Устройство для деформографических преобразований изображений

О П И С А Н И Е (п)641384ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскнк Соцналнстнческня РасяублннК АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ 61) Дополнительное к авт, свид-ву22) Заявлено 10,06,76(2 ) 2381125/18 51)М, К 1/19 присоединением заявкиГасударственкык кенктет СССР ка делам кэабретанкк к открытий72) Авторы нзобрете ни В. А,Масло 4чДЕФОРМОГРАФИЧЕСКИХНИЙ ИЗОБРАЖЕНИЙ ласти снможетазованияражения вельефное относ нтся к информации но для преоб шего изобто Изобретение об стем.отображения нбыть нстюльзова Рвходного экспонируюеквнвалентное механическое рнзображенне (с целью дальнейшего преобраэовання механического рельефа в внднмое изображение путем, например, "считывання" рельефа световым потоком н проектнровання отраженного светового потока на экран).Такие устройства содержат последовательно расположенные плоскопараллельные элементы: основу, проводящее покрытне, фотопроводннк, деформнруемый слой н гибкий металлический слой, Между нроводящнм покрытнем н металлнческнм слоем включен источник напряжения. Металлнческнй слой обладает оптическими свойствами зеркала н, обычно, непрозрачен, Входное експоннруюшее световое нзображенне преобразуется в эквивалентное механическое рельефное изображение ,путем нзменення электрической напряженностн в деформнруемом слое под действием электрических снл, вызванных ло кальнымн измененнямн проводомостн фотополупроводннка под действнем света входного экспонирующего нзображенняЯОднако известное устройствб дает невысокое качество нзображення вследствие того, что металлический слой частнчно пропускает падающий на него счнтывающнй поток света. В резулвтате етого наблюдается наразнтная засветка фотополупроводннка, Она создает фоновый параэнтный электрнческнй рельеф на фотополупроводннке нэ-за чего ухудшаются качество образуемого механического рельефа н, как следствие, качество отражаемого от металлического слоя потока считывающего света. Прн етом, чем выше интенсивность считывающего света, тем выше уровень паразитной засветки.Снижение уровня параэнтной засветскн эа счет увеличения толщины металлв ческого слоя невозможно, поскольку сннжается гибкость деформируемого зеркала, а вместе с тем падает разрешающаяспособность устройства.Ближайшим по технической сущностии достигаемому эффекту к предложенномуизобретению явпяе-;.я устройство длядеформографичэски:., преобразований, которое содержит стс.клянную основу, прозрачный электрод, фотопопупроводник,диэпектрический спой, вторую прозрачную 1основу и второй электрод. Второй электрод выполнен гибким с зеркально оъражающей поверхностью. Между вторымэлектродом и второй основой размещенпрозрачный унруго-деформируемый слой,Гибкий электрод выполнен в виде полимерной пленки, покрытой слоем металла.Фотопопунроводник выполнен из сернистого аамия 2.Недостатком такого устройства является низкое качество изображения из-еапаразитной засветки фотопопупроводника.Цель предлагаемого изобретенияупучшение качества изображения за счетустранения паразитной засветки фотополупроводника.Она достигается тем, что устройствосодержит прозрачную, например, стекпянную, основу, прозрачный эпектрод, вторую прозрачную основу, фотопопупроводних диэлектрический спой, гибкий зеркально-отражающий электрод, прозрачныйУпруго-деформируемый спой, Между фотопопупроводником и гибким зерка.-: ноотражающим электродом распопов: непрозрачный слойу выполненный из ;,"попимера хпорвинипа с винипденхлоридом с.добавкой пигмента-гпушитепя.Диэлектрический слой выполнен непрозрачным.На чертеже представлено предлагаемое устройстВо,Оно содержит прозрачную, например,стеклянную, основу 3., прозрачный эпектрод 2 у вторую прозрачную Основу Зрфотопопупроводник 4, диэлектрическийспой 5, гибкий зеркапьно-отражающий, электрод 6 прозрачиый упруг Иеформи.Руемый спой 7 ъМежду фотопопупроводником 4 и гиб- ффким ЗЩжапьнОф"Отражающим электродом 6расположен непрозрачный спой 8, выпоиненный из сопопимера хпорвннипа с вииащенхпоридом с добавкой пигментаглушители. Диэлектрический слой 5 вынопнен непрозрачным. Прозрачная Основа 1предназначена дпя прОпускания светавходного экспонирующе 1 о изображения к фотопопупроводнику 4 и зашиты внутренних слоев от повреждений и агрессивного действия внешней среды. Прозрачная основа Х является основой (подложкой) дпя создания опорной поверхности для слоя фотополупроводника 4, Прозрачный электрод 2 служит дпя подвода (одинакового для всей приемной поверхности фото- полупроводника 4) потенциапа от внешнего источника напряжения,Вторая прозрачная основа 3 служит дпя пропускания падающего при облучении и отраженного от гибкого зеркально-отражающего электрода 6 считывающего света и является опорной поверхностью дпя упруго-деформируемого слоя 7.Фотоне,упроводник 4 предназначен дпя создания электрического рельефаэквивалентного входному экспонирующему изображению,Диэлектрический слой 5 предназначендпя формирования механического рельефного изображения при собственном деформировании под действием электрического репье ного поля,Гибкий зеркально-отражающий электрод 6 предназначен дпя подвода потенпиала от внешнего источника напряжения и отражения от него считывающегосвета,Прозрачный упруго-деформируемыйслой 7 предназначен дпя механическоговосстановления поверхности зеркапьноотражающего электрода 6 после снятиявходного экспонирующего изображения.Непрозрачный слой 8 явпяется светомпоглошающим и выпопняет функцию нодавпения паразитного света, пропускав:.;,: о гибким зеркально-отражающимэлектродом 6 из-за его паразитной светопронипаемости и защищает фотопопупроводник 4 от помеховой засветкиПредлагаемое устройство работаетследующим образом.В рабочем состоянии на прозрачныйэлектрод 2 и гибкий зеркально-отражающий эпектрод 6 подается напряжениепитания ЗОО-ВОО в от внешнего источника. На приемную сторону фотопопупроводника 4 через прозрачную основу,1и прозрачный электрод 2 подают свето .вое экспонирующее изображение, а поверхность гибкого зеркально-отражающего эпектрода 6 обпучают модупируемым светом. При этом прн падении обпучающий свет проходит последовательночерез вторую прозрачную основу 3 ипрозрачный упруго-деформируемый слой 7, 64138 4 6а при отражении облучающий свет проходит. в обратном направлении, т.е, через прозрачный упруго-деформируемый слой 7 и вторую прозрачную основу 3.Параэитная часть облучаюшего света, проходящая через гибкий зеркально-отражающий электрод 6 и деформируемый диэлектрический слой 5, гасится прозрачным слоем 8, который является светопоглощающим и выполняет функцию подавления паразитного света, предупреждая помеховую засветку фотополупроводника 4, искажающую работу устройства.При подаче на фотополуцроводник 4 экспонирующего изображения (штрихового или точечного) освещенные участки фотополупроводника 4 повышают свою электропроводность, В результате этого увеличивается локальная напряженность электрического поля в деформируемом диэлектрическом слое 5, локально деформируется гибкий зеркально-отражающий электрод 6, деформируются нротиволежащие участки прозрачного упругодеформируемого слоя 7 и образуется рельефное изображение. После снятия экспонирующего изображения освещенные участки фотополупроводннка 4 снова переходят в темповое состояние. При етом исчезают локальные.неоднородности электрического поля в деформируемом диэлектрическом слое 5 и исчеза 1 от деформирующие силы, Под действием упру+ гих сил, накопленных в деформированных участках прозрачного упруго-деформируемогослоя 7, деформированные участки гибкого зеркально-отражающего электрода 6 восстанавливают исходную, например плоскую, поверхность.Таким образом устройство работает в непрерывном режиме и не испытывает помехового действия высоких уровней облучающего света.Предлагаемое устройство может быть выполнено в виде многослойной функци- онально нераз ьемной структуры. Однако вто только частный случай его выполне, ния. Предлагаемое устройство может быть и любого другого конструктивного выполнения.В качестве примера можно дать следующие ориентировочные размеры отдельных влементов.Прозрачная основа 1 представляет . собой стеклянную пластину толщиной 1 Омм. Прозрачный электрод 2 выполнен иэ двуокиси олова, Вторая прозрачная основа 3 представляет собоФ стеклянную пластину толщиной 10-15 мм.Фотополупроводник 4 представляет собойслой толщиной 40-120 мкм, содержащийсернистый кадмий, Толщина дивлектричес.кого слоя равна 10-30 мкм. Гибкий зеркально-отражающий электрод 6 можетбыть выполнен из поливтцлентерефталачной пленки толщиной 1-3 мкм, покрытойнапыщенным слоем алюминия толщиной0,03-0,06 мкм.Прозрачный упруго-деформируемый слой7 представляет собой слой эластомера толщиной 50-900 мкм, Непрозрачныйслой 8выполнен из сополимера хлорвцнила свинилденхлоридом с добавкой пигменга-,глушителя. Толщина непрозрачного слоявравна 3-7 мкм,Технико-экономический эффект иэобре. тения заключается в улучшении качества проещионного изображения за счет устранения паразитной засветки фотополупроводника от облучаюшего света. Прц этом увеличивается верхний допустимый предел интенсивности облучаюшего считывающего света, который необходимо повышать для получения ярких иэображеМий на проекционных экранах болыпих размеров. Формула изобретении 1. Устройство для деформографических преобразований изображений при проекпионном воспроизведении изображений,содержащее последовательно расположенные прозрачную, например стеклянную,основу, прозрачный электрод, фотополупроводник, диэлектрический слой, гибкий зеркально-отражающий влектрод, прозрачный упруто-деформируемый слой, вторую прозрачную основу и непрозрачныйслой, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения качества изображения за счет устранения паразичнойзасветки фотополупроводника, непрозрачный слой расположен между фотополупроводником и гибким зеркально-отражающим электродом,2. Устройство но п.1, о т л и ч аю ш е е с я тем, что непрозрачный слой расположен между фотополупроводнцком и диэлектрическим слоем и выполнен из сополимера хлорвинила с винилденхлорщом с добавкой пигмента-глушителя,ю тель В. цветковН, Бабурка КоРедактор ов Те р Л. Васили 39 Подписноетвенпого комитета СССРретеиий и открытийЖ, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Пр 7 641383. Устройство по п.1, о т л н ч аю щ е е с я тем, что диелектрический слой выполнен непрозрачным.Источники иююрмации, принятые во внимание при экспертизе: 507/41 Тира ЦНИИПИ Государс по делам изоб 113035, Москва, 4 8 1. Патент США Нф 3877791, кл. 350161, 1975. 2. Авторское свидетельство СССР