоянных магнитных полях с целью получения заданных магнитныхсвойств вещества, Таким способом в подложке получаются изолированные магнитные объемы для микросердечников. Затем в центре каждого такого объема формируют отверстия с помощью локального термического нагрева до 1200 С, Кроме того, сквозоные отверстия в пластине можно формировать с помощью электронного луча. Полученные сквозные отверстия для проводников считывания и записи заполняют проводящей пастой. Затем проводится термический отжиг пластины при 600 С, Такая термическая обработка приводит к устранению внутренних механических напряжений, к спеканию проводящей пасты со стенками стекла и образованию равномерной кварцоидной поверхности на пластине, что улучшает адгезию проводников на поверхности подложки. Окончательно на обе поверхности подложки напыляют металл, например, алюминий, и методом фотолитографии формируют соединяющие проводники.Предложенный способ в отличии от известных способов изготовления матриц памяти позволяет уменьшить диаметр микросердечников до 50 мкм, что приводит к увеличению плотности информации. Увеличение механической прочности пластин при изготовлении предлаГаемым способом позволяет повы 896689сить выход годных пластин примерно на 102.Формула изобретения Способ изготовления запоминающейматрицы, заключающийся в созданиипористой структуры в стеклянной подложке, введении в пористую структуру магнитного материала, формирова 10 нии в полученных магнитных объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, созданиипроводников записи и считывания,формировании на поверхностях подлож 1 З ки соединительных проводников, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения технологичности способа,перед введением в пористую структуру магнитного материала в ней соз 20 дают диэлектрические участки, например, облучением лазерным лучомпри 600-800 С, а перед формированием на поверхностях подложки соединительных проводников производят,2 ее термическую обработку.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРпо заявке юг 2704947/8-24,зо кл. С 11 С 5/02, 1979.2. Авторское свидетельство СССРпо заявке 11 г 2735957/18-24,кл. С 11 С 5/02, 1979 прототип),89 бб 89 Составитель В. Вактор И. Лысогорова Техред И. Гайду Коррект Заказ 11715/41 Ти НИИПИ Государственного по делам изобретений 1)3035 Москва Ж, Р 1